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公开(公告)号：CN114207969B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202080056286.9
申请日：2020-07-15
申请人： 斯坦雷电气株式会社
摘要： 本发明包括：第一多层膜反射器；第一电极，其是半透明的并且形成在所述第一多层膜反射器上；第一半导体层，其形成在所述第一电极上并具有第一导电层；发光层，其形成在所述第一半导体层上；第二半导体层，其形成在所述发光层上并且具有与所述第一导电层相反的第二导电类型；第二多层膜反射器，其形成在所述第二半导体层上，包括多个半导体膜，每个半导体膜具有第二导电类型，并且与所述第一多层膜反射器一起构成谐振器；半导体基板，其形成在所述第二多层膜反射器上，具有上表面和从所述上表面突出的突起，并且具有第二导电类型；以及第二电极，其形成在所述半导体基板的上表面上。
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公开(公告)号：CN112913093A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201980068567.3
申请日：2019-10-07
申请人： 斯坦雷电气株式会社
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本发明包括：基板；第一多层膜反射镜，其形成在基板上；第一半导体层，其形成在第一多层膜反射镜上并且具有第一导电类型；发光层，其形成在第一半导体上；第二半导体层，其形成在发光层上，具有与第一半导体层的第一导电类型相反的第二导电类型，并且在第二半导体层的上表面上具有低电阻区域和高电阻区域，所述高电阻区域从低电阻区域朝向在低电阻区域外部的发光层凹陷，并且由于具有第二导电类型的杂质失活而具有高于低电阻区域的电阻；透光电极层，其形成在第二半导体层的上表面上，与低电阻区域和高电阻区域接触；以及第二多层膜反射层，其形成在透光电极层上，并在第二多层膜反射镜和第一多层膜反射镜之间构成谐振器。
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公开(公告)号：CN118715680A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202380022100.1
申请日：2023-03-09
IPC分类号： H01S5/343 , C23C16/18 , C23C16/34 , C30B25/02 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L33/10 , H01L33/32 , H01S5/183
摘要： 提供一种品质良好的氮化物半导体发光元件的制造方法以及品质良好的氮化物半导体发光元件。一种氮化物半导体发光元件的制造方法，使用了金属有机化合物气相生长法，具有：第一层层叠工序，结晶生长出组分中包含Al以及In的n‑AlInN层(12)，帽层层叠工序，在执行第一层层叠工序后，在n‑AlInN层(12)的表面结晶生长出组分中包含Ga的GaN帽层(13)，以及第二层层叠工序，在执行帽层层叠工序后，在GaN帽层(13)的表面结晶生长出组分中包含Ga的GaN层(14)。该氮化物半导体发光元件的制造方法中，在执行帽层层叠工序后且执行第二层层叠工序前，还具有氢清洗工序，在氢清洗工序中，停止向反应炉内供给原料气体，且向反应炉内供给氢气，至少对GaN帽层(13)的表面进行清洗。
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公开(公告)号：CN118355574A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202280080814.3
申请日：2022-11-22
申请人： 斯坦雷电气株式会社
摘要： [问题]为提供一种垂直腔发光元件，该垂直腔发光元件被配置为防止包括有源层的半导体层的劣化，并且因此，所述元件具有高耐久性。[解决方案]该垂直腔发光元件的特征在于包括：氮化镓基半导体基板；第一多层膜镜反射体，其形成在基板上并且包括在其成分中包含铟的含铟氮化物半导体层和不包含铟的无铟氮化物半导体层，所述层被交替层压；半导体结构层，其包括由氮化物半导体组成的有源层；第二多层膜镜反射体，其形成在半导体结构层上，并且与第一多层膜镜反射体一起构成空腔；以及电流限制结构，其形成在第一多层膜镜反射体与第二多层膜镜反射体之间，并且将电流集中到有源层的一个区域。该垂直腔发光元件的特征还在于，第一多层膜镜反射体的顶层是含铟氮化物半导体层，并且沿着所述顶层(即，含铟氮化物半导体层的上表面)延伸的区域具有比其它区域高的氢杂质浓度。
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公开(公告)号：CN114207969A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080056286.9
申请日：2020-07-15
申请人： 斯坦雷电气株式会社
摘要： 本发明包括：第一多层膜反射器；第一电极，其是半透明的并且形成在所述第一多层膜反射器上；第一半导体层，其形成在所述第一电极上并具有第一导电层；发光层，其形成在所述第一半导体层上；第二半导体层，其形成在所述发光层上并且具有与所述第一导电层相反的第二导电类型；第二多层膜反射器，其形成在所述第二半导体层上，包括多个半导体膜，每个半导体膜具有第二导电类型，并且与所述第一多层膜反射器一起构成谐振器；半导体基板，其形成在所述第二多层膜反射器上，具有上表面和从所述上表面突出的突起，并且具有第二导电类型；以及第二电极，其形成在所述半导体基板的上表面上。
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公开(公告)号：CN110537052B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201880023978.6
申请日：2018-03-02
申请人： 国立大学法人京都大学 , 斯坦雷电气株式会社
IPC分类号： F21K9/20 , F21K9/64 , F21K9/69 , F21V5/00 , F21V9/30 , F21Y115/10 , F21Y115/30
摘要： 一种照明装置具有：光源，其用于产生具有高斯强度分布的一次光；成形构件，其用于产生具有顶帽型强度分布的二次光；波长转换体，其用于产生包含二次光和二次光的波长已经被转换的波长转换后的光的三次光，并从发光面发射三次光；以及天线阵列，其形成在波长转换体的发光面上并具有以比二次光的光波长的周期大的周期布置在所述波长转换体内的多个光学天线。
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公开(公告)号：CN110537052A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201880023978.6
申请日：2018-03-02
申请人： 国立大学法人京都大学 , 斯坦雷电气株式会社
IPC分类号： F21K9/20 , F21K9/64 , F21K9/69 , F21V5/00 , F21V9/30 , F21Y115/10 , F21Y115/30
摘要： 一种照明装置具有：光源，其用于产生具有高斯强度分布的一次光；成形构件，其用于产生具有顶帽型强度分布的二次光；波长转换体，其用于产生包含二次光和二次光的波长已经被转换的波长转换后的光的三次光，并从发光面发射三次光；以及天线阵列，其形成在波长转换体的发光面上并具有以比二次光的光波长的周期大的周期布置在所述波长转换体内的多个光学天线。
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公开(公告)号：CN117981187A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280061932.X
申请日：2022-09-01
申请人： 斯坦雷电气株式会社
发明人： 仓本大
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 具有：n型半导体层，其形成在第一反射镜上；有源层，其形成在n型半导体层上且由多量子阱构成；最终阻挡层，其形成在有源层的最终量子阱上；电子势垒层，其形成在最终阻挡层上；p型半导体层，其形成在电子势垒层上；电介质间隔层，其形成在p型半导体层上；以及第二反射镜，其形成在间隔层上。电子势垒层和p型半导体层内包含的由来自有源层的发光引起的驻波的波腹的数量为1，波节的数量为0或1，有源层和最终阻挡层满足式(3)。
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公开(公告)号：CN114946092A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202080092170.0
申请日：2020-12-18
申请人： 斯坦雷电气株式会社
发明人： 仓本大
摘要： 提供了一种发光效率高的垂直谐振器型发光元件。本发明的特征在于具有：基板；形成在基板上的第一多层薄膜反射镜；半导体结构层，其包括形成在第一多层薄膜反射镜上的第一导电类型的第一半导体层、形成在第一半导体层上的发光层以及与第一导电类型相反的第二导电类型并且形成在发光层上的第二半导体层；电极层，其形成在半导体结构层的上表面上，并在上表面的一个区域中与半导体结构层的第二半导体层电接触；以及第二多层薄膜反射镜，其形成为覆盖电极层上的一个区域，并且与第一多层薄膜反射镜构成谐振器，半导体结构层具有一个凹陷结构，所述一个凹陷结构包括在围绕一个区域的区域中从上表面穿透发光层的一个或更多个凹部。
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