公开(公告)号：CN107075726A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580056466.6

申请日：2015-10-13

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  关和明 ,  岸田豊 ,  森口晃治 ,  海藤宏志 ,  大黑宽典 ,  土井雅喜

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B19/062 ,  C30B17/00 ,  C30B19/04 ,  C30B19/08 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供即使在长时间地进行晶体生长的情况下也能够减少Si－C溶液的温度偏差的、SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法包括以下工序：准备工序，在该准备工序中，准备制造装置(100)，该制造装置(100)包括容纳有Si－C溶液的原料的坩埚(7)、在下端安装有晶种(9)的晶种轴(41)、以及在中央具有供晶种轴(41)穿过的通孔(60A)且能够配置于坩埚(7)内的中盖(60)；生成工序，在该生成工序中，对坩埚(7)内的原料进行加热而生成Si－C溶液(8)；生长工序，在该生长工序中，使晶种(9)与Si－C溶液(8)相接触，从而在晶种(9)上制造SiC单晶；以及中盖调整工序，在生长工序中实施该中盖调整工序，使中盖(60)和坩埚(7)中的任一者相对于另一者在高度方向上相对移动，从而将中盖(60)与Si－C溶液(8)之间的高度方向距离的变动幅度调整到第1基准范围内。

公开(公告)号：CN107849661A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680042985.1

申请日：2016-06-29

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 富尾悠索 ,  海藤宏志

IPC: C22C38/00 ,  C22C38/58 ,  C21D1/18 ,  C21D8/00

Abstract: 本发明提供耐腐蚀性和低温韧性优异的不锈钢。不锈钢以质量％计含有Cr：15.5～18.0％，以满足式(1)的范围含有选自由Mo和W组成的组中的1种或2种。基体组织以体积率计具有：40～80％的回火马氏体相、10～50％的铁素体相和1～15％的奥氏体相。将以100倍的倍率拍摄基体组织而得到的显微组织图像配置于xy坐标系，以灰度表示1024×1024的各像素时，用式(2)定义的β为1.55以上。1.0≤Mo+0.5W≤3.5(1)此处，Mo、W是以质量％表示的Mo、W的含量。

公开(公告)号：CN107075723A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580048515.1

申请日：2015-08-31

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  关和明 ,  岸田豊 ,  森口晃治 ,  海藤宏志

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B17/00 ,  C30B19/04 ,  C30B29/36

Abstract: 本实施方式的制造方法具备生成工序(S1)、第1生长工序(S2)、恢复工序(S3)和第2生长工序(S4)。生成工序(S1)中，在坩埚内生成含有Si、Al和C的Si‑C溶液。第1生长工序(S2)中，将籽晶轴下降，使安装于籽晶轴的下端的SiC晶种与Si‑C溶液接触后，使Al掺杂的p型SiC单晶在SiC晶种上生长。恢复工序(S3)中，在第1生长工序(S2)后，提高Si‑C溶液的Al浓度。第2生长工序(S4)中，在恢复工序(S3)后，使Al掺杂的p型SiC单晶继续生长。