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发明公开
包括滚花基座凸缘的包覆成型微电子封装及其生产方法无效

公开(公告)号：CN110718512A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201910612470.6

申请日：2019-07-09

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： A·桑切斯 , J·L·怀特 , H·伊斯梅尔 , F·达纳赫 , D·J·多尔蒂 , A·马诺哈然

IPC分类号： H01L23/13 , H01L21/48

摘要： 本公开涉及包括滚花基座凸缘的包覆成型微电子封装及其生产方法。在各种实施例中，所述包覆成型微电子封装包括模制封装体、包括于所述模制封装体中的至少一个微电子装置，以及所述模制封装体接合到的基座凸缘。所述基座凸缘又包括由所述模制封装体接触的凸缘前侧、位于所述凸缘前侧上且所述至少一个微电子件安装到的装置附接区，以及滚花表面区。所述滚花表面区包括形成于所述基座凸缘中且以第一重复几何图案布置的第一多个沟槽。所述模制封装体延伸或突出到所述第一多个沟槽中，以降低所述模制封装体与所述基座凸缘分层的可能性。