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公开(公告)号:CN109378278B
公开(公告)日:2021-01-22
申请号:CN201811312276.8
申请日:2018-11-06
申请人: 德淮半导体有限公司
摘要: 一种晶圆对位的方法,包括:将所述晶圆放置在测试机台中后,所述扫描探头发射测试入射光至晶圆的第一测试区域表面和第二测试区域表面,并获取自第一测试区域中主灰阶对比区表面的第一测试反射光、自第一测试区域中附非标记区表面的第二测试反射光、自第二测试区域中主灰阶对比区表面的第三测试反射光、以及自第二测试区域中附非标记区表面的第四测试反射光;获取第一测试反射光相对于第二测试反射光的第一相对灰阶度;获取第三测试反射光相对于第四测试反射光的第二相对灰阶度;根据第一相对灰阶度和第二相对灰阶度的差异,判断晶圆的对位情况。所述晶圆对位的方法提高了晶圆对位判断的准确率。
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公开(公告)号:CN109585323A
公开(公告)日:2019-04-05
申请号:CN201811438139.9
申请日:2018-11-27
申请人: 德淮半导体有限公司
IPC分类号: H01L21/66
摘要: 一种测试扫描方法,包括:提供测试机台,测试机台中有扫描探头;提供晶圆,晶圆包括边缘芯片区和若干主测试芯片区;选择与边缘芯片区邻近的若干主测试芯片区作为对比芯片区;将晶圆放置在测试机台中后,扫描探头发射测试入射光至边缘芯片区的表面和各对比芯片区的表面,并获取自边缘芯片区表面的第一测试反射光以及自各对比芯片区表面的第二测试反射光;设置参考预设芯片区,参考预设芯片区表面具有参考灰阶度,参考灰阶度根据各对比芯片区表面的第二测试反射光的灰阶度获取;通过对边缘芯片区表面的第一测试反射光的灰阶度与参考预设芯片区表面的参考灰阶度进行比较,判断边缘芯片区表面缺陷状态。所述方法能对边缘芯片区表面缺陷状态进行测试。
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公开(公告)号:CN109085237A
公开(公告)日:2018-12-25
申请号:CN201810634202.X
申请日:2018-06-20
申请人: 德淮半导体有限公司
摘要: 本发明提供一种超声波扫描装置及扫描方法,扫描方法包括:以待测晶圆半径为探头移动路径,并根据像素大小获取均次移动距离;根据待测晶圆半径和均次移动距离获取总扫描圈数;以待测晶圆圆心为原点、以均次移动距离为移动间距,超声波探头沿探头移动路径由内至外依次进行位置移动;在超声波探头每完成一次位置移动后,以该次位置移动的终点到起始原点的距离为半径形成一圆形扫描路径;待检晶圆按预设旋转速度匀速旋转一周,以对圆形扫描路径进行扫描;其中,预设旋转速度随着对应圆形扫描路径的半径的增加逐渐减小;对获取的扫描数据进行处理,生成扫描图像。通过本发明解决了现有技术中C_SAM机台检测时产能浪费、效率低导致成本增大的问题。
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公开(公告)号:CN109378278A
公开(公告)日:2019-02-22
申请号:CN201811312276.8
申请日:2018-11-06
申请人: 德淮半导体有限公司
CPC分类号: H01L22/20 , G01B11/00 , G01R31/26 , H01L21/681
摘要: 一种晶圆对位的方法,包括:将所述晶圆放置在测试机台中后,所述扫描探头发射测试入射光至晶圆的第一测试区域表面和第二测试区域表面,并获取自第一测试区域中主灰阶对比区表面的第一测试反射光、自第一测试区域中附非标记区表面的第二测试反射光、自第二测试区域中主灰阶对比区表面的第三测试反射光、以及自第二测试区域中附非标记区表面的第四测试反射光;获取第一测试反射光相对于第二测试反射光的第一相对灰阶度;获取第三测试反射光相对于第四测试反射光的第二相对灰阶度;根据第一相对灰阶度和第二相对灰阶度的差异,判断晶圆的对位情况。所述晶圆对位的方法提高了晶圆对位判断的准确率。
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公开(公告)号:CN208140632U
公开(公告)日:2018-11-23
申请号:CN201820603700.3
申请日:2018-04-25
申请人: 德淮半导体有限公司
IPC分类号: G01N29/04 , G01N29/265
摘要: 本实用新型提供一种超声波扫描装置,包括一工作台,工作台上设置有卡盘,卡盘的上方设置有超声波探头,超声波探头垂直向下设置,通过移动实现对卡盘上的待检测产品的超声波检测;其中,超声波探头的外侧壁设置有扫描区域检测模块,扫描区域检测模块的检测端口垂直向下设置,通过检测扫描区域检测模块与扫描区域检测模块正下方介质的距离确定扫描区域。本实用新型通过超声波探头的移动实现对待检测产品的超声波检测,再基于设置于所述超声波探头外侧壁的扫描区域检测模块对检测装置与检测物体之间的距离进行检测,以确定扫描区域;以此实现扫描区域与待检测产品的外部轮廓所覆盖的区域一致,进而提高产能,节约成本。
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