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公开(公告)号：CN115906714B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310147117.1
申请日：2023-02-22
申请人： 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司
IPC分类号： G06F30/28 , G16C20/10 , G06F30/23 , G06T17/20 , G06F113/08 , G06F119/14 , G06F119/08
摘要： 本发明涉及模拟仿真技术领域，特别是涉及一种板式PECVD反应腔气流模拟方法及其模拟设备。该板式PECVD反应腔气流模拟方法包括：获取待模拟的板式PECVD反应腔结构的三维模型；将所述待模拟的板式PECVD反应腔结构的三维模型进行仿真计算，并将的仿真计算结果与预设范围进行对比；若所述计算结果位于预设范围内，则获取所述计算中的网格化后的三维模型气流分布数据和温度分布数据。通过获取板式PECVD反应腔的内部结构和重要部位来建立板式PECVD反应腔三维仿真模型，省去了繁琐的实物制造以及试验过程，减少了传统中设计周期较长、设计成本高的问题。
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公开(公告)号：CN115910885A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211626222.5
申请日：2022-12-15
申请人： 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/677
摘要： 本发明涉及上下料设备技术领域，公开了提供的一种半片自动化上下料设备，包括：花篮调节组件，能够带动花篮进行位置调整，进而调节花篮的上、下料位置；花篮上下料输送组件，用于将装载待加工硅片的花篮和空花篮输送至花篮调节组件，并将装载已加工硅片的花篮和空花篮从花篮调节组件内取出；硅片上下料输送组件，能够将花篮内的待加工的硅片取出，并将加工后的硅片输送至花篮内；本方案中，整片硅片和半片硅片能够使用同种规格的花篮进行输送，当输送半片硅片进行上下料时，能够通过花篮调节组件调节花篮的下料位置，使其与硅片上下料输送组件对应，无需更换花篮的规格，保证正常的输送作业，进而使上下料花篮的利用率更高，提升了输送效率。
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公开(公告)号：CN112382553A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011281050.3
申请日：2020-11-16
申请人： 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体和太阳能光伏电池技术领域，具体涉及一种双层反应腔体结构，旨在解决现有技术中反应腔使用寿命受限形成的问题，其技术要点在于：包括内层腔体及外层腔体，所述内层腔体与所述外层腔体同轴设置，并且长度相等，所述内层腔体位于所述外层腔体内侧，所述外层腔体长度方向两端分别设置有炉口法兰及炉尾法兰，用于固定所述内层腔体及外层腔体。通过内外两层腔体的设置，使得外层腔体用于抽真空承受压力，所述内层腔体用于承接薄膜生长，不承受真空压力，使用过程中，外层腔体无镀膜层的影响，内层腔体不承受真空压力，可以有效地提升双层反应腔体的使用寿命。
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公开(公告)号：CN111270222B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202010084504.1
申请日：2020-02-10
申请人： 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/34 , C23C16/40 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种TOPCon电池双面镀膜设备，包括用于镀膜操作的真空炉腔，所述真空炉腔上设有炉口，炉口能够通过炉门封闭，其特征是，包括能够用于装载硅片的硅片载具、电极组结构、用于对硅片载具进行升降操作的载板升降组件和载板升降模组，以及用于对所述电极组结构进行移动的电极组平移机构，所述硅片载具能够装载到炉门上，所述炉门能够在所述载板升降模组的驱动下移动从而封闭或者打开炉口；所述电极组结构能够在所述电极组平移机构的驱动下在所述真空炉腔内移动从而与所述硅片载具结合或者分离，所述硅片载具能够在所述载板升降组件的驱动下在所述真空炉腔内上下移动，从而改变硅片载具上所装载的硅片与所述电极组结构之间的相对位置，以实现正反面双面镀膜。
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公开(公告)号：CN116081295A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310378759.2
申请日：2023-04-11
申请人： 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司
IPC分类号： B65G47/91 , H01L21/677
摘要： 本发明涉及硅片技术领域，具体提供了一种插取片机构，包括：龙门架、加工工位、第一吸料组件、第二吸料组件，加工工位包括第一工位和第二工位；第一吸料组件和第二吸料组件相对设置，第一吸料组件和第二吸料组件均移动设置于龙门架上，第一吸料组件被配置为用于将第一工位上处于第一状态下的产品送至第二工位；第二吸料组件被配置为用于将第二工位上处于第二状态下的产品送至第一工位。本发明通过相对设置的第一吸料组件和第二吸料组件，能够同时对第一工位和第二工位上产品进行位置交换，同时完成两个工位上产品的插取动作，大大提高了生产效率，从而满足产能需求。
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公开(公告)号：CN116081295B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310378759.2
申请日：2023-04-11
申请人： 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司
IPC分类号： B65G47/91 , H01L21/677
摘要： 本发明涉及硅片技术领域，具体提供了一种插取片机构，包括：龙门架、加工工位、第一吸料组件、第二吸料组件，加工工位包括第一工位和第二工位；第一吸料组件和第二吸料组件相对设置，第一吸料组件和第二吸料组件均移动设置于龙门架上，第一吸料组件被配置为用于将第一工位上处于第一状态下的产品送至第二工位；第二吸料组件被配置为用于将第二工位上处于第二状态下的产品送至第一工位。本发明通过相对设置的第一吸料组件和第二吸料组件，能够同时对第一工位和第二工位上产品进行位置交换，同时完成两个工位上产品的插取动作，大大提高了生产效率，从而满足产能需求。
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公开(公告)号：CN116072769A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310244727.3
申请日：2023-03-15
申请人： 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/677
摘要： 本发明公开了一种硅片加工生产线，该硅片加工生产线包括上料系统、下料系统、硼扩工艺主机、激光系统和硅片中转系统，上料系统用于硅片的上料；下料系统用于硅片的下料，硼扩工艺主机位于上料系统及下料系统的下游位置，激光系统用于对经过一次硼扩的硅片进行开槽，激光系统与上料系统及下料系统并排设置；硅片中转系统设在上料系统、下料系统、激光系统以及硼扩工艺主机中间，该硅片加工生产线将一次硼扩工艺、激光开槽和二次硼扩工艺集成在一条生产线上，结构紧凑，占地面积小，流转效率高，有利于提升生产效率且降低制造成本。
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公开(公告)号：CN115930609A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310028018.1
申请日：2023-01-09
申请人： 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司
IPC分类号： F27B19/02
摘要： 本发明公开了一种多炉体结构，该多炉体结构包括机架、加热装置、隔热材料件和支撑组件，机架设置有容纳腔，加热装置为多个，多个加热装置依次设置在容纳腔内，隔热材料件填充在容纳腔的内壁与加热装置之间，支撑组件设在容纳腔内以支撑加热装置。该多炉体结构能够较好地避免加热装置塌陷的现象发生，且维修及运输成本均较低。
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公开(公告)号：CN115906714A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310147117.1
申请日：2023-02-22
申请人： 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司
IPC分类号： G06F30/28 , G16C20/10 , G06F30/23 , G06T17/20 , G06F113/08 , G06F119/14 , G06F119/08
摘要： 本发明涉及模拟仿真技术领域，特别是涉及一种板式PECVD反应腔气流模拟方法及其模拟设备。该板式PECVD反应腔气流模拟方法包括：获取待模拟的板式PECVD反应腔结构的三维模型；将所述待模拟的板式PECVD反应腔结构的三维模型进行仿真计算，并将的仿真计算结果与预设范围进行对比；若所述计算结果位于预设范围内，则获取所述计算中的网格化后的三维模型气流分布数据和温度分布数据。通过获取板式PECVD反应腔的内部结构和重要部位来建立板式PECVD反应腔三维仿真模型，省去了繁琐的实物制造以及试验过程，减少了传统中设计周期较长、设计成本高的问题。
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公开(公告)号：CN112413127A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011281031.0
申请日：2020-11-16
申请人： 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及光伏组件装配技术领域，具体涉及一种桨固定装置，旨在解决现有技术中仅实现桨固定，但没实现与炉门密封形成的问题，其技术要点在于：包括桨外筒及桨，所述桨外筒为所述桨的外部密封部件，所述桨外筒两端分别设置有尾部盖板及炉门，所述桨一端与所述尾部盖板相互抵接设置，另外一端指向所述炉门并向外延伸设置，所述桨贯穿所述炉门设置。所述桨外筒上设置有若干支撑环，用于对所述桨的位置进行固定。通过支撑环的设置，同时实现了桨的固定及桨与炉门的密封，保证了设备的正常运转。
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