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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112953347B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN201911259355.1
申请日：2019-12-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体研发(深圳)有限公司
IPC: H02P27/00 , H02P23/14 , H02M7/5387 , G01R31/34 , G01R19/00
Abstract: 本公开涉及逆变器和用于测量电机中的相电流的方法。三相负载由具有单个分流拓扑的PWM(例如，SVPWM)驱动的DC‑AC逆变器供电。在每个SVPWM扇区的第二时段期间测量逆变器的分流电压和支路电压(跨待校准晶体管)，并且计算校准晶体管的漏极到源极电阻。在每个SVPWM扇区的第四时段期间，再次测量支路电压，并且测量跨另一晶体管的另一支路电压。使用校准晶体管的漏极到源极电阻和在第四时段期间所测量的跨校准晶体管的电压，计算通过校准晶体管的相电流。使用在第四时段期间所测量的另一支路电压和其对应晶体管的漏极到源极电阻，计算通过该晶体管的相电流。从两个所计算的相电流，可以计算另一相电流。
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公开(公告)号：CN117220560A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310670024.7
申请日：2023-06-07
Applicant: 意法半导体(中国)投资有限公司 , 意法半导体研发(深圳)有限公司
Abstract: 本公开涉及用于热保护的逆变器和测量结温的方法。三相负载由具有单分流拓扑的SPWM驱动逆变器供电。在操作期间，确定逆变器的每个支路的晶体管的漏源电阻。对不同温度处的晶体管的假定漏源电阻执行插值以产生晶体管的漏源电阻对温度的非线性模型，并且使用在操作期间确定的漏源电阻和非线性模型估计晶体管的温度值。可以调节逆变器的驱动，使得每个支路的传导率被设置为使得由该支路递送的功率尽可能高，而不会超过表示阈值结温的允许的漏极电流阈值。此外，如果晶体管的温度超过阈值温度，则可以停止逆变器的驱动。
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公开(公告)号：CN116413496A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310004771.7
申请日：2023-01-03
Applicant: 意法半导体研发(深圳)有限公司
Abstract: 本公开的各实施例涉及电机电流测量装置和方法。一种装置，包括：第一逆变器，被配置为驱动具有多个相的第一电机；第一逆变器包括多个逆变器支路，每个逆变器支路耦合到第一电机的对应的相；第二逆变器，被配置为驱动具有多个相的第二电机，第二逆变器包括多个逆变器支路，每个逆变器支路耦合到第二电机的对应的相；以及第一电流传感器，被配置为感测在第一逆变器和第二逆变器中流动的电流，其中第一电流传感器由至少两个逆变器支路共享。
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公开(公告)号：CN112953347A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201911259355.1
申请日：2019-12-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体研发(深圳)有限公司
IPC: H02P27/00 , H02P23/14 , H02M7/5387 , G01R31/34 , G01R19/00
Abstract: 本公开涉及逆变器和用于测量电机中的相电流的方法。三相负载由具有单个分流拓扑的PWM(例如，SVPWM)驱动的DC‑AC逆变器供电。在每个SVPWM扇区的第二时段期间测量逆变器的分流电压和支路电压(跨待校准晶体管)，并且计算校准晶体管的漏极到源极电阻。在每个SVPWM扇区的第四时段期间，再次测量支路电压，并且测量跨另一晶体管的另一支路电压。使用校准晶体管的漏极到源极电阻和在第四时段期间所测量的跨校准晶体管的电压，计算通过校准晶体管的相电流。使用在第四时段期间所测量的另一支路电压和其对应晶体管的漏极到源极电阻，计算通过该晶体管的相电流。从两个所计算的相电流，可以计算另一相电流。
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公开(公告)号：CN211239733U
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201922198735.0
申请日：2019-12-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体研发(深圳)有限公司
IPC: H02P27/00 , H02P23/14 , H02M7/5387 , G01R31/34 , G01R19/00
Abstract: 本公开涉及逆变器系统。三相负载由具有单个分流拓扑的PWM(例如，SVPWM)驱动的DC-AC逆变器供电。在每个SVPWM扇区的第二时段期间测量逆变器的分流电压和支路电压，并且计算校准晶体管的漏极到源极电阻。在每个SVPWM扇区的第四时段期间，再次测量支路电压，并且测量跨另一晶体管的另一支路电压。使用校准晶体管的漏极到源极电阻和在第四时段期间所测量的跨校准晶体管的电压，计算通过校准晶体管的相电流。使用在第四时段期间所测量的另一支路电压和其对应晶体管的漏极到源极电阻，计算通过该晶体管的相电流。从两个所计算的相电流，可以计算另一相电流。本公开的实施例能够精确测量相电流，进而增强对电机的控制。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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