公开(公告)号：CN111146139A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201911073157.6

申请日：2019-11-05

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： R·安扎隆 ,  N·法拉泽托

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开的各实施例涉及用于制造晶片的装置和方法。各种实施例提供了用于制造诸如SiC晶片的晶片的装置和方法。装置包括具有多个用于支撑基板的臂的支撑件。臂允许支撑件和基板之间的物理接触最小化。结果，当基板熔化时，臂和所融化的材料之间的表面张力减小，并且所融化的材料将不太可能粘附到支撑件上。

公开(公告)号：CN112447581A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010915041.9

申请日：2020-09-03

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： R·安扎隆 ,  N·法拉泽托 ,  F·拉维亚

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L21/205 ,  C30B25/08 ,  C30B29/36

Abstract: 本公开的实施例涉及用于生长半导体晶片的装置和相关联的制造方法。一种用于生长特别是碳化硅的半导体晶片的装置，其中腔室容纳收集容器、以及被布置在容器之上的支撑件或衬托器。支撑件由围绕开口的框架形成，该开口接纳多个臂和座。框架具有彼此相对的第一表面和第二表面，其中框架的第一表面面对支撑件。臂由从框架延伸到开口中的悬臂杆形成，臂具有比框架小的最大高度，并且在顶部具有搁置边缘。臂的搁置边缘限定了搁置表面，该搁置表面在比框架的第二表面低的水平处。座具有由搁置表面形成的底部。

公开(公告)号：CN114561705B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202111421201.5

申请日：2021-11-26

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： R·安扎隆 ,  F·拉维亚

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/02

Abstract: 本公开的各实施例涉及具有残余应力控制的SiC晶片的制造方法。一种SiC晶片的制造方法包括以下步骤：将支撑件引入反应室；在支撑件上形成第一SiC层；将支撑件与第一SiC层分离；在第一SiC层上生长第二SiC层，包括将具有第一电导性的第一掺杂剂的气相的前体引入反应室以在第二SiC层中生成第一应力；并且将具有与第一电导性相对的第二电导性的第二掺杂剂的气相的前体引入反应室中以在第二SiC层中生成第二应力，第二应力与第一应力相对并且平衡第一应力。SiC晶片因此没有翘曲的影响。

公开(公告)号：CN114561705A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202111421201.5

申请日：2021-11-26

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： R·安扎隆 ,  F·拉维亚

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/02

Abstract: 本公开的各实施例涉及具有残余应力控制的SiC晶片的制造方法。一种SiC晶片的制造方法包括以下步骤：将支撑件引入反应室；在支撑件上形成第一SiC层；将支撑件与第一SiC层分离；在第一SiC层上生长第二SiC层，包括将具有第一电导性的第一掺杂剂的气相的前体引入反应室以在第二SiC层中生成第一应力；并且将具有与第一电导性相对的第二电导性的第二掺杂剂的气相的前体引入反应室中以在第二SiC层中生成第二应力，第二应力与第一应力相对并且平衡第一应力。SiC晶片因此没有翘曲的影响。

公开(公告)号：CN210956633U

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201921892292.9

申请日：2019-11-05

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： R·安扎隆 ,  N·法拉泽托

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开的各实施例涉及支撑件和用于制造晶片的装置。各种实施例提供了用于制造诸如SiC晶片的晶片的装置。装置包括具有多个用于支撑基板的臂的支撑件。臂允许支撑件和基板之间的物理接触最小化。结果，当基板熔化时，臂和所融化的材料之间的表面张力减小，并且所融化的材料将不太可能粘附到支撑件上。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN212750852U

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202021901524.5

申请日：2020-09-03

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： R·安扎隆 ,  N·法拉泽托 ,  F·拉维亚

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L21/205 ,  C30B25/08 ,  C30B29/36

Abstract: 本公开的实施例涉及用于生长半导体晶片的装置和支撑件。一种用于生长特别是碳化硅的半导体晶片的装置，其中腔室容纳收集容器、以及被布置在容器之上的支撑件或衬托器。支撑件由围绕开口的框架形成，该开口接纳多个臂和座。框架具有彼此相对的第一表面和第二表面，其中框架的第一表面面对支撑件。臂由从框架延伸到开口中的悬臂杆形成，臂具有比框架小的最大高度，并且在顶部具有搁置边缘。臂的搁置边缘限定了搁置表面，该搁置表面在比框架的第二表面低的水平处。座具有由搁置表面形成的底部。