公开(公告)号：CN105009422B

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201480011355.9

申请日：2014-02-27

申请人： 斯维尔系统

发明人： 艾曼·伊斯梅尔 ,  艾哈迈德·叶利舍纳威 ,  艾哈迈德·穆赫塔尔 ,  艾曼·埃尔萨伊德

IPC分类号： H02K3/00

CPC分类号： H03M3/368 ,  B81B2207/03 ,  G01R33/038 ,  G06F1/10 ,  G06F1/1694 ,  G06F3/0346 ,  G06F3/0383 ,  H03H11/0422 ,  H03H11/1291 ,  H03H19/004 ,  H03K5/133 ,  H03M1/00 ,  H03M1/12 ,  H03M1/48 ,  H03M1/804 ,  H03M3/30 ,  H03M3/43

摘要： 以力反馈模式操作电容性传感器具有许多益处，例如改进的带宽以及对过程及温度变化的较低敏感性。为克服电容性反馈中的电压与力的关系的非线性，通常使用双电平反馈信号。因此，单位Σ‑Δ调制器表示实施电容性传感器接口电路的实际方式。然而，高Q传感器(在真空中操作)中存在的高Q寄生模式导致Σ‑Δ环路的稳定性问题，且因此限制Σ‑Δ技术对此类传感器的适用性。提供允许在存在高Q寄生模式的情况下稳定所述Σ‑Δ环路的解决方案。所述解决方案适用于电容性传感器的基于低阶或高阶Σ‑Δ的接口。

公开(公告)号：CN105009422A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480011355.9

申请日：2014-02-27

申请人： 斯维尔系统

发明人： 艾曼·伊斯梅尔 ,  艾哈迈德·叶利舍纳威 ,  艾哈迈德·穆赫塔尔 ,  艾曼·埃尔萨伊德

IPC分类号： H02K3/00

CPC分类号： H03M3/368 ,  B81B2207/03 ,  G01R33/038 ,  G06F1/10 ,  G06F1/1694 ,  G06F3/0346 ,  G06F3/0383 ,  H03H11/0422 ,  H03H11/1291 ,  H03H19/004 ,  H03K5/133 ,  H03M1/00 ,  H03M1/12 ,  H03M1/48 ,  H03M1/804 ,  H03M3/30 ,  H03M3/43

摘要： 以力反馈模式操作电容性传感器具有许多益处，例如改进的带宽以及对过程及温度变化的较低敏感性。为克服电容性反馈中的电压与力的关系的非线性，通常使用双电平反馈信号。因此，单位Σ-Δ调制器表示实施电容性传感器接口电路的实际方式。然而，高Q传感器(在真空中操作)中存在的高Q寄生模式导致Σ-Δ环路的稳定性问题，且因此限制Σ-Δ技术对此类传感器的适用性。提供允许在存在高Q寄生模式的情况下稳定所述Σ-Δ环路的解决方案。所述解决方案适用于电容性传感器的基于低阶或高阶Σ-Δ的接口。