公开(公告)号：CN110098217B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN201811268076.7

申请日：2018-10-29

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： 刘斌 ,  卓荣发 ,  丁银洁 ,  李康豪 ,  郭克文

IPC分类号： H10B61/00

摘要： 本发明提供具有磁性随机存取存储器(MRAM)装置的集成电路及其制造方法。在一例示实施例中，一种用于制造MRAM位单元的方法，包含：决定第一位单元与第二位单元之间的所需单元间间隔；以及对半导体衬底进行双重图案化而形成半导体鳍结构，其中，以群组的方式形成该半导体鳍结构，该群组具有已分组的半导体鳍结构之间的群组内间距以及不同于该群组内间距的相邻群组的半导体鳍结构之间的单元间间隔。该方法还包含：在该第一位单元中的该半导体鳍结构上方形成第一MRAM存储器结构；以及在该第二位单元中的该半导体鳍结构上方形成第二MRAM存储器结构。此外，该方法包含：在该第一MRAM存储器结构与该第二MRAM存储器结构之间形成该第一位单元的第一源极线。

公开(公告)号：CN110098217A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201811268076.7

申请日：2018-10-29

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： 刘斌 ,  卓荣发 ,  丁银洁 ,  李康豪 ,  郭克文

IPC分类号： H01L27/22

摘要： 本发明提供具有磁性随机存取存储器(MRAM)装置的集成电路及其制造方法。在一例示实施例中，一种用于制造MRAM位单元的方法，包含：决定第一位单元与第二位单元之间的所需单元间间隔；以及对半导体衬底进行双重图案化而形成半导体鳍结构，其中，以群组的方式形成该半导体鳍结构，该群组具有已分组的半导体鳍结构之间的群组内间距以及不同于该群组内间距的相邻群组的半导体鳍结构之间的单元间间隔。该方法还包含：在该第一位单元中的该半导体鳍结构上方形成第一MRAM存储器结构；以及在该第二位单元中的该半导体鳍结构上方形成第二MRAM存储器结构。此外，该方法包含：在该第一MRAM存储器结构与该第二MRAM存储器结构之间形成该第一位单元的第一源极线。