具有采用改善引线设计的引线框架的封装体及其制造

    公开(公告)号:CN115763415A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211689809.0

    申请日:2018-09-21

    Abstract: 本申请涉及具有采用改善引线设计的引线框架的封装体及其制造。半导体封装体包括引线框架、裸片、分立电子组件和电连接件。引线框架包括引线和裸片焊盘。一些引线包括其中具有凹部的刻印区域,并且裸片焊盘可包括刻印区域或多个刻印区域。每个刻印区域形成为容纳并限制导电粘合剂流过刻印引线或裸片焊盘的边缘。当被放置在刻印区域上时,边界将导电粘合剂限制在刻印引线或刻印裸片焊盘上的适当位置。通过利用具有刻印区域的引线框架,可以容纳导电粘合剂的流动或导电粘合剂的润湿性并将其限制在刻印引线或刻印裸片焊盘的适当区域,使得导电粘合剂不会引起半导体封装体内的电子组件之间的串扰或半导体封装体内的短路。

    具有采用改善引线设计的引线框架的封装体及其制造

    公开(公告)号:CN109545768A

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201811110608.4

    申请日:2018-09-21

    Abstract: 本申请涉及具有采用改善引线设计的引线框架的封装体及其制造。半导体封装体包括引线框架、裸片、分立电子组件和电连接件。引线框架包括引线和裸片焊盘。一些引线包括其中具有凹部的刻印区域,并且裸片焊盘可包括刻印区域或多个刻印区域。每个刻印区域形成为容纳并限制导电粘合剂流过刻印引线或裸片焊盘的边缘。当被放置在刻印区域上时,边界将导电粘合剂限制在刻印引线或刻印裸片焊盘上的适当位置。通过利用具有刻印区域的引线框架,可以容纳导电粘合剂的流动或导电粘合剂的润湿性并将其限制在刻印引线或刻印裸片焊盘的适当区域,使得导电粘合剂不会引起半导体封装体内的电子组件之间的串扰或半导体封装体内的短路。

    具有采用改善引线设计的引线框架的封装体及其制造

    公开(公告)号:CN109545768B

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN201811110608.4

    申请日:2018-09-21

    Abstract: 本申请涉及具有采用改善引线设计的引线框架的封装体及其制造。半导体封装体包括引线框架、裸片、分立电子组件和电连接件。引线框架包括引线和裸片焊盘。一些引线包括其中具有凹部的刻印区域,并且裸片焊盘可包括刻印区域或多个刻印区域。每个刻印区域形成为容纳并限制导电粘合剂流过刻印引线或裸片焊盘的边缘。当被放置在刻印区域上时,边界将导电粘合剂限制在刻印引线或刻印裸片焊盘上的适当位置。通过利用具有刻印区域的引线框架,可以容纳导电粘合剂的流动或导电粘合剂的润湿性并将其限制在刻印引线或刻印裸片焊盘的适当区域,使得导电粘合剂不会引起半导体封装体内的电子组件之间的串扰或半导体封装体内的短路。

    半导体封装体
    9.
    实用新型

    公开(公告)号:CN208848898U

    公开(公告)日:2019-05-10

    申请号:CN201821552152.2

    申请日:2018-09-21

    Abstract: 本申请涉及半导体封装体。半导体封装体包括引线框架、裸片、分立电子组件和电连接件。引线框架包括引线和裸片焊盘。一些引线包括其中具有凹部的刻印区域,并且裸片焊盘可包括刻印区域或多个刻印区域。每个刻印区域形成为容纳并限制导电粘合剂流过刻印引线或裸片焊盘的边缘。当被放置在刻印区域上时,边界将导电粘合剂限制在刻印引线或刻印裸片焊盘上的适当位置。通过利用具有刻印区域的引线框架,可以容纳导电粘合剂的流动或导电粘合剂的润湿性并将其限制在刻印引线或刻印裸片焊盘的适当区域,使得导电粘合剂不会引起半导体封装体内的电子组件之间的串扰或半导体封装体内的短路。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    半导体器件和引线框
    10.
    实用新型

    公开(公告)号:CN209487495U

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201920210409.4

    申请日:2019-02-19

    Abstract: 本公开涉及一种半导体器件和引线框。该半导体器件包括:引线框,包括裸片焊盘,所述裸片焊盘具有表面和在所述表面中的多个空腔;粘合剂,在所述裸片焊盘的所述表面上和所述多个空腔中;以及在所述粘合剂上的半导体裸片,所述半导体裸片包括多个拐角,所述多个拐角中的每个拐角位于所述多个空腔中的相应空腔上方。空腔允许在半导体裸片的拐角处在裸片焊盘上形成附加粘合剂,并且防止附加粘合剂溢出到半导体裸片的有源区域上。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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