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公开(公告)号：CN105474364A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480042330.5
申请日：2014-07-24
申请人： 新南创新私人有限公司
发明人： 布雷特·杰森·哈拉姆 , 马修·布鲁斯·爱德华兹 , 斯图尔特·罗斯·文哈姆 , 菲利普·乔治·哈默 , 凯瑟琳·艾米丽·尚 , 张子文 , 吕珮玄 , 林·迈 , 宋立辉 , 阿德莱恩·苏吉安托 , 艾利森·马里·文哈姆 , 徐光琦
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/24 , H01L21/30 , H01L21/322 , H01L21/324
CPC分类号： H01L31/068 , H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L21/3003 , H01L21/324 , H01L31/0288 , H01L31/035272 , H01L31/1804 , H01L31/186 , H01L31/1864 , H01L31/1876 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 一种具有多个晶体硅区域的硅器件。一种晶体硅区域是掺杂的晶体硅区域。通过将氢原子引入至掺杂的5晶体硅区域内，由此所述氢以库仑力键合一些或所有的掺杂剂原子以钝化各自的掺杂剂原子从而实现钝化掺杂的晶体硅区域中的一些或所有的掺杂剂原子。钝化的掺杂剂原子可以通过加热和光照掺杂的晶体硅区域而断裂至少一些所述掺杂剂-氢键，而且同时维持产生高浓度的中性氢原子的条件进行重新活化，由此10一些所述氢原子从所述掺杂的晶体硅区域扩散而不会重新结合至掺杂剂原子。
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公开(公告)号：CN106024611A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610544080.6
申请日：2013-05-20
申请人： 新南创新私人有限公司
发明人： 斯图尔特·罗斯·文哈姆 , 菲利普·乔治·哈默 , 布雷特·杰森·哈拉姆 , 阿德莱恩·苏吉安托 , 凯瑟琳·艾米丽·尚 , 宋立辉 , 吕珮玄 , 艾利森·马里·文哈姆 , 林·迈 , 张子文 , 徐光琦 , 马修·布鲁斯·爱德华兹
CPC分类号： H01L31/1868 , H01L21/3003 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67706 , H01L31/1804 , H01L31/186 , H01L31/1864 , Y02B10/10 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种用于处理半导体晶片的设备和方法，以用于制造光伏装置，所述设备包括：加热区，在氢源的存在下，能操作以将所述半导体晶片的至少一个区域加热至至少100℃；以及冷却区，包括第一照射器件，所述第一照射器件被配置为在所述半导体晶片的冷却期间利用光子照射所述半导体晶片的表面。
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公开(公告)号：CN105474364B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201480042330.5
申请日：2014-07-24
申请人： 新南创新私人有限公司
发明人： 布雷特·杰森·哈拉姆 , 马修·布鲁斯·爱德华兹 , 斯图尔特·罗斯·文哈姆 , 菲利普·乔治·哈默 , 凯瑟琳·艾米丽·尚 , 张子文 , 吕珮玄 , 林·迈 , 宋立辉 , 阿德莱恩·苏吉安托 , 艾利森·马里·文哈姆 , 徐光琦
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/24 , H01L21/30 , H01L21/322 , H01L21/324
CPC分类号： H01L31/068 , H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L21/3003 , H01L21/324 , H01L31/0288 , H01L31/035272 , H01L31/1804 , H01L31/186 , H01L31/1864 , H01L31/1876 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 一种具有多个晶体硅区域的硅器件。一种晶体硅区域是掺杂的晶体硅区域。通过将氢原子引入至掺杂的5晶体硅区域内，由此所述氢以库仑力键合一些或所有的掺杂剂原子以钝化各自的掺杂剂原子从而实现钝化掺杂的晶体硅区域中的一些或所有的掺杂剂原子。钝化的掺杂剂原子可以通过加热和光照掺杂的晶体硅区域而断裂至少一些所述掺杂剂‑氢键，而且同时维持产生高浓度的中性氢原子的条件进行重新活化，由此10一些所述氢原子从所述掺杂的晶体硅区域扩散而不会重新结合至掺杂剂原子。
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公开(公告)号：CN104701419A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510118002.5
申请日：2013-05-20
申请人： 新南创新私人有限公司
发明人： 斯图尔特·罗斯·文哈姆 , 菲利普·乔治·哈默 , 布雷特·杰森·哈拉姆 , 阿德莱恩·苏吉安托 , 凯瑟琳·艾米丽·尚 , 宋立辉 , 吕珮玄 , 艾利森·马里·文哈姆 , 林·迈 , 张子文 , 徐光琦 , 马修·布鲁斯·爱德华兹
CPC分类号： H01L31/1868 , H01L21/3003 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67706 , H01L31/1804 , H01L31/186 , H01L31/1864 , Y02B10/10 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及硅太阳电池的改进的氢化，提供一种硅光伏结装置的氢化方法，硅光伏结装置包括形成至少一个p-n结的p-型硅半导体材料和n-型硅半导体材料。方法包括：i)确保氢必须从其扩散通过的任何硅表面磷扩散层具有1x1020原子/cm3或更小的峰值掺杂浓度以及氢必须从其扩散通过的硅表面硼扩散层具有1x1019原子/cm3或更小的峰值掺杂浓度；ii)提供装置的每个表面能获取的一个或多个氢源；以及iii)将所述装置或所述装置的局部区域加热至至少40℃，同时用至少一个光源同时照射装置的全部的至少一些和/或有利地装置的全部，借此，具有在硅内生成电子空穴对的足够能量的所有入射光子(换言之，能级在1.12eV的硅的带隙之上的光子)的累积功率为至少20mW/cm2。
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公开(公告)号：CN104488094A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380038918.9
申请日：2013-05-20
申请人： 新南创新私人有限公司
发明人： 斯图尔特·罗斯·文哈姆 , 菲利普·乔治·哈默 , 布雷特·杰森·哈拉姆 , 阿德莱恩·苏吉安托 , 凯瑟琳·艾米丽·尚 , 宋立辉 , 吕珮玄 , 艾利森·马里·文哈姆 , 林·迈 , 张子文 , 徐光琦 , 马修·布鲁斯·爱德华兹
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/30 , H01L31/036
CPC分类号： H01L31/1868 , H01L21/3003 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67706 , H01L31/1804 , H01L31/186 , H01L31/1864 , Y02B10/10 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 提供一种硅光伏结装置的氢化方法，硅光伏结装置包括形成至少一个p-n结的p-型硅半导体材料和n-型硅半导体材料。方法包括：i)确保氢必须从其扩散通过的任何硅表面磷扩散层具有1x1020原子/cm3或更小的峰值掺杂浓度以及氢必须从其扩散通过的硅表面硼扩散层具有1x1019原子/cm3或更小的峰值掺杂浓度；ii)提供装置的每个表面能获取的一个或多个氢源；以及iii)将所述装置或所述装置的局部区域加热至至少40℃，同时用至少一个光源同时照射装置的全部的至少一些和/或有利地装置的全部，借此，具有在硅内生成电子空穴对的足够能量的所有入射光子(换言之，能级在1.12eV的硅的带隙之上的光子)的累积功率为至少20mW/cm2。
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公开(公告)号：CN102282650A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201080004801.5
申请日：2010-01-15
申请人： 新南创新私人有限公司
发明人： 林·迈 , 马修·B·爱德华兹 , 马丁·A·格林 , 布雷特·哈拉姆 , 奇夫·哈梅里 , 妮科尔·B·奎伯 , 阿德莱恩·苏吉安托 , 布迪·S·特亚赫约诺 , 斯坦利·王 , 艾利森·M·文哈姆 , 斯图尔特·R·文哈姆
IPC分类号： H01L21/225 , H01L31/068 , H01L21/18 , H01L21/24 , H01L29/00
CPC分类号： H01L21/268 , H01L21/2254 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 一种光伏器件，形成有第一掺杂剂型的半导体材料层的钝化的第一受光面。形成有相反掺杂的半导体材料区，以在与半导体材料层的第一受光面相对地设置的第二表面的至少一部分上形成p-n结。第一掺杂剂型的半导体材料层的第一受光面上形成有第一接点，并且半导体材料层的第二表面上的相反掺杂材料上形成有第二接点。通过在硅材料的表面上方形成铝层而在硅半导体材料的表面上形成p型区。然后在高于铝硅低共熔温度的一温度下对铝进行尖峰烧结，以形成铝半导体合金p型区。在低于铝硅低共熔温度的一温度下执行低温固相外延生长工艺，由此通过固相外延生长使铝区和/或合金区内的剩余硅在铝/硅界面处形成p型区。
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公开(公告)号：CN105493296B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201480042119.3
申请日：2014-07-24
申请人： 新南创新私人有限公司
发明人： 布雷特·杰森·哈拉姆 , 马修·布鲁斯·爱德华兹 , 斯图尔特·罗斯·文哈姆 , 菲利普·乔治·哈默 , 凯瑟琳·艾米丽·尚 , 张子文 , 吕佩玄 , 林·迈 , 宋立辉 , 阿德莱恩·苏吉安托 , 艾利森·马里·文哈姆 , 徐光琦
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L21/225 , H01L21/322 , H01L21/324 , H01L21/56 , H01L23/31 , B32B17/10
摘要： 提供了处理具有含有内部氢源的晶体硅区域的器件的方法。所述方法包括：i)将封装材料施加于所述器件的每个前表面和后表面以形成叠层；ii)向所述叠层施加压力并加热所述叠层以使所述封装材料粘结至所述器件；和iii)冷却所述器件，其中所述加热步骤或冷却步骤或二者在光照下完成。
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公开(公告)号：CN106024611B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201610544080.6
申请日：2013-05-20
申请人： 新南创新私人有限公司
发明人： 斯图尔特·罗斯·文哈姆 , 菲利普·乔治·哈默 , 布雷特·杰森·哈拉姆 , 阿德莱恩·苏吉安托 , 凯瑟琳·艾米丽·尚 , 宋立辉 , 吕珮玄 , 艾利森·马里·文哈姆 , 林·迈 , 张子文 , 徐光琦 , 马修·布鲁斯·爱德华兹
CPC分类号： H01L31/1868 , H01L21/3003 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67706 , H01L31/1804 , H01L31/186 , H01L31/1864 , Y02B10/10 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种用于处理半导体晶片的设备和方法，以用于制造光伏装置，所述设备包括：加热区，在氢源的存在下，能操作以将所述半导体晶片的至少一个区域加热至至少100℃；以及冷却区，包括第一照射器件，所述第一照射器件被配置为在所述半导体晶片的冷却期间利用光子照射所述半导体晶片的表面。
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公开(公告)号：CN104488094B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380038918.9
申请日：2013-05-20
申请人： 新南创新私人有限公司
发明人： 斯图尔特·罗斯·文哈姆 , 菲利普·乔治·哈默 , 布雷特·杰森·哈拉姆 , 阿德莱恩·苏吉安托 , 凯瑟琳·艾米丽·尚 , 宋立辉 , 吕珮玄 , 艾利森·马里·文哈姆 , 林·迈 , 张子文 , 徐光琦 , 马修·布鲁斯·爱德华兹
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/30 , H01L31/036
CPC分类号： H01L31/1868 , H01L21/3003 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67706 , H01L31/1804 , H01L31/186 , H01L31/1864 , Y02B10/10 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 提供一种硅光伏结装置的氢化方法，硅光伏结装置包括形成至少一个p-n结的p-型硅半导体材料和n-型硅半导体材料。方法包括：i)确保氢必须从其扩散通过的任何硅表面磷扩散层具有1x1020原子/cm3或更小的峰值掺杂浓度以及氢必须从其扩散通过的硅表面硼扩散层具有1x1019原子/cm3或更小的峰值掺杂浓度；ii)提供装置的每个表面能获取的一个或多个氢源；以及iii)将所述装置或所述装置的局部区域加热至至少40℃，同时用至少一个光源同时照射装置的全部的至少一些和/或有利地装置的全部，借此，具有在硅内生成电子空穴对的足够能量的所有入射光子(换言之，能级在1.12eV的硅的带隙之上的光子)的累积功率为至少20mW/cm2。
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公开(公告)号：CN105493296A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480042119.3
申请日：2014-07-24
申请人： 新南创新私人有限公司
发明人： 布雷特·杰森·哈拉姆 , 马修·布鲁斯·爱德华兹 , 斯图尔特·罗斯·文哈姆 , 菲利普·乔治·哈默 , 凯瑟琳·艾米丽·尚 , 张子文 , 吕佩玄 , 林·迈 , 宋立辉 , 阿德莱恩·苏吉安托 , 艾利森·马里·文哈姆 , 徐光琦
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/048
CPC分类号： H01L21/3223 , B32B17/10036 , B32B17/10788 , H01L21/2253 , H01L21/324 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L31/048 , H01L31/0488 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 提供了处理具有含有内部氢源的晶体硅区域的器件的方法。所述方法包括：i)将封装材料施加于所述器件的每个前表面和后表面以形成叠层；ii)向所述叠层施加压力并加热所述叠层以使所述封装材料粘结至所述器件；和iii)冷却所述器件，其中所述加热步骤或冷却步骤或二者在光照下完成。
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