-
公开(公告)号：CN116566408A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310534727.7
申请日：2023-05-12
申请人： 成都信息工程大学
摘要： 本发明公开了一种基于变压器的噪声消除结构接收机前端电路，包括低噪声跨导放大电路、无源混频器、跨阻放大器。本发明设置的低噪声跨导放大电路使用共源共栅cascode级联结构，不仅实现了噪声消除，而且cascode级联实现了两路差分电流的输出，在输入端采用变压器耦合的方式，增加输入端的等效跨导达到功耗减少效果，基带跨阻放大器使用两级结构，辅以前馈补偿获得大的带宽，另外，该接收机在射频频率5.5‑6.5GHz范围内达到的基带带宽为220MHz，且噪声系数低于2.45dB。
-
公开(公告)号：CN116488582A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310412455.3
申请日：2023-04-18
申请人： 成都信息工程大学
IPC分类号： H03B5/12
摘要： 本发明公开了一种基于变压器耦合的正交压控振荡器，包括若干个由NMOS管或PMOS管堆叠的F类VOC内核、开关阵列结构、三线圈耦合变压器、四个尾电流源，以及VOC内核的输出端口Voi+/Voi‑和Voq+/Voq‑；本发明基于三线圈耦合的本发明振荡器具体为12个VCO内核的立体结构，提供四路正交振荡输出信号，Voi+/Voi‑Voq+/Voq‑和低相位噪声性能；栅极、漏极的三线圈耦合使得振荡器工作在F类状态。此外，在单个振荡器差分对的尾节点使用了变压器来吸收该节点的寄生电容，等效谐振在2f0频率，避免相位噪声的退化，以及通过同向、反向耦合设置，获得了振荡器的正交输出特征，并可采用电压比特控制的电容阵列获得振荡器频率的粗调谐效果，配合变容管的细调谐效果，获得较宽的频率覆盖。
-
公开(公告)号：CN118117968A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311488738.2
申请日：2023-11-09
申请人： 成都信息工程大学
摘要： 本发明公开一种硅基毫米波信号源电路，应用于射频集成电路领域，具体的一种硅基毫米波信号源电路，包括2个VCO核、1个频率倍增电路，以及1个放大器；所述VCO输出的双端信号转为单端信号输入频率倍增电路，实现工作频率加倍，输出差分信号通过变压器耦合到放大器，信号做幅度补偿放大到接近VCO输出的信号幅度，最终输出微波信号Vo+、Vo‑。本发明采用电压比特控制的电容阵列获得振荡器频率的粗调谐效果，配合变容管的细调谐效果，获得较宽的频率覆盖，后级连接频率倍增电路，获得两倍于输入频率的差分信号输出，工作频率为2f0，末级接变压器耦合式放大器，补偿频率倍增电路的信号插损，最终输出差分毫米波信号Vo+、Vo‑。
-
公开(公告)号：CN117527026A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311488733.X
申请日：2023-11-09
申请人： 成都信息工程大学
摘要： 本发明公开一种毫米波抗干扰CMOS集成接收机前端电路，包括：低噪声跨导放大电路Gm、无源混频器、跨阻放大器、本振信号驱动器。本发明采用LNA前置架构，包含了低噪声跨导电路、N‑path混频器、跨阻放大器等电路，这项工作的工作频率范围在21‑32GHz内，低噪声跨导电路采用噪声消除结构，使其在输出端表现出极低的噪声系数，N‑path混频器中的MOS晶体管工作在近似Vth+0.7ALO的偏置条件下，有效解决了I/Q基带之间干扰的问题，提高接收机的抗干扰能力，基带部分采用了两级设计，获得了四阶巴特沃斯低通滤波器，实现的带外衰减度高达80dB/dec，有效提高接收机的抗干扰能力。
-
公开(公告)号：CN116566412A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310412263.2
申请日：2023-04-18
申请人： 成都信息工程大学
IPC分类号： H04B1/16
摘要： 本发明公开了一种CMOS集成毫米波自匹配接收机前端电路，包括：第一正交耦合器、第二正交耦合器、第一无源混频器、第二无源混频器、第一路第一级放大器、第一路第二级放大器、第二路第一级放大器、第二路第二级放大器、本振，以及输入端VRF、输入端LOIN、第一路信号、第二路信号、本振信号LO1、本振信号LO2。本发明的第一、第二级放大器即为中频放大器，其采用导数叠加结构，实现了4～12dBm的较高线性度，并且输入输出均使用正交耦合器结构，实现输入输出端口阻抗自匹配效果，保证了输入输出端良好的匹配。
-
公开(公告)号：CN117749103A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311488736.3
申请日：2023-11-09
申请人： 成都信息工程大学
IPC分类号： H03D7/14
摘要： 本发明公开一种线性度增强的CMOS混频器电路，应用于射频集成电路领域，具体的公开了一种线性度增强的CMOS混频器电路，包括射频跨导输入级、本振开关输入级、中频输出负载级、有源阻抗级。本发明使用CMOS互补的射频输入跨导级，获得电流复用和注入双重效果，降低混频器的功耗和噪声；使用反相器和电容的组合形成有源感抗，来吸收开关管尾结点的寄生电容，减小电感的直接使用带来的版图面积过大的问题；使用电容交叉耦合的有源负阻级来补偿尾结点的有限阻；有源负阻级、感抗级组合成为有源阻抗级，可以提高混频器电路的线性度。
-
-
-
-
-
搜索结果
6 条记录 (耗时 0.031 秒)
