公开(公告)号：CN108246593A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201710400836.4

申请日：2017-05-31

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： F·方希里诺 ,  F·F·维拉 ,  A·迪马特奥

IPC: B06B1/06 ,  H01L41/083 ,  H01L41/31

Abstract: 本发明涉及压电式微加工超声换能器及其制造方法。一种压电式微加工超声换能器(PMUT)(1)，包括：半导体本体(2)，该半导体本体具有第一空腔(6)和膜(8)，该膜悬置在该第一空腔(6)之上并且面向该半导体本体(2)的前侧(2a)；以及压电式换能器组件(16，18，20)，该压电式换能器组件至少部分地在该膜(8)之上延伸，该压电式换能器组件可被致动以用于生成对该膜(8)的偏转。第二空腔(4)延伸成掩埋在该膜(8)的外围区域(8a)中并且界定该膜(8)的中心区域(8b)。此外，该外围部分(8a)的刚度低于该中心部分(8b)的刚度。

公开(公告)号：CN114689471B

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202111637537.5

申请日：2021-12-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： F·方希里诺

IPC: G01N15/00 ,  G01N29/036 ,  G01N29/24 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本公开的各实施例涉及MEMS微粒传感器。提供了一种用于感测MEMS感测设备外部环境中的微粒的MEMS感测设备。MEMS感测设备包括半导体本体，该半导体本体集成传感器和泵单元，传感器包括传感器腔、被悬置在传感器腔上方的膜、以及压电元件，该压电元件位于膜上方，并且被配置为当感测电信号在MEMS感测设备的第一操作阶段期间被施加到压电元件时，使膜以对应共振频率围绕平衡位置振荡，该共振频率取决于位于膜上的微粒的数量，膜具有多个通孔，用于在传感器腔与环境之间建立流体连通；泵被配置为在第一操作阶段期间使传感器腔中的空气压力相对于环境的空气压力降低，使得微粒由通过多个通孔的吸力粘附到膜上。

公开(公告)号：CN108246593B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201710400836.4

申请日：2017-05-31

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： F·方希里诺 ,  F·F·维拉 ,  A·迪马特奥

IPC: B06B1/06 ,  H01L41/083 ,  H01L41/31

Abstract: 本发明涉及压电式微加工超声换能器及其制造方法。一种压电式微加工超声换能器(PMUT)(1)，包括：半导体本体(2)，该半导体本体具有第一空腔(6)和膜(8)，该膜悬置在该第一空腔(6)之上并且面向该半导体本体(2)的前侧(2a)；以及压电式换能器组件(16，18，20)，该压电式换能器组件至少部分地在该膜(8)之上延伸，该压电式换能器组件可被致动以用于生成对该膜(8)的偏转。第二空腔(4)延伸成掩埋在该膜(8)的外围区域(8a)中并且界定该膜(8)的中心区域(8b)。此外，该外围部分(8a)的刚度低于该中心部分(8b)的刚度。

公开(公告)号：CN117644022A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311130339.9

申请日：2023-09-04

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： F·方希里诺

IPC: B06B1/06

Abstract: 本公开涉及MEMS超声换能器器件及其制造工艺。一种MEMS超声换能器MUT器件，包括具有第一和第二主面的半导体本体，包括：从所述第二主面延伸到所述半导体本体中的调制腔体；膜体，悬置在所述调制腔体上并包括换能膜体和调制膜体；调制膜体上的压电调制结构；延伸到所述膜体内的换能腔体，所述换能膜体悬置在所述换能腔体上；以及换能膜体上的压电换能结构。调制膜体具有第一厚度，换能膜体具有小于第一厚度的第二厚度。在使用中，调制膜以第一频率振动，并且换能膜以高于第一频率的第二频率振动，以发射和/或接收频率取决于第一和第二频率的声波。

公开(公告)号：CN114689471A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202111637537.5

申请日：2021-12-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： F·方希里诺

IPC: G01N15/00 ,  G01N29/036 ,  G01N29/24 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本公开的各实施例涉及MEMS微粒传感器。提供了一种用于感测MEMS感测设备外部环境中的微粒的MEMS感测设备。MEMS感测设备包括半导体本体，该半导体本体集成传感器和泵单元，传感器包括传感器腔、被悬置在传感器腔上方的膜、以及压电元件，该压电元件位于膜上方，并且被配置为当感测电信号在MEMS感测设备的第一操作阶段期间被施加到压电元件时，使膜以对应共振频率围绕平衡位置振荡，该共振频率取决于位于膜上的微粒的数量，膜具有多个通孔，用于在传感器腔与环境之间建立流体连通；泵被配置为在第一操作阶段期间使传感器腔中的空气压力相对于环境的空气压力降低，使得微粒由通过多个通孔的吸力粘附到膜上。

公开(公告)号：CN217561264U

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202123365391.1

申请日：2021-12-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： F·方希里诺

IPC: G01N15/00 ,  G01N29/036 ,  G01N29/24 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本公开的各实施例涉及MEMS感测设备和电子系统。MEMS感测设备包括半导体本体，该半导体本体集成传感器和泵单元，传感器包括传感器腔、被悬置在传感器腔上方的膜、以及压电元件，该压电元件位于膜上方，并且被配置为当感测电信号在MEMS感测设备的第一操作阶段期间被施加到压电元件时，使膜以对应共振频率围绕平衡位置振荡，该共振频率取决于位于膜上的微粒的数量，膜具有多个通孔，用于在传感器腔与环境之间建立流体连通；泵被配置为在第一操作阶段期间使传感器腔中的空气压力相对于环境的空气压力降低，使得微粒由通过多个通孔的吸力粘附到膜上。本实用新型的MEMS感测设备，适用于其中必须执行频繁感测操作的应用，并适用于“现场”应用。

公开(公告)号：CN221453218U

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202322388374.2

申请日：2023-09-04

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： F·方希里诺

IPC: B06B1/06

Abstract: 本公开涉及微机电系统超声换能器器件。一种微机电系统超声换能器器件，包括具有第一和第二主面的半导体本体，包括：从所述第二主面延伸到所述半导体本体中的调制腔体；膜体，悬置在所述调制腔体上并包括换能膜体和调制膜体；调制膜体上的压电调制结构；延伸到所述膜体内的换能腔体，所述换能膜体悬置在所述换能腔体上；以及换能膜体上的压电换能结构。调制膜体具有第一厚度，换能膜体具有小于第一厚度的第二厚度。在使用中，调制膜以第一频率振动，并且换能膜以高于第一频率的第二频率振动，以发射和/或接收频率取决于第一和第二频率的声波。利用本公开的实施例有利地确保微机电系统超声换能器器件在更大的应用范围内具有更好的性能。

公开(公告)号：CN207287973U

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201720622771.3

申请日：2017-05-31

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： F·方希里诺 ,  F·F·维拉 ,  A·迪马特奥

IPC: B06B1/06 ,  H01L41/083 ,  H01L41/31

CPC classification number: B06B1/0622 ,  B06B1/0207 ,  B06B1/06 ,  B81C1/00158 ,  G01H11/08 ,  G10K9/122 ,  G10K13/00 ,  H01L41/1138 ,  H01L41/293 ,  H01L41/332 ,  H04R7/16 ,  H04R31/003

Abstract: 本实用新型涉及压电式微加工超声换能器和电子系统。一种压电式微加工超声换能器(PMUT)(1)，包括：半导体本体(2)，该半导体本体具有第一空腔(6)和膜(8)，该膜悬置在该第一空腔(6)之上并且面向该半导体本体(2)的前侧(2a)；以及压电式换能器组件(16，18，20)，该压电式换能器组件至少部分地在该膜(8)之上延伸，该压电式换能器组件可被致动以用于生成对该膜(8)的偏转。第二空腔(4)延伸成掩埋在该膜(8)的外围区域(8a)中并且界定该膜(8)的中心区域(8b)。此外，该外围区域(8a)的刚度低于该中心部分(8b)的刚度。