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公开(公告)号：CN103261905A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180059749.8
申请日：2011-12-23
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01R33/0011 , B82Y25/00 , G01R33/093 , H01L43/12
Abstract: 一种集成磁阻装置，其中绝缘层(18)在第一表面(19)上覆盖半导体材料的衬底(17)。铁磁材料的第一磁控电阻(26)在所述绝缘层中延伸并且限定所述传感器的传感平面。铁磁材料的集中器(34)包括至少一个臂件(34a)，该臂件在与所述传感平面的横向方向上延伸并且与所述磁控电阻(26)竖直偏移。以这种方式，使垂直于所述传感平面指向的磁通线集中并转向，以便生成与所述传感平面平行的方向上指向的磁场分量。
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公开(公告)号：CN103543417B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201310297959.1
申请日：2013-07-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01R33/096 , G01R33/0017 , G01R33/0052 , G01R33/0206
Abstract: 本发明公开了一种磁场传感器，包括：芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底以及覆盖第一表面的绝缘层；第一磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线；第二磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线，第二磁阻器的主磁化轴线在横切于第一磁阻器的主磁化轴线的方向上延伸，并且第二磁阻器的副磁化轴线在横切于第一磁阻器的副磁化轴线的方向上延伸；第一磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第一磁阻器的主磁化轴线的场线的第一磁场；第二磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第二磁阻器的主磁化轴线的场线的第二磁场。第一磁阻器和第二磁阻器以距第一表面彼此不同的第一距离和第二距离分别延伸到绝缘层中。
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公开(公告)号：CN107976645A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711395148.X
申请日：2013-07-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁场传感器，包括：芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底以及覆盖第一表面的绝缘层；第一磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线；第二磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线，第二磁阻器的主磁化轴线在横切于第一磁阻器的主磁化轴线的方向上延伸，并且第二磁阻器的副磁化轴线在横切于第一磁阻器的副磁化轴线的方向上延伸；第一磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第一磁阻器的主磁化轴线的场线的第一磁场；第二磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第二磁阻器的主磁化轴线的场线的第二磁场。第一磁阻器和第二磁阻器以距第一表面彼此不同的第一距离和第二距离分别延伸到绝缘层中。
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公开(公告)号：CN103261905B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201180059749.8
申请日：2011-12-23
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01R33/0011 , B82Y25/00 , G01R33/093 , H01L43/12
Abstract: 一种集成磁阻装置，其中绝缘层(18)在第一表面(19)上覆盖半导体材料的衬底(17)。铁磁材料的第一磁控电阻(26)在所述绝缘层中延伸并且限定所述传感器的传感平面。铁磁材料的集中器(34)包括至少一个臂件(34a)，该臂件在与所述传感平面的横向方向上延伸并且与所述磁控电阻(26)竖直偏移。以这种方式，使垂直于所述传感平面指向的磁通线集中并转向，以便生成与所述传感平面平行的方向上指向的磁场分量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114823637A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210092662.0
申请日：2022-01-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L23/498 , H01L25/065 , H01L23/31
Abstract: 本公开的实施例涉及由电连接和电隔离的裸片形成的封装电子系统。一种封装电子系统，其具有由绝缘有机衬底形成的支撑，所述绝缘有机衬底容纳浮置的掩埋导电区域。第一裸片固定在支撑件上，并在第一主表面上承载电容耦合到掩埋导电区域的第一部分的第一裸片接触区域。第二裸片固定在支撑件上，并在第一主表面上承载电容耦合到掩埋导电区域的第二部分的第二裸片接触区域。封装质量块包围第一裸片、第二裸片、第一裸片接触区域、第二裸片接触区域和至少部分支撑。
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公开(公告)号：CN107976645B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201711395148.X
申请日：2013-07-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁场传感器，包括：芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底以及覆盖第一表面的绝缘层；第一磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线；第二磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线，第二磁阻器的主磁化轴线在横切于第一磁阻器的主磁化轴线的方向上延伸，并且第二磁阻器的副磁化轴线在横切于第一磁阻器的副磁化轴线的方向上延伸；第一磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第一磁阻器的主磁化轴线的场线的第一磁场；第二磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第二磁阻器的主磁化轴线的场线的第二磁场。第一磁阻器和第二磁阻器以距第一表面彼此不同的第一距离和第二距离分别延伸到绝缘层中。
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公开(公告)号：CN103543417A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310297959.1
申请日：2013-07-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01R33/096 , G01R33/0017 , G01R33/0052 , G01R33/0206
Abstract: 本发明公开了一种磁场传感器，包括：芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底以及覆盖第一表面的绝缘层；第一磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线；第二磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线，第二磁阻器的主磁化轴线在横切于第一磁阻器的主磁化轴线的方向上延伸，并且第二磁阻器的副磁化轴线在横切于第一磁阻器的副磁化轴线的方向上延伸；第一磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第一磁阻器的主磁化轴线的场线的第一磁场；第二磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第二磁阻器的主磁化轴线的场线的第二磁场。第一磁阻器和第二磁阻器以距第一表面彼此不同的第一距离和第二距离分别延伸到绝缘层中。
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公开(公告)号：CN217544608U
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202220214158.9
申请日：2022-01-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L23/498 , H01L25/065 , H01L23/31
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体装置。一种半导体装置，包括：支撑件，包括绝缘基板，绝缘基板具有：掩埋导电区域；第一裸片，固定到支撑件，第一裸片具有第一表面，第一表面具有电容耦合到掩埋导电区域的第一部分的第一裸片接触区域；第二裸片，固定至支撑件，第二裸片具有第一表面，第一表面具有第二裸片接触区域，第二裸片接触区域电容耦合至掩埋导电区域的第二部分；第一外部连接区域和第二外部连接区域，在第一方向上彼此间隔一定距离，掩埋导电区域位于第一外部连接区域和第二外部连接区域之间；绝缘材料。本公开的实施例有利地在分辨率、空间尺寸控制和对准方面具有优势。
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公开(公告)号：CN203519808U
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201320420963.8
申请日：2013-07-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/096 , G01R33/0017 , G01R33/0052 , G01R33/0206
Abstract: 本实用新型公开了一种磁场传感器，包括：芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底以及覆盖第一表面的绝缘层；第一磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线；第二磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线，第二磁阻器的主磁化轴线在横切于第一磁阻器的主磁化轴线的方向上延伸，并且第二磁阻器的副磁化轴线在横切于第一磁阻器的副磁化轴线的方向上延伸；第一磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第一磁阻器的主磁化轴线的场线的第一磁场；第二磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第二磁阻器的主磁化轴线的场线的第二磁场。第一磁阻器和第二磁阻器以距第一表面彼此不同的第一距离和第二距离分别延伸到绝缘层中。
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