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公开(公告)号：CN109390295A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810887813.5
申请日：2018-08-07
申请人： 恩智浦美国有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/56
摘要： 本文公开了一种模制气腔封装和用于产生模制气腔封装的方法。在一个实施例中，所述模制气腔封装包括：基座凸缘；保持柱，所述保持柱与所述基座凸缘一体地形成且在与凸缘后侧相对的方向上从凸缘前侧延伸；以及保持突片，所述保持突片具有借以接纳所述保持柱的开口。模制封装体接合到所述基座凸缘，且至少大部分包封所述保持柱和所述保持突片。所述模制气腔封装另外包括从所述模制封装体延伸的封装引线。在某些实施方案中，所述封装引线和所述保持突片包括引线框的单分部分。另外或可替换的是，所述保持柱可以防止所述保持柱沿着所述模制气腔封装的中心线从所述保持突片脱离的方式撑持或以其它方式物理变形。
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公开(公告)号：CN110875283A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910804846.3
申请日：2019-08-29
申请人： 恩智浦美国有限公司
IPC分类号： H01L23/552 , H01L23/495 , H01L21/50
摘要： 公开了对电磁交叉耦合有增加的电阻的内部屏蔽微电子封装件，还公开了用于制造这种微电子封装件的方法。在实施例中，所述内部屏蔽微电子封装件包括具有前侧和纵轴的基板。第一微电子装置安装在所述基板的所述前侧，而第二微电子装置另外安装在所述基板的所述前侧并且与所述第一微电子装置沿着所述纵轴隔开。内部屏蔽结构包括屏蔽壁或由屏蔽壁组成，所述屏蔽壁如沿着所述纵轴取得的定位在所述第一微电子装置与所述第二微电子装置之间。所述内部屏蔽壁结构至少部分地由磁导材料构成，这减少了在所述内部屏蔽微电子封装件的操作期间所述第一微电子装置与所述第二微电子装置之间的电磁交叉耦合。
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公开(公告)号：CN110718512A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910612470.6
申请日：2019-07-09
申请人： 恩智浦美国有限公司
摘要： 本公开涉及包括滚花基座凸缘的包覆成型微电子封装及其生产方法。在各种实施例中，所述包覆成型微电子封装包括模制封装体、包括于所述模制封装体中的至少一个微电子装置，以及所述模制封装体接合到的基座凸缘。所述基座凸缘又包括由所述模制封装体接触的凸缘前侧、位于所述凸缘前侧上且所述至少一个微电子件安装到的装置附接区，以及滚花表面区。所述滚花表面区包括形成于所述基座凸缘中且以第一重复几何图案布置的第一多个沟槽。所述模制封装体延伸或突出到所述第一多个沟槽中，以降低所述模制封装体与所述基座凸缘分层的可能性。
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公开(公告)号：CN109390295B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201810887813.5
申请日：2018-08-07
申请人： 恩智浦美国有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/56
摘要： 本文公开了一种模制气腔封装和用于产生模制气腔封装的方法。在一个实施例中，所述模制气腔封装包括：基座凸缘；保持柱，所述保持柱与所述基座凸缘一体地形成且在与凸缘后侧相对的方向上从凸缘前侧延伸；以及保持突片，所述保持突片具有借以接纳所述保持柱的开口。模制封装体接合到所述基座凸缘，且至少大部分包封所述保持柱和所述保持突片。所述模制气腔封装另外包括从所述模制封装体延伸的封装引线。在某些实施方案中，所述封装引线和所述保持突片包括引线框的单分部分。另外或可替换的是，所述保持柱可以防止所述保持柱沿着所述模制气腔封装的中心线从所述保持突片脱离的方式撑持或以其它方式物理变形。
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