公开(公告)号：CN102822396B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201180016856.2

申请日：2011-04-07

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  柘植弘志 ,  星野泰三 ,  藤本辰雄 ,  胜野正和 ,  中林正史 ,  矢代弘克

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02378 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661

Abstract: 本发明涉及外延碳化硅单晶基板的制造方法，其根据化学气相沉积法使碳化硅膜在碳化硅单晶基板上外延生长。该方法的结晶生长工序中包括伴有温度切换操作的结晶生长副工序，该温度切换操作使生长温度在相对于占外延生长主要时间的结晶生长主工序的生长温度T1低的设定温度T0与高的设定温度T2之间上下地变化。抑制碳化硅单晶基板中所包含的基底面位错延续到外延膜中，形成高品质的外延膜。

公开(公告)号：CN102301043B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201080005900.5

申请日：2010-01-29

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  柘植弘志 ,  星野泰三 ,  藤本辰雄 ,  胜野正和 ,  中林正史 ,  矢代弘克

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02609 ,  C23C16/325 ,  C30B25/14 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634

Abstract: 本发明提供一种具有在使用了偏离角度为6°及其以下的基板的外延生长中抑制了台阶束的发生的高品质外延膜的外延SiC单晶基板及其制造方法。本发明的外延碳化硅单晶基板，是在偏离角度为6°以下的碳化硅单晶基板上形成了碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板，其特征在于，所述碳化硅单晶薄膜表面的表面粗糙度(Ra值)为0.5nm以下。

公开(公告)号：CN102844474B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180018417.5

申请日：2011-05-10

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  柘植弘志 ,  星野泰三 ,  藤本辰雄 ,  胜野正和 ,  中林正史 ,  矢代弘克

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02433 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种在偏离角度为1°~6°的碳化硅单晶基板上具有掺杂密度的面内均匀性优良的碳化硅外延膜的外延碳化硅单晶基板。外延膜通过使0.5μm以下的掺杂层和0.1μm以下的无掺杂层重复而生长。通过将材料气体中的碳原子数相对于硅原子数的比（C/Si比）规定为1.5~2.0而形成掺杂层，通过将C/Si比规定为0.5以上且低于1.5而形成无掺杂层。由此提供一种在偏离角度小的碳化硅单晶基板上具有高品质且掺杂密度的面内均匀性优良的碳化硅外延膜的外延碳化硅单晶基板。