防草地膜
    1.
    发明公开
    防草地膜 审中-实审

    公开(公告)号:CN118435822A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410648018.6

    申请日:2024-05-23

    摘要: 本发明提供一种防草地膜,主要是由一上膜、一中膜及一下膜所组成的三层黏合膜,上膜的材质为聚烯烃,上膜含重量百分率不超过50%的无机粉体或无机层状材料及重量百分率不超过5%的紫外线吸收剂,厚度为20~200μm,中膜的材质为具网状架构的聚烯烃,中膜含重量百分率不超过50%的无机粉体或无机层状材料及重量百分率不超过5%的紫外线吸收剂,厚度为50~400μm,下膜的材质为聚烯烃,下膜含重量百分率不超过50%的无机粉体或无机层状材料及重量百分率不超过5%的紫外线吸收剂,厚度为20~200μm,三层黏合膜上设有复数个贯穿上膜、中膜及下膜的孔洞,如此,即为一可有效抑制杂草生长的防草地膜。

    废硅泥再利用的处理方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110002450A

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201910027727.1

    申请日:2019-01-11

    IPC分类号: C01B33/12

    摘要: 本发明公开了一种废硅泥再利用的处理方法,其方法如下:(1)将废硅泥依次置入第一反应槽、第二反应槽、第三反应槽、第四反应槽以及第五反应槽内分别进行清洗、磁选、清洗、酸洗以及清洗的处理步骤;(2)将得自步骤(1)的废硅泥以固液比1:5~50的比例与去离子水混合调成泥浆,并加入分散剂进行分散;(3)将得自步骤(2)的泥浆以高压喷入一反应室内,在该反应室内,该泥浆经氧化反应形成二氧化硅颗粒;(4)将得自步骤(3)的颗粒以旋风集尘器收集,可得高纯度微米级的二氧化硅粉粒;(5)将得自步骤(4)的粉粒进行粒径分级,可得粒度均匀且大于99%的高纯度二氧化硅粉体;如此,该高纯度二氧化硅粉体可广泛运用于工业填充材,可使废硅泥资源化再利用。

    废硅泥再利用的处理方法

    公开(公告)号:CN110205440A

    公开(公告)日:2019-09-06

    申请号:CN201811261019.6

    申请日:2018-10-26

    IPC分类号: C21C7/00 C01B32/956

    摘要: 本发明公开了一种废硅泥再利用的处理方法,其方法如下:(1)废硅泥:废硅泥成分为碳化硅,其中硅含量大于80%w/w,且不含切削油成分,含液量小于70%w/w;(2)混练:向该废硅泥中添加黏结剂进行混练,所添加的黏结剂含量小于2%w/w,混练时间为30~60分钟,该废硅泥与该黏结剂混练后得一均匀混合体;(3)成型造粒:将步骤(2)所得的该混合体经一热压成型装置加热加压塑型造粒,热压制程的温度范围为150℃~300℃,该热压制程的压力范围为5~20Mpa,造粒后得到颗粒大小为1cm~5cm的固化体;(4)干燥:将步骤(3)所得的该固化体经干燥装置进行20~60分钟的干燥,干燥温度为100℃~150℃;(5)冷却:干燥后的该固化体经冷却后,得含液量小于4%w/w的硅碇;如此,该硅碇用于钢铁业作为升温剂或还原剂,可使废硅泥资源化再利用。

    废弃封装材的二氧化硅再生方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110203934A

    公开(公告)日:2019-09-06

    申请号:CN201810777954.1

    申请日:2018-07-16

    IPC分类号: C01B33/12

    摘要: 本发明公开了一种废弃封装材的二氧化硅再生方法,其方法如下:(1)破碎:将废弃封装材进行破碎;(2)纯化:将(1)所得的粉粒进行脱碳纯化;(3)超音波清洗:将(2)所得的粉粒置入超音波清洗槽内进行清洗;(4)磁选:将(3)所得的粉粒进行磁选;(5)第一次水清洗:将(4)磁选后所得的粉粒进行5~15分钟的清洗;(6)酸洗:将(5)清洗后所得的粉粒进行5~15分钟的酸洗;(7)第二次水清洗:将(6)酸洗后所得的粉粒以纯水进行15~30分钟的清洗;(8)烘干:将(7)水清洗后的粉粒以100~150℃烘干30~200分钟;(9)粒径分级:将(8)烘干后所得的粉粒进行粒径分级,可得粒度均匀的高纯度二氧化硅粉体;如此,所得的高纯度二氧化硅粉体可作为耐火材料、工业用填充材、陶瓷材料等的原料,可使废弃封装材资源化再利用。

    废弃封装材的二氧化硅再生方法

    公开(公告)号:CN110040735A

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201910257860.6

    申请日:2019-04-01

    IPC分类号: C01B33/12

    摘要: 本发明公开了一种废弃封装材的二氧化硅再生方法,其方法如下:(1)破碎:将废弃封装材进行破碎;(2)纯化:将步骤(1)所得的粉粒置于承载盘,置入一气氛控制的加热装置进行脱碳纯化,经加热至600~950℃,时间为15~480分钟,可得成分大于90%的白色二氧化硅固体;(3)粒径分级:将步骤(2)纯化后所得的粉粒进行粒径分级,可得粒度均匀且纯度大于90%的二氧化硅产品;如此,所得的二氧化硅产品可作为耐火材料、工业用填充材、陶瓷材料等的原料,可使废弃封装材资源化再利用。

    半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法

    公开(公告)号:CN112499636A

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN202011254808.4

    申请日:2020-11-11

    IPC分类号: C01B33/18

    摘要: 本发明公开了一种半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法,其方法如下:将废弃封装材进行破碎;将所得的封装材碎片置于承载盘,置入一烘箱进行裂化处理,使热固性树脂产生缺陷或裂隙,或使热固性树脂与二氧化硅粉体的接口产生裂隙或分离;将裂化处理所得的封装材碎片,置入加热分解槽,再加入分解液进行分解;将已分解完成的封装材及分解液,以第一压滤机过滤,得到二氧化硅滤饼,将此滤饼置入清洗槽以纯水进行搅拌清洗;将清洗完成的二氧化硅以第二压滤机过滤,得到白色的二氧化硅滤饼;将所得的二氧化硅滤饼进行烘干;将所得的块状二氧化硅进行破碎及分级,如此,可得到纯度大于99%的高纯度二氧化硅粉体。

    半导体废硅泥的二氧化硅再生方法

    公开(公告)号:CN112919477B

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202110268385.X

    申请日:2021-03-12

    IPC分类号: C01B33/12

    摘要: 本发明公开了一种半导体废硅泥的二氧化硅再生方法,其方法如下:将废硅泥进行第一次干燥,干燥条件为150~300℃,干燥时间为1~3小时,得硅泥固体;将所得的硅泥固体置入第一搅拌装置内,并加入第一浸渍溶液进行第一次搅拌;将所得之物进行第一次过滤及清洗;将所得之物进行第二次干燥;将所得之物置入第二搅拌装置中进行纯化,并加入第二浸渍溶液进行第二次搅拌;将所得之物进行第二次过滤及清洗;将所得之物进行第三次干燥;将所得之物进行研磨,使颗粒通过100mesh筛网,剩余颗粒大于100mesh的固体则继续研磨,即可得到粒度均匀且二氧化硅含量大于90%的粉体。

    太阳能废板的再利用方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116393481A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202211573885.5

    申请日:2022-12-08

    IPC分类号: B09B3/30 B09B3/35 B09B101/15

    摘要: 本发明提供一种太阳能废板的再利用方法,包括:以雷射或钻石切割太阳能废板的最大面积的玻璃板,拆除铝框,再利用砂轮设备去除该玻璃板表面的背板、电池片和导线等非玻璃部分,所得的玻璃板片经表面抛光恢复亮面后,经尺寸加工裁切与多层玻璃板片复合,制成建材,具有低碳建材的效益;另将剩下的铝框与被铝框夹着的玻璃部分破碎,使铝与玻璃分离,再利用涡电流分离铝与碎玻璃,所得的铝可重新熔炼,碎玻璃可做级配料,而经过砂轮设备去除的背板、电池片和导线所获得的研磨屑料,再经过浮选技术分离回收塑料(背板)、硅(电池片)、金属(导线),可全量回收各材料,保留太阳能废板每个材质的最大效益。

    半导体化学机械研磨污泥资源化方法

    公开(公告)号:CN116119706A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202310075838.6

    申请日:2023-02-07

    IPC分类号: C01G3/10 C01B33/12

    摘要: 本发明公开了一种半导体化学机械研磨污泥资源化方法,其半导体CMP污泥为含水率达30%~80%的CMP污泥,步骤如下:(1)将CMP污泥干燥除水,得固体污泥;(2)将步骤(1)所得的固体污泥置入一高温炉焙烧;(3)将步骤(2)焙烧后所得的固体污泥置入反应槽内,并加入浸渍液浸渍;(4)将步骤(3)的浸渍产物固液分离,得到固体和液体;(5)将步骤(4)所得的液体送至浓缩系统浓集反应,可得到硫酸铜水溶液副产品;(6)将步骤(4)所得的固体取出后,加入水清洗;(7)将步骤(6)所得的产物脱水;(8)步骤(7)所得的固体即为产品,其干基的二氧化硅及氧化铝总和大于94%。