-
公开(公告)号:CN112953347B
公开(公告)日:2025-02-07
申请号:CN201911259355.1
申请日:2019-12-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体研发(深圳)有限公司
IPC: H02P27/00 , H02P23/14 , H02M7/5387 , G01R31/34 , G01R19/00
Abstract: 本公开涉及逆变器和用于测量电机中的相电流的方法。三相负载由具有单个分流拓扑的PWM(例如,SVPWM)驱动的DC‑AC逆变器供电。在每个SVPWM扇区的第二时段期间测量逆变器的分流电压和支路电压(跨待校准晶体管),并且计算校准晶体管的漏极到源极电阻。在每个SVPWM扇区的第四时段期间,再次测量支路电压,并且测量跨另一晶体管的另一支路电压。使用校准晶体管的漏极到源极电阻和在第四时段期间所测量的跨校准晶体管的电压,计算通过校准晶体管的相电流。使用在第四时段期间所测量的另一支路电压和其对应晶体管的漏极到源极电阻,计算通过该晶体管的相电流。从两个所计算的相电流,可以计算另一相电流。
-
公开(公告)号:CN112953347A
公开(公告)日:2021-06-11
申请号:CN201911259355.1
申请日:2019-12-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体研发(深圳)有限公司
IPC: H02P27/00 , H02P23/14 , H02M7/5387 , G01R31/34 , G01R19/00
Abstract: 本公开涉及逆变器和用于测量电机中的相电流的方法。三相负载由具有单个分流拓扑的PWM(例如,SVPWM)驱动的DC‑AC逆变器供电。在每个SVPWM扇区的第二时段期间测量逆变器的分流电压和支路电压(跨待校准晶体管),并且计算校准晶体管的漏极到源极电阻。在每个SVPWM扇区的第四时段期间,再次测量支路电压,并且测量跨另一晶体管的另一支路电压。使用校准晶体管的漏极到源极电阻和在第四时段期间所测量的跨校准晶体管的电压,计算通过校准晶体管的相电流。使用在第四时段期间所测量的另一支路电压和其对应晶体管的漏极到源极电阻,计算通过该晶体管的相电流。从两个所计算的相电流,可以计算另一相电流。
-
公开(公告)号:CN116413496A
公开(公告)日:2023-07-11
申请号:CN202310004771.7
申请日:2023-01-03
Applicant: 意法半导体研发(深圳)有限公司
Abstract: 本公开的各实施例涉及电机电流测量装置和方法。一种装置,包括:第一逆变器,被配置为驱动具有多个相的第一电机;第一逆变器包括多个逆变器支路,每个逆变器支路耦合到第一电机的对应的相;第二逆变器,被配置为驱动具有多个相的第二电机,第二逆变器包括多个逆变器支路,每个逆变器支路耦合到第二电机的对应的相;以及第一电流传感器,被配置为感测在第一逆变器和第二逆变器中流动的电流,其中第一电流传感器由至少两个逆变器支路共享。
-
公开(公告)号:CN211239733U
公开(公告)日:2020-08-11
申请号:CN201922198735.0
申请日:2019-12-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体研发(深圳)有限公司
IPC: H02P27/00 , H02P23/14 , H02M7/5387 , G01R31/34 , G01R19/00
Abstract: 本公开涉及逆变器系统。三相负载由具有单个分流拓扑的PWM(例如,SVPWM)驱动的DC-AC逆变器供电。在每个SVPWM扇区的第二时段期间测量逆变器的分流电压和支路电压,并且计算校准晶体管的漏极到源极电阻。在每个SVPWM扇区的第四时段期间,再次测量支路电压,并且测量跨另一晶体管的另一支路电压。使用校准晶体管的漏极到源极电阻和在第四时段期间所测量的跨校准晶体管的电压,计算通过校准晶体管的相电流。使用在第四时段期间所测量的另一支路电压和其对应晶体管的漏极到源极电阻,计算通过该晶体管的相电流。从两个所计算的相电流,可以计算另一相电流。本公开的实施例能够精确测量相电流,进而增强对电机的控制。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-