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公开(公告)号：CN109378278A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811312276.8
申请日：2018-11-06
申请人： 德淮半导体有限公司
CPC分类号： H01L22/20 , G01B11/00 , G01R31/26 , H01L21/681
摘要： 一种晶圆对位的方法，包括：将所述晶圆放置在测试机台中后，所述扫描探头发射测试入射光至晶圆的第一测试区域表面和第二测试区域表面，并获取自第一测试区域中主灰阶对比区表面的第一测试反射光、自第一测试区域中附非标记区表面的第二测试反射光、自第二测试区域中主灰阶对比区表面的第三测试反射光、以及自第二测试区域中附非标记区表面的第四测试反射光；获取第一测试反射光相对于第二测试反射光的第一相对灰阶度；获取第三测试反射光相对于第四测试反射光的第二相对灰阶度；根据第一相对灰阶度和第二相对灰阶度的差异，判断晶圆的对位情况。所述晶圆对位的方法提高了晶圆对位判断的准确率。
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公开(公告)号：CN109585323A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811438139.9
申请日：2018-11-27
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 一种测试扫描方法，包括：提供测试机台，测试机台中有扫描探头；提供晶圆，晶圆包括边缘芯片区和若干主测试芯片区；选择与边缘芯片区邻近的若干主测试芯片区作为对比芯片区；将晶圆放置在测试机台中后，扫描探头发射测试入射光至边缘芯片区的表面和各对比芯片区的表面，并获取自边缘芯片区表面的第一测试反射光以及自各对比芯片区表面的第二测试反射光；设置参考预设芯片区，参考预设芯片区表面具有参考灰阶度，参考灰阶度根据各对比芯片区表面的第二测试反射光的灰阶度获取；通过对边缘芯片区表面的第一测试反射光的灰阶度与参考预设芯片区表面的参考灰阶度进行比较，判断边缘芯片区表面缺陷状态。所述方法能对边缘芯片区表面缺陷状态进行测试。
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公开(公告)号：CN109085237A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810634202.X
申请日：2018-06-20
申请人： 德淮半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种超声波扫描装置及扫描方法，扫描方法包括：以待测晶圆半径为探头移动路径，并根据像素大小获取均次移动距离；根据待测晶圆半径和均次移动距离获取总扫描圈数；以待测晶圆圆心为原点、以均次移动距离为移动间距，超声波探头沿探头移动路径由内至外依次进行位置移动；在超声波探头每完成一次位置移动后，以该次位置移动的终点到起始原点的距离为半径形成一圆形扫描路径；待检晶圆按预设旋转速度匀速旋转一周，以对圆形扫描路径进行扫描；其中，预设旋转速度随着对应圆形扫描路径的半径的增加逐渐减小；对获取的扫描数据进行处理，生成扫描图像。通过本发明解决了现有技术中C_SAM机台检测时产能浪费、效率低导致成本增大的问题。
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公开(公告)号：CN110416143A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910707503.5
申请日：2019-08-01
申请人： 德淮半导体有限公司
摘要： 一种切割道定位方法以及缺陷扫描设备，所述方法包括：提供晶圆，所述晶圆具有多个管芯，相邻管芯之间具有切割道；选择任意两条交叉的切割道，确定围绕所述交叉点的四个管芯；从所述四个管芯中选择任意一个管芯为第一管芯，且在所述第一管芯的第一端的外边缘选择单个点作为第一待对准点；在所述四个管芯中，选择与所述第一管芯呈中心对称的管芯为第二管芯，在所述第二管芯的第二端的外边缘选择单个点作为第二待对准点；确定第一矩形，所述第一待对准点以及第二待对准点位于所述第一矩形的同一对角线上；在第二方向延伸所述第一矩形以定位所述第二方向上的切割道。本发明方案可以准确地定位切割道。
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公开(公告)号：CN110018181A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910336397.4
申请日：2019-04-25
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： G01N21/95
摘要： 本发明涉及一种晶圆缺陷检测的方法和装置。更具体地，本发明公开了一种为管芯确定管芯角的方法，包括在管芯的内部选取参考点；获取位于管芯的最外围的水平边上的第一节点以及位于管芯的最外围垂直边上的第二节点，其中参考点与第一节点的连线与管芯的最外围的水平边垂直，并且参考点与第二节点的连线与管芯的最外围的垂直边垂直；获取第三节点，其中第一节点、第二节点、第三节点和参考点形成矩形；以及第三节点被认为是管芯的管芯角。
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公开(公告)号：CN109461688A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811313103.8
申请日：2018-11-06
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/677
摘要： 一种晶圆传输装置及其工作方法，其中晶圆传输装置，包括：第一晶盒和第二晶圆盒，分别用于承载晶圆；传输腔，所述传输腔中具有对应于第一晶圆盒的第一预设位置、对应于第二晶圆盒的第二预设位置；位于传输腔内的第一机械手，用于将晶圆从第一晶圆盒转移到第一预设位置；位于传输腔内的第二机械手，用于将晶圆从第二预设位置转移到第二晶圆盒内；位于传输腔内的传输装置，用于将晶圆在第一预设位置和第二预设位置之间进行转移。利用所述晶圆传输装置，能够有效减小第一晶圆盒对第二晶圆盒产生污染，从而提高生产的稳定性。
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公开(公告)号：CN108269748A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810065217.9
申请日：2018-01-23
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 一种CMP后晶圆表面缺陷的检测方法，所述方法包括：在预设工艺条件下对第一样本晶圆和第二样本晶圆表面的透光膜层进行CMP处理；使用光学检验法检测所述第一样本晶圆的表面缺陷数量；在所述第二样本晶圆表面涂覆不透光涂层，并使用光学检验法检测所述第二样本晶圆的表面缺陷数量；确定所述第二样本晶圆与所述第一样本晶圆的表面缺陷数量之间的关联关系；在所述预设工艺条件下对待检测晶圆表面的透光膜层进行CMP处理；使用光学检验法检测所述待检测晶圆的表面缺陷数量，并根据所述关联关系进行修正，以确定所述待检测晶圆的实际表面缺陷数量。通过本发明的方案能够有效改善光学检验机台对CMP后的晶圆的表面缺陷的检出能力。
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公开(公告)号：CN108666229B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201810469620.8
申请日：2018-05-16
申请人： 德淮半导体有限公司
摘要： 一种晶圆弯曲度的确定方法以及扫描设备，所述晶圆弯曲度的确定方法包括：确定晶圆基座的表面与水平面之间的水平夹角；提供晶圆，将所述晶圆设置于所述晶圆基座的表面；测量所述晶圆的中心点至预设测量平面的距离，记为第一距离，所述预设测量平面平行于水平面；测量所述晶圆的边缘点至所述预设测量平面的距离，记为第二距离，所述边缘点位于所述晶圆的边缘；根据所述第一距离、第二距离以及所述水平夹角，确定所述晶圆弯曲度。本发明方案可以在测量晶圆的弯曲度时，避免翻转晶圆，并且有助于降低测量时长，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN108956778A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810878866.0
申请日：2018-08-03
申请人： 德淮半导体有限公司
CPC分类号： G01N29/0681 , G01N29/22
摘要： 本发明技术方案公开了一种超声波扫描显微镜水处理装置、及其使用方法。其中超声波扫描显微镜水处理装置，包括：密闭腔室；入水口，与所述密闭腔室连通，用于将水引入所述密闭腔室内；抽气口，与所述密闭腔室连通，用于将所述密闭腔室抽成低于大气压；出水口，与所述密闭腔室连通，用于将处理后的水输出。本发明技术方案采用水处理装置通过改变压强将水中的空气消除，从而消除在超声波扫描显微镜的超声探头高速移动时产生的气泡，有效地提高了机台的扫描速度及检测效率。
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