点积引擎忆阻器交叉开关阵列、系统和存储介质

    公开(公告)号:CN111755062B

    公开(公告)日:2022-04-19

    申请号:CN202010130462.0

    申请日:2020-02-28

    Abstract: 本公开涉及自修复点积引擎。一种DPE忆阻器交叉开关阵列系统包括多个分区忆阻器交叉开关阵列。所述多个分区忆阻器交叉开关阵列中的每一个包括主忆阻器交叉开关阵列和后备忆阻器交叉开关阵列。所述后备忆阻器交叉开关阵列包括在数学上与所述主忆阻器交叉开关阵列内的值相关的值。另外,所述多个分区忆阻器交叉开关阵列包括耦接到所述多个分区忆阻器交叉开关阵列的共享模拟电路块。所述共享模拟电路块用于确定由所述多个分区忆阻器交叉开关阵列中的至少一个分区忆阻器交叉开关阵列生成的电压值的点积值。

    用于忆阻器阵列接口的竖直JFET器件

    公开(公告)号:CN112005382A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN201880092620.9

    申请日:2018-04-27

    Abstract: 提供了器件和方法。在一个方面,一种用于驱动忆阻器阵列的器件包括衬底,该衬底包括具有底部层、第一壁以及第二壁的阱。衬底由第一半导体材料制成的应变层形成。在阱中形成竖直JFET。竖直JFET包括形成在阱的中间部分中的竖直栅极区,其中,栅极区高度小于阱的深度。沟道区由第二半导体制成的外延层形成,该外延层围绕竖直栅极区。竖直源极区形成在竖直栅极区的第一端的两侧上,并且竖直漏极区形成在竖直栅极区的第二端的两侧上。

    卷积神经网络
    5.
    发明公开
    卷积神经网络 审中-公开

    公开(公告)号:CN111971692A

    公开(公告)日:2020-11-20

    申请号:CN201880092386.X

    申请日:2018-04-30

    Abstract: 一种卷积神经网络系统,包括:卷积神经网络的第一部件,该第一部件包括初始处理器,该初始处理器被配置为处理输入数据集合,并且在卷积神经网络的第一部件中存储权重因子集合;以及卷积神经网络的第二部件,该第二部件包括主计算系统,该主计算系统被配置为处理从卷积神经网络的第一部件提供的导出数据集合。

    提供大规模机器学习推理应用的多裸片点积引擎

    公开(公告)号:CN114168521A

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202110425428.0

    申请日:2021-04-20

    Abstract: 提供了用于提供大规模机器学习推理应用的多裸片点积引擎(DPE)的系统和方法。所述多裸片DPE利用多芯片架构。例如,多芯片接口可以包括多个DPE芯片,其中每个DPE芯片执行用于执行深度学习操作的推理计算。在推理操作期间,主机计算机的存储器与所述多个DPE芯片之间的硬件接口将所述多个DPE芯片可通信地连接至所述主机计算机系统的存储器,使得所述深度学习操作横跨所述多个DPE芯片。由于所述多裸片架构,允许使用多个硅器件进行推理,从而实现大规模机器学习应用和复杂深度神经网络的高能效推理。所述多裸片DPE可用于构建多设备DNN推理系统,该系统可高精度执行特定的应用,例如对象识别。

    自修复点积引擎
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111755062A

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN202010130462.0

    申请日:2020-02-28

    Abstract: 本公开涉及自修复点积引擎。一种DPE忆阻器交叉开关阵列系统包括多个分区忆阻器交叉开关阵列。所述多个分区忆阻器交叉开关阵列中的每一个包括主忆阻器交叉开关阵列和后备忆阻器交叉开关阵列。所述后备忆阻器交叉开关阵列包括在数学上与所述主忆阻器交叉开关阵列内的值相关的值。另外,所述多个分区忆阻器交叉开关阵列包括耦接到所述多个分区忆阻器交叉开关阵列的共享模拟电路块。所述共享模拟电路块用于确定由所述多个分区忆阻器交叉开关阵列中的至少一个分区忆阻器交叉开关阵列生成的电压值的点积值。

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