-
公开(公告)号：CN107408601A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680017690.9
申请日：2016-03-07
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Inventor： 藤原崇子
IPC: H01L33/06
Abstract: 本发明的半导体发光元件的特征在于，具有：第一导电类型的第一半导体层，在所述第一半导体层上形成的发光功能层，和在所述发光功能层上形成的第二半导体层，所述第二半导体层具有与所述第一半导体层的导电类型相反的第二导电类型；所述发光功能层具有：在所述第一半导体层上形成的掺杂层，所述掺杂层掺杂有第二导电类型的掺杂剂，在所述掺杂层上形成的基础层，以及在所述基础层上形成的量子结构层，所述基础层具有承载来自所述掺杂层的应力/应变的结构，并且具有以随机网状构型形成的多个基段。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119032414A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202380034427.0
申请日：2023-04-10
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种准分子灯、灯单元及准分子灯的制造方法，其不仅不会导致紫外光的发光强度或透射性能的显著降低，而且在相应地确保紫外光强度的同时考虑到对人体的不良影响。准分子灯的特征在于，具备：放电容器；封入于所述放电容器中的放电用气体；以及设置于所述放电容器的至少内表面的紫外光透射薄膜，所述紫外光透射薄膜包括：第一颗粒，其分散在所述紫外光透射薄膜内，对紫外光进行米氏散射；以及第二颗粒，其填埋所述第一颗粒之间的空隙，所述第一颗粒的平均粒径大于所述第二颗粒的平均粒径。
-
公开(公告)号：CN107004742A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580060377.9
申请日：2015-10-22
Applicant: 斯坦雷电气株式会社 , 国立大学法人东京大学
CPC classification number: H01L51/0082 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/62 , H01L51/0081
Abstract: 一种半导体发光元件，所述半导体发光元件具有第一发光层和第二发光层。第一发光层具有：基底层，所述基底层具有多个基底区段，所述多个基底区段具有从第一半导体层接受应力应变的组分，所述基底区段被分割成随机网格图案；以及第一量子阱结构层，所述第一量子阱结构层保留了所述多个基底区段的区段形状，并且包括形成在基底层上的至少一个量子阱层和至少一个势垒层。所述第二发光层具有：第二量子阱结构层，所述第二量子阱结构层包括至少一个量子阱层和多个势垒层，所述多个势垒层具有与所述第一量子阱结构层中的至少一个势垒层不同的组分；以及槽，所述槽在所述多个势垒层中最靠近所述第一发光层侧的端部势垒层的表面上，保留了所述区段形状。
-
公开(公告)号：CN118901170A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202380029114.6
申请日：2023-03-14
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 具备透光性的基板、n型半导体层、活性层、p型半导体层、包含于n型半导体层的光子晶体层空孔层、设在p型半导体层上且具有反射面的光反射层、设在反射面和p型半导体层间的透光性导电体层。在基板背面具有光出射面，空孔层具有衍射面，衍射面是使在空孔层内形成驻波的光向与空孔层正交的方向衍射时的波源，具有相互减弱区域和相互增强区域，在该相互减弱区域中，将衍射面与反射面的间隔距离设置成从衍射面向光出射面侧衍射的第一衍射光与从衍射面经光反射层侧衍射并经反射面反射的第二衍射光的干涉而生成的干涉光的光强度比第一衍射光的光强度小；在相互增强区域中，将衍射面与反射面的间隔距离设置成干涉光的光强度比第一衍射光的光强度大。
-
公开(公告)号：CN107004742B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201580060377.9
申请日：2015-10-22
Applicant: 斯坦雷电气株式会社 , 国立大学法人东京大学
CPC classification number: H01L51/0082 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/62 , H01L51/0081
Abstract: 一种半导体发光元件，所述半导体发光元件具有第一发光层和第二发光层。第一发光层具有：基底层，所述基底层具有多个基底区段，所述多个基底区段具有从第一半导体层接受应力应变的组分，所述基底区段被分割成随机网格图案；以及第一量子阱结构层，所述第一量子阱结构层保留了所述多个基底区段的区段形状，并且包括形成在基底层上的至少一个量子阱层和至少一个势垒层。所述第二发光层具有：第二量子阱结构层，所述第二量子阱结构层包括至少一个量子阱层和多个势垒层，所述多个势垒层具有与所述第一量子阱结构层中的至少一个势垒层不同的组分；以及槽，所述槽在所述多个势垒层中最靠近所述第一发光层侧的端部势垒层的表面上，保留了所述区段形状。
-
公开(公告)号：CN107408601B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201680017690.9
申请日：2016-03-07
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Inventor： 藤原崇子
IPC: H01L33/06
Abstract: 本发明的半导体发光元件的特征在于，具有：第一导电类型的第一半导体层，在所述第一半导体层上形成的发光功能层，和在所述发光功能层上形成的第二半导体层，所述第二半导体层具有与所述第一半导体层的导电类型相反的第二导电类型；所述发光功能层具有：在所述第一半导体层上形成的掺杂层，所述掺杂层掺杂有第二导电类型的掺杂剂，在所述掺杂层上形成的基础层，以及在所述基础层上形成的量子结构层，所述基础层具有承载来自所述掺杂层的应力/应变的结构，并且具有以随机网状构型形成的多个基段。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.02 seconds)
