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公开(公告)号：CN118714722A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411010694.7
申请日：2024-07-26
申请人： 散裂中子源科学中心 , 中国科学院高能物理研究所
摘要： 本发明公开了一种低损耗电子直线加速结构，涉及电子直线加速；为了降低电子加速结构的功率损耗；包括外导体，所述外导体两端固定有端盘，且外导体和端盘均为铜制，外导体和端盘之间形成一个封闭的谐振腔体；所述外导体和端盘之间的谐振腔体内部设置有陶瓷介质体，所述陶瓷介质体包括中间盘片和中间导体，所述中间盘片内置的方式固定于外导体内壁，且中间导体和中间盘片之间交错设置，所述中间导体两端均固定有内导体，且内导体中心处和中间导体中心处开设有用于电子束通过的束流孔。本发明利用TM020加速模式电磁场的分布和介质层的微波反射将加速模式的电磁场集中在低损耗的陶瓷介质体中，减小外导体的铜损耗。
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公开(公告)号：CN117715285A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311825698.6
申请日：2023-12-28
申请人： 散裂中子源科学中心 , 中国科学院高能物理研究所
摘要： 本发明公开一种低频常温腔高阶模深度抑制的方法，涉及粒子加速器领域。该低频常温腔高阶模深度抑制的方法，第一步：在同轴结构腔设计时，仿真计算第一个高阶模的频率和波长后，调整同轴结构腔长度，优化第一个高阶模；第二步：通过调节同轴结构腔外导体半径和加速间隙长度来维持基波的谐振频率不变，并进行同轴结构腔的优化设计；第三步：扩大同轴结构腔外侧的束流管道并采用束管型的高阶模吸收器对高阶模进行吸收抑制。该低频常温腔高阶模深度抑制的方法，通过调整同轴结构腔长度优化第一个高阶模，可提高所需抑制的高阶模频率和扩大与基模间的频率间隙，有利于高阶模的深度抑制和同轴结构腔性能的优化。
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公开(公告)号：CN114843732A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210098595.3
申请日：2022-01-27
申请人： 散裂中子源科学中心 , 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： H01P5/16
摘要： 本发明涉及电源技术领域，尤指一种高功率固态功率源合成电路；所述的合成电路包括8路合成器电路，通过改变合成方式和传输相移来抑制各端口间反射功率同相叠加，降低模块的极限反射功率；本发明保留了现有合成电路的简洁性，同时在合成路数确定的情况下，可通过改变合成器各级合成路数和各级间传输长度来抑制各端口间反射功率同相叠加，降低模块的极限反射功率，大大提升系统稳定性；同时现有技术通常是在合成器输出端口加大功率环形器和吸收负载，大大增加成本的同时系统复杂度也大幅增加，导致系统故障率相应的提升，采用本发明的方案，极限反射功率大幅降低，合成器输出端不必再接大功率的环形器和吸收负载，大大降低成本和系统故障率。
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公开(公告)号：CN116505905A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310405156.7
申请日：2023-04-15
申请人： 散裂中子源科学中心 , 中国科学院高能物理研究所
摘要： 本发明涉及匹配电路技术领域，尤指一种基于容性负载下的射频宽带匹配电路；包括电信连接的匹配网络输入模块、阻抗变换器模块、LC并联谐振模块和匹配网络输出模块；本发明通过采用复合输出电路，即集中参数变压器形式的阻抗变换器、LC并谐振网络与LRC并联谐振网，以及降低负载电阻值，实现了大容性负载下的射频宽带匹配；同时，本发明的的匹配电路通过复合电路之间的协调配合，实现大容性负载下的射频宽带匹配，电路稳定性好，同时也大大提高了射频功率的传输效率。
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公开(公告)号：CN117750610A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311817301.9
申请日：2023-12-27
申请人： 散裂中子源科学中心 , 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： H05H7/18
摘要： 本发明公开一种双模式高频腔结构，涉及粒子加速器领域。该双模式高频腔结构包括高频腔结构主体，所述高频腔结构主体包括第一外导体和第二外导体组成，所述第一外导体和第二外导体固定相连，所述第一外导体上固定连接有第一端板，所述第二外导体上固定连接有第二端板，所述第一端板上固定连接有内导体，所述内导体和第二端板之间形成加速间隙。该双模式高频腔结构将基波高频腔和三次谐波高频腔集成在一个双模式高频腔中，同时具有基波高频腔和三次谐波高频腔两种腔的功能，有利于系统的集成、减少建设成本、节省空间和提高系统的稳定性。
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公开(公告)号：CN116190963A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310207173.X
申请日：2023-03-06
申请人： 散裂中子源科学中心 , 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： H01P5/16
摘要： 本发明公开了一种固态功率源功率合成器，包括第一级合成器、第二级合成器、第三级合成器和第四级合成器，所述第三级合成器设置有两个包括有第三级合成器一和第三级合成器二本发明固态功率源功率合成器通过采用合成网络，即使在功率合成器输入功放模块幅度一致性较差，和后两级采用的是无隔离合成网络的情况下，大部分不平衡功率会被前面隔离电阻吸收，剩余小部分功率通过优化后两级合成网络，使其均匀的被输入模块的吸收负载承担，从而大幅度提升了系统的稳定性，本发明固态功率源功率合成器中前两级采用的Gysel合成网络输入端口相互隔离，隔离电阻可以通过传输线引到的任意位置后接地，从而便于安装和散热系统设计，因此更适用于大功率合成。
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公开(公告)号：CN219760982U
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202320845613.X
申请日：2023-04-15
申请人： 散裂中子源科学中心 , 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： H03H7/38
摘要： 本发明涉及匹配电路技术领域，尤指一种基于容性负载下的射频宽带匹配电路；所述的射频宽带匹配电路采用复合输出电路，包括电性通讯连接的匹配网络输入模块、阻抗变换器模块、LC并联谐振模块和匹配网络输出模块；所述的阻抗变换器变换模块采用集中参数变压器形式的阻抗变换器将阻抗降低；本发明通过采用复合输出电路，即集中参数变压器形式的阻抗变换器、LC并谐振网络与LRC并联谐振网，以及降低负载电阻值，实现了大容性负载下的射频宽带匹配；同时，本发明的的匹配电路通过复合电路之间的协调配合，实现大容性负载下的射频宽带匹配，电路稳定性好，同时也大大提高了射频功率的传输效率。
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公开(公告)号：CN219513313U
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202320399125.0
申请日：2023-03-06
申请人： 散裂中子源科学中心 , 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： H01P5/16
摘要： 本发明公开了固态功率源功率合成器，包括第一级合成器、第二级合成器、第三级合成器和第四级合成器，所述第一级合成器与第二级合成器连接，所述第二级合成器与第三级合成器连接；所述第三级合成器与第四级合成器连接；所述第三级合成器设置有两个包括有第三级合成器一和第三级合成器二本发明固态功率源功率合成器通过采用合成网络，即使在功率合成器输入功放模块幅度一致性较差，和后两级采用的是无隔离合成网络的情况下，大部分不平衡功率会被前面隔离电阻吸收，剩余小部分功率通过优化后两级合成网络，使其均匀的被输入模块的吸收负载承担，从而大幅度提升了系统的稳定性。
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公开(公告)号：CN118400858A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410255993.0
申请日：2024-03-06
申请人： 中国科学院高能物理研究所
摘要： 本发明公开了一种高阶模阻尼腔及其制造方法，该高阶膜阻尼腔包括圆柱形腔体，该圆柱形腔体的内表面上设置有内设耦合槽，所述内设耦合槽为环形波导结构，并将该环形波导结构设计成由多个弯波导组合而成。本实施例提供的高阶模阻尼腔，将高阶模耦合槽设置成环形波导结构，通过在确保所有危险模式都可以通过环形波导结构传输出去，并且该环形波导结构和圆柱形腔体可以一体成型，实现对耦合槽的精确定位，减少了工作模式下电磁场泄露，提高了高阶模阻尼腔运行时的稳定性。
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公开(公告)号：CN118448836A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410255990.7
申请日：2024-03-06
申请人： 中国科学院高能物理研究所
摘要： 本发明公开了一种输入耦合器、阻尼腔及其制造方法，通过将输入耦合器设计为包含前端部和与所述前端部相连接的后端部，该前端部为波导结构，后端部为同轴结构。本实施例提供的耦合器采用波导转同轴结构，改善耦合器的引入所带来的对电磁场分布不对称的影响，减小了阻尼腔内φ方向的引入量，有效降低了工作模式下的电磁场泄露，进而提高了阻尼腔工作的稳定性。
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