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公开(公告)号：CN102574676A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080045056.9
申请日：2010-08-05
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00476 , B81B2201/0264 , B81B2203/0109 , B81B2203/0127 , B81C1/00047 , B81C2201/0109
摘要： 用于制造MEMS器件的方法，其中在衬底上和绝缘层(3)上形成底部硅区域(4b)；在底部区域上形成电介质的牺牲区域(5a)；在牺牲区域上外延生长半导体材料的薄膜区域(21)；薄膜区域被挖掘至牺牲区域，以便形成穿通沟槽(15)；穿通沟槽的侧壁和底部以保形方式完全利用多孔材料层(16)覆盖；通过多孔材料层选择性地移除牺牲区域的至少一部分并形成空腔(18)；以及穿通沟槽利用填充材料(20a)填充，以便形成悬置于空腔(18)之上的单片薄膜。
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公开(公告)号：CN114572928A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111430582.3
申请日：2021-11-29
申请人： 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体国际有限公司
摘要： 本公开的实施例涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括：基底；集成到基底中的换能微结构；接合到基底以及具有邻近第一基底以及第二外部表面的盖；以及穿过盖从第二面延伸到第一并且与换能微结构连通的通道。可透过气态物质的多孔多晶硅微结构的保护膜跨过通道被设置。
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公开(公告)号：CN113697766A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110545660.8
申请日：2021-05-19
申请人： 意法半导体股份有限公司
摘要： 本公开的实施例涉及用于制造微机电设备的工艺和MEMS设备。一种用于制造MEMS设备的工艺包括在衬底上形成第一厚度的第一结构层。第一沟槽通过所述第一结构层形成，并且通过第一开口隔开的掩模区域在所述第一结构层上被形成。第二厚度的第二结构层在所述第一开口处与所述第一结构层直接接触的所述第一结构层上被形成，并且第二结构层与所述第一结构层一起形成第三厚度的厚结构区域，第三厚度等于所述第一厚度和所述第二厚度的所述总和。多个第二沟槽通过所述第二结构层在所述掩模区域上方被形成，并且第三沟槽通过去除所述厚结构区域的选择性部分通过所述第一结构层和所述第二结构层形成。
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公开(公告)号：CN102574676B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201080045056.9
申请日：2010-08-05
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00476 , B81B2201/0264 , B81B2203/0109 , B81B2203/0127 , B81C1/00047 , B81C2201/0109
摘要： 用于制造MEMS器件的方法，其中在衬底上和绝缘层(3)上形成底部硅区域(4b)；在底部区域上形成电介质的牺牲区域(5a)；在牺牲区域上外延生长半导体材料的薄膜区域(21)；薄膜区域被挖掘至牺牲区域，以便形成穿通沟槽(15)；穿通沟槽的侧壁和底部以保形方式完全利用多孔材料层(16)覆盖；通过多孔材料层选择性地移除牺牲区域的至少一部分并形成空腔(18)；以及穿通沟槽利用填充材料(20a)填充，以便形成悬置于空腔(18)之上的单片薄膜。
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公开(公告)号：CN215756431U
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202121072705.6
申请日：2021-05-19
申请人： 意法半导体股份有限公司
摘要： 本公开的实施例涉及MEMS设备。该设备包括：衬底；第一结构层，具有第一厚度并且在衬底上延伸；第二结构层，具有第二厚度并且在第一结构层上延伸；多个第一沟槽，延伸通过第一结构层并且限定第一功能元件；多个第二沟槽，延伸通过第二结构层并且限定覆盖第一功能元件的第二功能元件；多个第三沟槽，延伸通过第一结构层和第二结构层，其中第一结构层和第二结构层形成支撑结构，具有第三厚度，支撑结构被锚定到衬底并且支撑第一功能元件和第二功能元件，第一间隙区在第一功能元件与第二功能元件之间延伸并且围绕支撑结构。利用本公开的实施例可以有利地允许多个微机械结构被布置在单个管芯中，允许整体大小被减小，降低制造成本，改善设备集成。
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公开(公告)号：CN216946212U
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202122952681.X
申请日：2021-11-29
申请人： 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体国际有限公司
摘要： 本公开的实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，其特征在于，包括：基底；换能微结构，在所述基底中；盖，耦合到所述基底，并且所述盖具有面向所述基底的第一面以及外部第二面；通道，穿过所述盖从所述第二面延伸到所述第一面，并且所述通道与所述换能微结构流体连通，所述通道包括内部侧壁；多孔多晶硅的保护膜，所述保护膜跨过所述通道并且在所述通道的所述内部侧壁上。利用本公开的实施例有利地增加了设计以及制造半导体换能器的灵活性。
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