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公开(公告)号:CN103827673B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201280042181.3
申请日:2012-08-31
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 米兰综合工科大学
IPC: G01P15/097
CPC classification number: G01P15/0975 , G01P15/097
Abstract: 本发明提供一种用于z轴谐振加速度计(24)的检测结构(1),具有惯性质量体(2),其借助弹性锚定件元件(6)锚定到衬底(20),以便悬置在衬底(20)上方,并且响应于沿关于平面(xy)横切的垂直轴(z)作用的外部加速度(az)来执行绕第一旋转轴(A)的旋转的惯性移动;以及第一谐振器元件(10a)和第二谐振器元件(10b),其通过相应弹性支撑元件(16)机械耦合到惯性质量体(2),这实现在谐振情况下的绕第二旋转轴(B)和第三旋转轴(C)的旋转的移动。具体地,第二旋转轴(B)和第三旋转轴(C)相互平行,并且还平行于惯性质量体(2)的第一旋转轴(A)。
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公开(公告)号:CN101239698A
公开(公告)日:2008-08-13
申请号:CN200810085607.9
申请日:2008-01-21
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B81B7/00
CPC classification number: B81B3/0051 , B81B2201/0235 , G01P15/0802 , G01P2015/0831
Abstract: 在微机电装置(1)中,移动块(2)通过弹性悬挂元件(5)悬挂在衬底(3)上方,并且可以围绕所述弹性悬挂元件(5)旋转,覆盖结构(10)设置在移动块(2)上方并且具有朝向移动块(2)的内表面(10a),以及止动结构(12,14)布置在所述覆盖结构(10)的内表面(10a)处并且向移动块(2)延伸,从而停止移动块(10)沿着衬底(3)的横截轴(z)远离衬底(3)的移动。相对于移动块(2)布置止动结构(12,14)从而减少相互的静电作用的影响,特别是使移动块(2)关于弹性悬挂元件(5)的合成扭矩最小化。
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公开(公告)号:CN111704104A
公开(公告)日:2020-09-25
申请号:CN202010562184.6
申请日:2016-09-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及一种用于制造MEMS压力传感器的方法和相应的MEMS压力传感器。一种用于制造具有微机械结构的MEMS压力传感器的方法设想:提供具有半导体材料的和顶表面的衬底的晶片;形成掩埋腔,该掩埋腔被完全包含在衬底内并且由悬挂在掩埋腔上方的薄膜与顶表面分隔开;形成用于以必须要确定其的值的一压力设定的薄膜与外部环境的流体连通的流体连通通路;形成被悬挂在薄膜上方的由导电材料制成的由空白空间与薄膜分隔开的板区;以及形成用于薄膜和板区的电连接的电接触元件,该电接触元件被设计为形成感测电容器(C)的板,感测电容器的电容值指示要被检测的压力的值。此外,描述了具有微机械结构的对应的MEMS压力传感器。
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公开(公告)号:CN107265395B
公开(公告)日:2020-07-21
申请号:CN201610868540.0
申请日:2016-09-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于制造具有微机械结构(35)的MEMS压力传感器(42)的方法设想:提供具有半导体材料的和顶表面(2a)的衬底(2)的晶片(1);形成掩埋腔(10),该掩埋腔被完全包含在衬底内并且由悬挂在掩埋腔上方的薄膜(12)与顶表面分隔开;形成用于以必须要确定其的值的一压力设定的薄膜与外部环境的流体连通的流体连通通路(22;37);形成被悬挂在薄膜上方的由导电材料制成的由空白空间(24)与薄膜分隔开的板区(30);以及形成用于薄膜和板区的电连接的电接触元件(30a、30b),该电接触元件被设计为形成感测电容器(C)的板,感测电容器的电容值指示要被检测的压力的值。此外,描述了具有微机械结构的对应的MEMS压力传感器。
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公开(公告)号:CN102116851B
公开(公告)日:2014-12-03
申请号:CN201010592331.0
申请日:2010-12-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01R33/02
CPC classification number: G01R33/0286 , G01R33/0005 , G01R33/028 , G01R33/038
Abstract: 本发明的实施方式涉及以MEMS技术制造的半导体材料的集成三轴磁力计。具体地,配置两个悬挂物体(1、3),使其由沿相互横贯方向在磁力计平面中流动的相应电流(I)流过,并且电容耦合至下部电极(18b)。移动传感电极(11)由第一悬挂物体(1)承载,并且电容耦合至相应的固定传感电极(12)。第一悬挂物体(1)配置为:当在第一水平方向(X)中具有分量的磁场存在时,沿横贯平面的方向移动。第二悬挂物体(3)配置为:当在第二水平方向(Y)中具有分量的磁场存在时,沿横贯平面的方向移动。并且第一悬挂物体配置为:当在垂直方向(Z)中具有分量的磁场存在时,沿平行于平面并且横贯在第一悬挂物体中流动的电流的方向移动。
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公开(公告)号:CN103827673A
公开(公告)日:2014-05-28
申请号:CN201280042181.3
申请日:2012-08-31
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 米兰综合工科大学
IPC: G01P15/097
CPC classification number: G01P15/0975 , G01P15/097
Abstract: 本发明提供一种用于z轴谐振加速度计(24)的检测结构(1),具有惯性质量体(2),其借助弹性锚定件元件(6)锚定到衬底(20),以便悬置在衬底(20)上方,并且响应于沿关于平面(xy)横切的垂直轴(z)作用的外部加速度(az)来执行绕第一旋转轴(A)的旋转的惯性移动;以及第一谐振器元件(10a)和第二谐振器元件(10b),其通过相应弹性支撑元件(16)机械耦合到惯性质量体(2),这实现在谐振情况下的绕第二旋转轴(B)和第三旋转轴(C)的旋转的移动。具体地,第二旋转轴(B)和第三旋转轴(C)相互平行,并且还平行于惯性质量体(2)的第一旋转轴(A)。
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公开(公告)号:CN107265395A
公开(公告)日:2017-10-20
申请号:CN201610868540.0
申请日:2016-09-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于制造具有微机械结构(35)的MEMS压力传感器(42)的方法设想:提供具有半导体材料的和顶表面(2a)的衬底(2)的晶片(1);形成掩埋腔(10),该掩埋腔被完全包含在衬底内并且由悬挂在掩埋腔上方的薄膜(12)与顶表面分隔开;形成用于以必须要确定其的值的一压力设定的薄膜与外部环境的流体连通的流体连通通路(22;37);形成被悬挂在薄膜上方的由导电材料制成的由空白空间(24)与薄膜分隔开的板区(30);以及形成用于薄膜和板区的电连接的电接触元件(30a、30b),该电接触元件被设计为形成感测电容器(C)的板,感测电容器的电容值指示要被检测的压力的值。此外,描述了具有微机械结构的对应的MEMS压力传感器。
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公开(公告)号:CN101239698B
公开(公告)日:2012-08-08
申请号:CN200810085607.9
申请日:2008-01-21
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0051 , B81B2201/0235 , G01P15/0802 , G01P2015/0831
Abstract: 在微机电装置(1)中,移动块(2)通过弹性悬挂元件(5)悬挂在衬底(3)上方,并且可以围绕所述弹性悬挂元件(5)旋转,覆盖结构(10)设置在移动块(2)上方并且具有朝向移动块(2)的内表面(10a),以及止动结构(12,14)布置在所述覆盖结构(10)的内表面(10a)处并且向移动块(2)延伸,从而停止移动块(10)沿着衬底(3)的横截轴(z)远离衬底(3)的移动。相对于移动块(2)布置止动结构(12,14)从而减少相互的静电作用的影响,特别是使移动块(2)关于弹性悬挂元件(5)的合成扭矩最小化。
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公开(公告)号:CN102116851A
公开(公告)日:2011-07-06
申请号:CN201010592331.0
申请日:2010-12-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01R33/02
CPC classification number: G01R33/0286 , G01R33/0005 , G01R33/028 , G01R33/038
Abstract: 本发明的实施方式涉及以MEMS技术制造的半导体材料的集成三轴磁力计。具体地,配置两个悬挂物体(1、3),使其由沿相互横贯方向在磁力计平面中流动的相应电流(I)流过,并且电容耦合至下部电极(18b)。移动传感电极(11)由第一悬挂物体(1)承载,并且电容耦合至相应的固定传感电极(12)。第一悬挂物体(1)配置为:当在第一水平方向(X)中具有分量的磁场存在时,沿横贯平面的方向移动。第二悬挂物体(3)配置为:当在第二水平方向(Y)中具有分量的磁场存在时,沿横贯平面的方向移动。并且第一悬挂物体配置为:当在垂直方向(Z)中具有分量的磁场存在时,沿平行于平面并且横贯在第一悬挂物体中流动的电流的方向移动。
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公开(公告)号:CN206126837U
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201621095937.2
申请日:2016-09-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种具有微机械结构(35)的MEMS压力传感器(42),包括:本体(34),包括半导体材料并且具有顶表面(2a);掩埋腔(10),被完全包含在所述本体(34)内并且由悬挂在所述掩埋腔(10)上方的薄膜(12)与所述顶表面(2a)分隔开;流体连通通路(22;37),用于所述薄膜(12)与外部环境的流体连通,所述流体连通通路被设定在必须要确定其值的压力上;板区(30),由导电材料制成、被悬挂在所述薄膜(12)上方并且由空白空间(24)与所述薄膜(12)分隔开;以及电接触元件(30a、30b),用于所述薄膜(12)和所述板区(30)的电连接,所述电接触元件被设计为形成感测电容器(C)的板,所述感测电容器的电容值指示要被检测的压力的值。
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