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公开(公告)号：CN116893504A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310372761.9
申请日：2023-04-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及具有抗应力性改进的压电致动的微机电镜器件。一种微机电镜器件在半导体材料的管芯中具有：限定腔体的固定结构；承载反射区域的可倾斜结构，弹性地悬置在腔体上方并且具有在水平面中的主延伸部；承载相应压电结构的至少一对第一驱动臂，压电结构可以被偏置以生成驱动力，该驱动力引起可倾斜结构围绕平行于水平面的第一水平轴的旋转轴的旋转；弹性悬置元件，在旋转轴处将可倾斜结构弹性地耦合到固定结构，并且对于离开水平面的运动是刚性的并且对于围绕旋转轴的扭转是柔顺的。特别地，第一对中的驱动臂磁性地耦合到可倾斜结构，以便在相应压电结构的偏置之后通过磁性相互作用使其围绕旋转轴旋转。
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公开(公告)号：CN116199178A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211511741.7
申请日：2022-11-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及具有平移屏蔽结构的微机电光学遮蔽件及其制造工艺。MEMS遮蔽件包括：由孔径通过的半导体衬底；第一半导体层和第二半导体层，其形成固定到衬底的支撑结构；多个可变形结构，每个可变形结构由第一和第二半导体层之间的至少一个的对应部分形成；多个致动器；多个屏蔽结构，每个屏蔽结构由第一和第二半导体层之间的至少一个的对应部分形成，屏蔽结构围绕下层孔径成角度布置，以提供对孔径的屏蔽，每个屏蔽结构还经由可变形结构耦合到支撑结构。每个致动器可以被控制为在第一位置和第二位置之间平移对应屏蔽结构，从而改变对孔径的屏蔽；屏蔽结构的第一和第二位置使得在至少一个操作状态下，相邻屏蔽结构对至少部分地彼此重叠。
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公开(公告)号：CN115373134A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210555109.6
申请日：2022-05-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及有自校准特性的压电致动和压阻感测的微机电反射镜器件。微机电反射镜器件在半导体材料管芯中具有：固定结构，限定腔体；可倾斜结构，承载弹性悬置在所述腔体上方的反射区域；至少一个第一对驱动臂，耦接至所述可倾斜结构并且承载相应的压电材料区域，所述压电材料区域可以被偏置以使其围绕至少一个旋转轴旋转；弹性悬置元件，将所述可倾斜结构弹性地耦接至所述固定结构，并且相对于离开所述水平平面的移动是刚性的并且对于扭转是屈服性的；以及压阻传感器，被配置为提供指示所述可倾斜结构的所述旋转的检测信号。至少一个测试结构被集成在所述管芯中，以提供指示所述压阻传感器的灵敏度变化的校准信号以校准所述检测信号。
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公开(公告)号：CN115215282A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210397660.2
申请日：2022-04-15
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及具有可倾斜结构和改善的控制的MEMS器件。一种MEMS器件，包括：半导体主体，其具有腔并且形成锚定部段；可倾斜结构，弹性地悬置在所述腔上方；第一支撑臂和第二支撑臂，支撑所述可倾斜结构；以及第一压电致动结构和第二压电致动结构，可偏置以机械地变形，从而产生所述可倾斜结构围绕旋转轴线的旋转。压电致动结构承载第一压电位移传感器和第二压电位移传感器。当可倾斜结构围绕旋转轴线旋转时，位移传感器受到相应的机械变形，并且产生彼此相位相反的相应感测信号，指示可倾斜结构的旋转。感测信号被配置成以差分方式获取。
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公开(公告)号：CN113009684B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202011519697.5
申请日：2020-12-21
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例涉及具有防冲击的可倾斜结构的微机电装置。一种微机电装置由具有腔的固定结构形成。可倾斜结构被弹性地悬挂在腔上方并且在可倾斜平面中具有主延伸部，并且能够绕平行于可倾斜平面的旋转轴线旋转。压电致动结构包括第一驱动臂和第二驱动臂，第一驱动臂和第二驱动臂承载相应的压电材料区并且在旋转轴线的相对侧延伸。第一驱动臂和第二驱动臂被刚性地耦合至固定结构并且被弹性地耦合至可倾斜结构。在操作期间，止动结构限制可倾斜结构相对于致动结构沿着垂直于旋转轴线的平面方向的运动。止动结构具有被形成在第一驱动臂与可倾斜结构之间的第一平面止动元件以及被形成在第二驱动臂与可倾斜结构之间的第二平面止动元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111751980B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202010231155.1
申请日：2020-03-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G02B26/08
Abstract: 本公开的实施例涉及具有可倾斜的受压电控制的结构的谐振MEMS设备。MEMS设备形成在半导体材料的裸片中，该裸片具有在其中限定的腔并且具有锚固部分。可倾斜结构弹性地悬挂在腔之上，并且具有在水平平面中的主延伸部。第一和第二支撑臂在锚固部分与可倾斜结构的相对侧之间延伸。第一和第二谐振压电致动结构旨在被偏置，从而引起可倾斜结构绕旋转轴线的旋转。第一支撑臂由第一和第二扭转弹簧形成，第一和第二扭转弹簧对于从水平平面离开的运动是刚性的、并且顺从于绕旋转轴线的扭转，并且第一和第二扭转弹簧在约束区域处耦合在一起。第一和第二谐振压电致动结构在第一支撑臂的第一侧和第二侧上，在锚固部分与约束结构之间延伸。
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公开(公告)号：CN111751980A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010231155.1
申请日：2020-03-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G02B26/08
Abstract: 本公开的实施例涉及具有可倾斜的受压电控制的结构的谐振MEMS设备。MEMS设备形成在半导体材料的裸片中，该裸片具有在其中限定的腔并且具有锚固部分。可倾斜结构弹性地悬挂在腔之上，并且具有在水平平面中的主延伸部。第一和第二支撑臂在锚固部分与可倾斜结构的相对侧之间延伸。第一和第二谐振压电致动结构旨在被偏置，从而引起可倾斜结构绕旋转轴线的旋转。第一支撑臂由第一和第二扭转弹簧形成，第一和第二扭转弹簧对于从水平平面离开的运动是刚性的、并且顺从于绕旋转轴线的扭转，并且第一和第二扭转弹簧在约束区域处耦合在一起。第一和第二谐振压电致动结构在第一支撑臂的第一侧和第二侧上，在锚固部分与约束结构之间延伸。
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公开(公告)号：CN115268059A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210472853.X
申请日：2022-04-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及制造微机电反射镜器件的方法和微机电反射镜器件。一种用于制造微机电反射镜器件的工艺，包括：在半导体晶片中，限定支撑框架、连接到所述支撑框架以便可围绕至少一个旋转轴线定向的板、以及从所述支撑框架延伸并耦合到所述板的悬臂结构，使得所述悬臂结构的弯曲引起所述板围绕所述至少一个旋转轴线的旋转。该工艺还包括在悬臂结构上形成压电致动器，在支撑框架上形成焊盘，以及形成比形成压电致动器的层堆叠和焊盘二者更多地从支撑框架突出的间隔件结构。
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公开(公告)号：CN115248499A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210451681.8
申请日：2022-04-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例总体上涉及具有压电致动以及改进的张角的微机电反射镜器件。一种微机电反射镜器件包括限定腔的固定结构、弹性地悬置在腔上方并且承载反射表面并且具有在水平平面中的主延伸的可倾斜结构。第一对驱动臂弹性地耦接到可倾斜结构，并且承载相应的压电材料区域，该压电材料区域被偏置以引起可倾斜结构围绕平行于水平平面的第一水平轴线的第一旋转轴线旋转。在第一旋转轴线处将可倾斜结构耦接到固定结构的弹性悬置元件相对于离开水平平面的移动是刚性的且相对于围绕第一旋转轴线的扭转是柔性的，并且还在可倾斜结构和固定结构之间延伸。弹性悬置元件沿第一旋转轴线在可倾斜结构的相对侧具有不对称的布置方式。
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