-
公开(公告)号：CN118473375B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410918378.3
申请日：2024-07-10
申请人： 成都信息工程大学
摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种跨倍频程高精度正交产生电路及电子设备。包括无源正交产生电路、可重构正交产生电路和正交鉴相器PD。无源正交产生电路包括驱动放大器DA1、无源正交产生器、第一选通开关、I路buffer和校准变容管CV。可重构正交产生电路包括驱动放大器DA2、可重构正交二分频器、第二选通开关和Q路buffer。I路和Q路的输出均与正交鉴相器PD的输入端电性连接，正交鉴相器PD的输出端设有直流电阻Rb，直流电阻Rb的输出端电性连接于校准变容管CV的正端。其以较小面积和功耗实现高精度跨倍频程正交信号的产生，降低了电路复杂度，实现快速的正交相位校准，提升了正交信号的相位精度。
-
公开(公告)号：CN118473375A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410918378.3
申请日：2024-07-10
申请人： 成都信息工程大学
摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种跨倍频程高精度正交产生电路及电子设备。包括无源正交产生电路、可重构正交产生电路和正交鉴相器PD。无源正交产生电路包括驱动放大器DA1、无源正交产生器、第一选通开关、I路buffer和校准变容管CV。可重构正交产生电路包括驱动放大器DA2、可重构正交二分频器、第二选通开关和Q路buffer。I路和Q路的输出均与正交鉴相器PD的输入端电性连接，正交鉴相器PD的输出端设有直流电阻Rb，直流电阻Rb的输出端电性连接于校准变容管CV的正端。其以较小面积和功耗实现高精度跨倍频程正交信号的产生，降低了电路复杂度，实现快速的正交相位校准，提升了正交信号的相位精度。
-
公开(公告)号：CN117749103A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311488736.3
申请日：2023-11-09
申请人： 成都信息工程大学
IPC分类号： H03D7/14
摘要： 本发明公开一种线性度增强的CMOS混频器电路，应用于射频集成电路领域，具体的公开了一种线性度增强的CMOS混频器电路，包括射频跨导输入级、本振开关输入级、中频输出负载级、有源阻抗级。本发明使用CMOS互补的射频输入跨导级，获得电流复用和注入双重效果，降低混频器的功耗和噪声；使用反相器和电容的组合形成有源感抗，来吸收开关管尾结点的寄生电容，减小电感的直接使用带来的版图面积过大的问题；使用电容交叉耦合的有源负阻级来补偿尾结点的有限阻；有源负阻级、感抗级组合成为有源阻抗级，可以提高混频器电路的线性度。
-
公开(公告)号：CN112986669A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110513915.2
申请日：2021-05-12
申请人： 成都信息工程大学
IPC分类号： G01R21/06
摘要： 本发明公开了一种射频功率检测电路，包括：射频通道和射频功率检测通道；射频通道包括射频放大器、射频功率分配器和负载，射频放大器的输入端接入射频输入，输出端连接至射频功率分配器，射频功率分配器一路输出连接至负载，另一路输出连接至射频功率检测通道；射频功率检测通道包括匹配网络和自混频器，匹配网络的输入端连接至射频功率分配器的输出端、输出端连接至自混频器，自混频器输出检测电平，本发明电路结构简单，功耗低，克服了传统方式中为了实现较高线性度的功率检测，需要增加对数放大器的级数，镇流器需要同时对每一级对数放大器的输出进行镇流的问题，同时解决了传统方式因为电路复杂引入更多误差的问题，提高了检测精度。
-
公开(公告)号：CN110708019A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201911278877.6
申请日：2019-12-13
申请人： 成都铱通科技有限公司 , 成都信息工程大学
IPC分类号： H03B5/12
摘要： 本发明公开了一种紧凑型毫米波压控振荡器，包括相互连接的交叉耦合振荡电路和输出驱动电路，该压控振荡器直接工作在64-68GHz下，同时设计了差分输出端和单端输出端，使压控振荡器既可以实现单端输出又可以实现差分输出；本发明中的振荡电路和输出驱动电路紧密耦合，无需倍频，从而简化了电路，降低了电路功耗，减少了芯片面积。
-
公开(公告)号：CN118646374B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411096663.8
申请日：2024-08-12
申请人： 成都信息工程大学
摘要： 本申请提供一种片上电容带宽展宽电路及电子设备，属于集成电路技术领域。该片上电容带宽展宽电路，包括放大电路、隔直片上电容Cb以及衬底隔离电阻Rb，放大电路的输入端和输出端均连接有隔直片上电容Cb，隔直片上电容Cb的衬底端和衬底之间连接有衬底隔离电阻Rb。本申请提出的带宽展宽技术，在片上电容的衬底端和衬底之间增加衬底隔离电阻，使得片上电容的衬底端和衬底之间不直接相连，能有效降低高频损耗，从而起到将片上电容带宽展宽的目的。
-
公开(公告)号：CN118214376B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410613801.9
申请日：2024-05-17
申请人： 成都信息工程大学
摘要： 本发明公开了一种基于互补双偏置的高线性度低噪声放大器电路，属于射频集成电路领域，包括：依次连接的输入匹配电路、第一低噪声放大器电路、第一级间匹配巴伦以及复合放大器电路。本发明通过第一类偏置放大器保证放大器具有足够增益，第二类偏置放大器保证放大器具有足够的线性度，并将二者进行并联得到互补式双偏置放大器电路，能够在保证放大器具有足够的增益以抑制后续的噪声的同时，使得放大器具有足够的线性度，实现噪声和线性度的同步优化。
-
公开(公告)号：CN118214376A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410613801.9
申请日：2024-05-17
申请人： 成都信息工程大学
摘要： 本发明公开了一种基于互补双偏置的高线性度低噪声放大器电路，属于射频集成电路领域，包括：依次连接的输入匹配电路、第一低噪声放大器电路、第一级间匹配巴伦以及复合放大器电路。本发明通过第一类偏置放大器保证放大器具有足够增益，第二类偏置放大器保证放大器具有足够的线性度，并将二者进行并联得到互补式双偏置放大器电路，能够在保证放大器具有足够的增益以抑制后续的噪声的同时，使得放大器具有足够的线性度，实现噪声和线性度的同步优化。
-
公开(公告)号：CN118117968A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311488738.2
申请日：2023-11-09
申请人： 成都信息工程大学
摘要： 本发明公开一种硅基毫米波信号源电路，应用于射频集成电路领域，具体的一种硅基毫米波信号源电路，包括2个VCO核、1个频率倍增电路，以及1个放大器；所述VCO输出的双端信号转为单端信号输入频率倍增电路，实现工作频率加倍，输出差分信号通过变压器耦合到放大器，信号做幅度补偿放大到接近VCO输出的信号幅度，最终输出微波信号Vo+、Vo‑。本发明采用电压比特控制的电容阵列获得振荡器频率的粗调谐效果，配合变容管的细调谐效果，获得较宽的频率覆盖，后级连接频率倍增电路，获得两倍于输入频率的差分信号输出，工作频率为2f0，末级接变压器耦合式放大器，补偿频率倍增电路的信号插损，最终输出差分毫米波信号Vo+、Vo‑。
-
公开(公告)号：CN117527026A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311488733.X
申请日：2023-11-09
申请人： 成都信息工程大学
摘要： 本发明公开一种毫米波抗干扰CMOS集成接收机前端电路，包括：低噪声跨导放大电路Gm、无源混频器、跨阻放大器、本振信号驱动器。本发明采用LNA前置架构，包含了低噪声跨导电路、N‑path混频器、跨阻放大器等电路，这项工作的工作频率范围在21‑32GHz内，低噪声跨导电路采用噪声消除结构，使其在输出端表现出极低的噪声系数，N‑path混频器中的MOS晶体管工作在近似Vth+0.7ALO的偏置条件下，有效解决了I/Q基带之间干扰的问题，提高接收机的抗干扰能力，基带部分采用了两级设计，获得了四阶巴特沃斯低通滤波器，实现的带外衰减度高达80dB/dec，有效提高接收机的抗干扰能力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
26 条记录 (耗时 0.033 秒)
