专利检索 ap:("斯坦雷电气株式会社") AND inv:"加纳裕之" 第 1 页

1.

发明公开
紫外半导体发光元件审中-公开

公开(公告)号：CN117293238A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202310736398.4

申请日：2023-06-20

申请人： 斯坦雷电气株式会社

发明人： 木下亨 , 小川昭雄 , 加纳裕之

IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/00 , H01L33/14 , H01L33/32

摘要： 本发明的目的是提供一种紫外半导体发光元件，其允许使用者容易地确认其是否被驱动以发射深紫外光。根据本发明的紫外半导体发光元件包括：单晶AlN衬底、n型AlGaN层、有源层和p型AlGaN层。所述n型AlGaN层形成在所述单晶AlN衬底上。所述有源层形成在所述n型AlGaN层上。有源层具有250nm以上且280nm以下的发光峰值波长。所述p型AlGaN层形成在所述有源层上。所述单晶AlN衬底中的C浓度为3×1017个原子/cm3以上。