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公开(公告)号：CN112672260B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202011112281.1
申请日：2020-10-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了一种换能器、包括换能器的MEMS设备及用于制造换能器的方法。换能器包括支撑体和机械地耦合到支撑体的悬置结构。悬置结构具有沿轴线彼此相对的第一表面和第二表面，并且被配置为在具有与轴线平行的至少一个分量的振荡方向上振荡。第一压电换能器被布置在该悬置结构的第一表面上，并且第二压电换能器被布置在该悬置结构的第二表面上。
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公开(公告)号：CN109511066B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201811076753.5
申请日：2018-09-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本文提供了用于制造薄过滤膜的方法以及包括过滤膜的声学换能器装置。一种制造过滤模块的方法，其包括以下步骤：形成多层体，其包括半导体材料的并且具有小于10μm的厚度的过滤层、耦合到过滤层的第一侧的第一结构层、以及耦合到过滤层的与第一侧相对的第二侧的第二结构层；在第一结构层中形成凹部，该凹部在其整个厚度上延伸；去除过滤层的通过凹部暴露的选择性部分，以形成多个开口，这些开口在过滤层的整个厚度上延伸；以及完全去除第二结构层以流体地连接过滤层的第一侧和第二侧，从而形成设计用于限制污染颗粒通过的过滤膜。
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公开(公告)号：CN117375336A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310828917.X
申请日：2023-07-07
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及制造用于电机的定子的方法、定子以及电机。用于电动致动器或电机的定子，包括：固体主体；铁磁芯区域，在半导体材料层之间，与半导体材料层电绝缘；多个导电通孔，穿过固体主体；第一多个导电带，在芯之上彼此平行地延伸；以及第二多个导电带，在芯之上彼此平行地延伸并且与第一多个导电带相对；其中第一多个导电带、多个导电通孔以及第二多个导电带形成定子的绕组或线圈。
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公开(公告)号：CN116203716A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211518041.0
申请日：2022-11-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 提供具有旋转屏蔽结构的微机电光学快门和相关制造工艺。MEMS快门包括：由主要孔径穿过的半导体材料的衬底，和形成固定到衬底的支撑结构的第一半导体层和第二半导体层；多个可变形结构；多个致动器；以及多个屏蔽结构，多个屏蔽结构中的每个屏蔽结构由第一半导体层与第二半导体层之间的至少一者的对应部分形成，屏蔽结构被布置为成角度地围绕底层主要孔径以便提供对主要孔径的屏蔽，每个屏蔽结构经由对应可变形结构进一步耦合到支撑结构。每个致动器可以被控制以便引起对应屏蔽结构在相应第一位置与相应第二位置之间的旋转，从而改变对主要孔径的屏蔽。屏蔽结构的第一和第二位置使得在MEMS快门的至少一种操作条件下相邻屏蔽结构对至少部分地彼此重叠。
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公开(公告)号：CN115403001A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210583496.4
申请日：2022-05-25
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例总体上涉及用于制造组合微机电器件的方法和对应组合微机电器件。一种用于制造组合微机电器件的方法包括：在半导体材料的管芯中形成至少第一微机电结构和第二微机电结构；执行第一结合阶段以经由结合区域或粘合剂将盖结合到管芯以至少分别在第一微机电结构和第二微机电结构处限定第一腔和第二腔，腔处于受控压力下；形成通过盖的与第一腔流体连通的进入通道，以便关于第二腔内的相应压力值以不同方式来控制第一腔内的压力值；以及执行第二结合阶段，之后，结合区域变形以关于进入通道气密地封闭第一腔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112672260A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011112281.1
申请日：2020-10-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了一种换能器、包括换能器的MEMS设备及用于制造换能器的方法。换能器包括支撑体和机械地耦合到支撑体的悬置结构。悬置结构具有沿轴线彼此相对的第一表面和第二表面，并且被配置为在具有与轴线平行的至少一个分量的振荡方向上振荡。第一压电换能器被布置在该悬置结构的第一表面上，并且第二压电换能器被布置在该悬置结构的第二表面上。
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公开(公告)号：CN117383505A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202310839604.4
申请日：2023-07-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及包括可变形结构的MEMS设备以及MEMS设备的制造方法。MEMS设备包括：半导体主体，限定主腔，并且形成锚固结构；以及第一可变形结构，沿第一轴具有彼此相对的第一端和第二端，第一可变形结构经由第一端而被固定到锚固结构，以被悬置在主腔之上。第二端被配置为相对于锚固结构，沿第二轴振荡。第一可变形结构包括具有第一外表面和第二外表面的主体，以及在第一外表面之上延伸的压电结构。主体包括沿第二轴界定第一掩埋腔的底部部分和顶部部分，第一掩埋腔沿第二轴与压电结构对准，其中主体的顶部部分沿第二轴的最大厚度小于主体的底部部分沿第二轴的最小厚度。
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公开(公告)号：CN113351458A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110247160.6
申请日：2021-03-05
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B06B1/06
Abstract: 本公开的实施例涉及压电式机械换能器。提供了一种用于制造包括位于膜元件处的压电元件的PMUT器件的方法。方法包括接收绝缘体上硅基底，具有第一硅层、氧化物层和第二硅层。通过移除第一硅层的暴露侧部分和氧化物层的对应的部分来暴露第二硅层的第一表面的部分，并且限定包括第一硅层和氧化物层的剩余部分的中心部分。用于膜元件的锚定部分在第二硅层的第一表面的暴露部分处形成。压电元件在中心部分的上方形成，并且膜元件通过选择性地移除第二层并且从第一硅层的剩余部分下方移除氧化物的剩余部分来限定。
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公开(公告)号：CN112583372A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011052268.1
申请日：2020-09-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例涉及压电微机电谐振器设备以及对应的制造过程。微机电谐振器设备具有：主体，具有沿竖直轴彼此相对的第一表面和第二表面，并且由第一层和第二层制成，第二层被布置在第一层上；盖，具有沿竖直轴彼此相对的第一表面和相应第二表面，并通过键合元件被耦合到主体；以及由移动元件、压电材料区域和顶部电极形成的压电谐振器结构，移动元件由第一层的谐振器部分构成、相对于第二层中提供的内部腔以悬臂方式悬置并且相对于盖中提供的壳体腔在相对侧悬置；压电材料区域被布置在主体的第一表面上的移动元件上；并且顶部电极被布置在压电材料区域上，移动元件构成压电谐振器结构的底部电极。
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公开(公告)号：CN117594374A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311002468.X
申请日：2023-08-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： F·韦尔切西 , G·加特瑞 , G·阿勒加托 , M·阿兹佩蒂亚·尤尔奎亚 , A·达内伊
Abstract: 一种微机电按钮器件设置有检测结构，检测结构具有：具有前表面和后表面的半导体材料的衬底；被布置在衬底上的掩埋电极；被布置在结构层中的移动电极，移动电极覆盖在衬底上并且以分离距离弹性地悬置在掩埋电极上方以形成检测电容器；以及帽，帽耦合在结构层之上并且具有面对结构层的第一主表面和第二主表面，帽被设计为机械耦合到便携式或可佩戴型电子装置的外壳的可变形部分。帽在其第一主表面上具有致动部分，致动部分被布置在移动电极上并且被配置为在施加在第二主表面上的压力存在的情况下引起移动电极向掩埋电极的偏转和接近，从而引起检测电容器的电容变化，电容变化指示微机电按钮器件的致动。
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