公开(公告)号：CN102282650B

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201080004801.5

申请日：2010-01-15

申请人： 新南创新私人有限公司

发明人： 林·迈 ,  马修·B·爱德华兹 ,  马丁·A·格林 ,  布雷特·哈拉姆 ,  奇夫·哈梅里 ,  妮科尔·B·奎伯 ,  阿德莱恩·苏吉安托 ,  布迪·S·特亚赫约诺 ,  斯坦利·王 ,  艾利森·M·文哈姆 ,  斯图尔特·R·文哈姆

IPC分类号： H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L21/268 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/2254 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 一种光伏器件，形成有第一掺杂剂型的半导体材料层的钝化的第一受光面。形成有相反掺杂的半导体材料区，以在与半导体材料层的第一受光面相对地设置的第二表面的至少一部分上形成p-n结。第一掺杂剂型的半导体材料层的第一受光面上形成有第一接点，并且半导体材料层的第二表面上的相反掺杂材料上形成有第二接点。

公开(公告)号：CN102282650A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201080004801.5

申请日：2010-01-15

申请人： 新南创新私人有限公司

发明人： 林·迈 ,  马修·B·爱德华兹 ,  马丁·A·格林 ,  布雷特·哈拉姆 ,  奇夫·哈梅里 ,  妮科尔·B·奎伯 ,  阿德莱恩·苏吉安托 ,  布迪·S·特亚赫约诺 ,  斯坦利·王 ,  艾利森·M·文哈姆 ,  斯图尔特·R·文哈姆

IPC分类号： H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L21/18 ,  H01L21/24 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/2254 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 一种光伏器件，形成有第一掺杂剂型的半导体材料层的钝化的第一受光面。形成有相反掺杂的半导体材料区，以在与半导体材料层的第一受光面相对地设置的第二表面的至少一部分上形成p-n结。第一掺杂剂型的半导体材料层的第一受光面上形成有第一接点，并且半导体材料层的第二表面上的相反掺杂材料上形成有第二接点。通过在硅材料的表面上方形成铝层而在硅半导体材料的表面上形成p型区。然后在高于铝硅低共熔温度的一温度下对铝进行尖峰烧结，以形成铝半导体合金p型区。在低于铝硅低共熔温度的一温度下执行低温固相外延生长工艺，由此通过固相外延生长使铝区和/或合金区内的剩余硅在铝/硅界面处形成p型区。