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公开(公告)号：CN110402524B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201880017229.2
申请日：2018-02-27
申请人： 新唐科技日本株式会社
摘要： 半导体激光装置(1)在基板(101)的主面的上方，具备第1导电侧半导体层(100)、活性层(300)以及第2导电侧半导体层(200)被依次层叠的层叠构造体，以多模式进行激光振荡，第2导电侧半导体层(200)具有电流阻挡层(240)，所述电流阻挡层(240)具有用于对电流注入区域进行划定的开口部(241)，在层叠构造体中的从第1导电侧半导体层(100)的一部分到第2导电侧半导体层(200)的部分形成一对侧面(105)，活性层(300)具有比开口部(241)的第1宽度宽的第2宽度，第1导电侧半导体层(100)的至少一部分中的一对侧面(105)相对于基板(101)的主面倾斜，对于在层叠构造体中导波的光，基板(101)的主面的法线方向上的光分布的最大强度位置处于第1导电侧半导体层(100)内。
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公开(公告)号：CN115362609A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180025008.1
申请日：2021-04-02
申请人： 新唐科技日本株式会社
摘要： 半导体激光装置(1)具备：N型包覆层(20)、活性层(40)、以及P型包覆层(60)，活性层(40)具有：阱层(41)、被配置在阱层(41)的上方的P侧第1势垒层(43a)、以及被配置在P侧第1势垒层(43a)的上方的P侧第2势垒层(43b)。P侧第2势垒层(43b)的Al组分比，比P侧第1势垒层(43a)的Al组分比高，P侧第2势垒层(43b)的带隙能量，比P侧第1势垒层(43a)的带隙能量大。半导体激光装置(1)具有，前端面(1a)附近的阱层(41)的带隙能量，比谐振器长度方向的中央部的阱层(41)的带隙能量大的端面窗口结构。
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公开(公告)号：CN114747102A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202080079763.3
申请日：2020-11-26
申请人： 新唐科技日本株式会社
IPC分类号： H01S5/343
摘要： 半导体发光元件(1)具备基板(10)、配置在基板(10)的上方的n型包层(12)、配置在n型包层(12)的上方的活性层(14)和配置在活性层(14)的上方的p型包层(17)；活性层(14)具有阱层(14d)、配置在阱层(14d)的n型包层(12)侧的n侧第一势垒层(14a)和配置在阱层(14d)的p型包层(17)侧的p侧势垒层(14f)；p侧势垒层(14f)包含In；n侧第一势垒层(14a)的In组份比低于p侧势垒层(14f)的In组份比；n侧第一势垒层(14a)的带隙能量小于p侧势垒层(14f)的带隙能量。
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公开(公告)号：CN109417274B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201780039787.4
申请日：2017-05-17
申请人： 新唐科技日本株式会社
摘要： 半导体激光装置(1)具备以第一导电侧半导体层(100)、活性层(300)、第二导电侧半导体层(200)的顺序层叠而成的层叠结构体，第二导电侧半导体层(200)，从活性层(300)近的一侧，依次具有第一半导体层(210)和第二半导体层(220)，针对光波导路的电流注入区域的宽度，由第二半导体层(220)规定，电流注入区域的谐振器长度方向的端部，比前端面(1a)以及后端面(1b)位于内侧，电流注入区域具有宽度发生变化的宽度变化区域，将宽度变化区域的前端面(1a)侧的宽度设为S1，宽度变化区域的后端面(1b)侧的宽度设为S1时，S1＞S2。
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公开(公告)号：CN109417276B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201780039851.9
申请日：2017-06-16
申请人： 新唐科技日本株式会社
IPC分类号： H01S5/343
摘要： 本发明提供一种半导体激光器装置、半导体激光器模块及焊接用激光器光源系统。半导体激光器装置(100)具备第1导电侧的第1半导体层(13)、第1导电侧的第2半导体层(14)、活性层(15)、与第1导电侧不同的第2导电侧的第3半导体层(16)和第2导电侧的第4半导体层(17)，在将第2半导体层(14)以及第3半导体层(16)的带隙能量的最大值分别设为Eg2以及Eg3时，满足Eg2＜Eg3的关系式，第3半导体层(16)具有带隙能量朝向第4半导体层(17)单调减少的第1区域层，在将第2半导体层(14)的杂质浓度设为N2，将第3半导体层(16)的杂质浓度设为N3时，满足N2＞N3的关系式。
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