公开(公告)号：CN106656092A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201611043887.8

申请日：2016-11-24

申请人： 扬州江新电子有限公司

发明人： 杜寰 ,  任建伟 ,  丛密芳 ,  李科 ,  黄启俊 ,  高潮

IPC分类号： H03H7/38

CPC分类号： H03H7/38

摘要： 本发明公开了一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法，在传统LC组成的“T”型网络结构的管芯版图上增加多晶电阻R，本发明通过在现有的管芯版图上增加多晶电阻R，使得芯片内部形成负反馈，降低增益，可使器件维持在稳定增益范围，提高了整体工作稳定性，进一步达到改善匹配结构提高稳定性的目的，可用于射频微波大功率器件的内匹配封装中。

公开(公告)号：CN206195734U

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201621265154.4

申请日：2016-11-24

申请人： 扬州江新电子有限公司

发明人： 杜寰 ,  任建伟 ,  丛密芳 ,  李科 ,  黄启俊 ,  高潮

IPC分类号： H03H7/38

摘要： 本实用新型公开了一种大功率LDMOS器件内匹配结构，包括的“T”型网络结构，“T”型网络结构的管芯版图上增加有多晶电阻R，所述多晶电阻R串接在管芯与靠近管芯的电感L之间，即从管芯向外的第一结构为R‑L‑C‑L，本实用新型通过在现有的管芯版图上增加多晶电阻R，使得芯片内部形成负反馈，降低增益，可使器件维持在稳定增益范围，提高了整体工作稳定性，进一步达到改善匹配结构提高稳定性的目的，可用于射频微波大功率器件的内匹配封装中。