发光二极管结构
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102569580A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201110438718.5

    申请日:2011-12-19

    IPC分类号: H01L33/36 H01L33/14 H01L33/10

    摘要: 本发明涉及一种发光二极管结构,其包含一基板、一第一半导体层、一第一金属电极、一第二半导体层、一导电层与一第二金属电极与至少一透光导电延伸件,其揭示该透光导电延伸件设于导电层上方并与第二金属电极相接设,透光导电延伸件的材料为一导电材料。通过透光导电延伸件可减少发光二极管所发的光线被遮蔽或吸收的情形,亦可让电流均匀分布,进而提高发光二极管的发光效率。

    发光二极管结构
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104868032A

    公开(公告)日:2015-08-26

    申请号:CN201510270591.9

    申请日:2011-12-19

    IPC分类号: H01L33/42

    CPC分类号: H01L33/42

    摘要: 本发明提供一种发光二极管结构,其包含一基板、一第一半导体层、一第一金属电极、一第二半导体层、一导电层与一第二金属电极与至少一透光导电延伸件,其揭示该透光导电延伸件设于导电层上方,并与第二金属电极相接设,透光导电延伸件的材料为一导电材料。通过透光导电延伸件可减少发光二极管所发的光线被遮蔽或吸收的情形,也可让电流均匀分布,进而提高发光二极管的发光效率。

    发光二极管结构
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102569580B

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:CN201110438718.5

    申请日:2011-12-19

    IPC分类号: H01L33/36 H01L33/14 H01L33/10

    摘要: 本发明涉及一种发光二极管结构,其包含一基板、一第一半导体层、一第一金属电极、一第二半导体层、一导电层与一第二金属电极与至少一透光导电延伸件,其揭示该透光导电延伸件设于导电层上方并与第二金属电极相接设,透光导电延伸件的材料为一导电材料。通过透光导电延伸件可减少发光二极管所发的光线被遮蔽或吸收的情形,亦可让电流均匀分布,进而提高发光二极管的发光效率。