一种精馏尾气回收系统
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106554021A

    公开(公告)日:2017-04-05

    申请号:CN201510639584.1

    申请日:2015-09-30

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 本发明提供一种精馏尾气回收系统,所述精馏尾气包括携带有磷、硼杂质的氯硅烷气体,所述回收系统包括反歧化塔和杂质吸附装置,在所述反歧化塔内,从上部进料口进入的四氯化硅物料对从下部进料口进入的精馏尾气进行淋洗并发生反歧化反应,反应生成的三氯氢硅及其携带的磷、硼杂质作为初步净化气从反歧化塔的气相出口输出,所述精馏尾气中的剩余物质和未反应的四氯化硅物料从反歧化塔的排液口排出,所述杂质吸附装置用于对所述初步净化气进行吸附处理,以去除其中的磷、硼杂质。本发明所述回收系统能够将精馏尾气中的氯硅烷较好地回收,从而节约了生产成本。

    一种多晶硅生长控制方法

    公开(公告)号:CN114545865B

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202011336534.3

    申请日:2020-11-25

    IPC分类号: G05B19/418 C01B33/035

    摘要: 本发明公开一种多晶硅生长控制方法,包括:建立快速熔断控制曲线,并写入DCS系统;通过建立数学模型,获取U‑I标准曲线,并写入DCS系统;制定基准供料表并设定在DCS系统上,在生产过程中基于DCS系统采集还原炉运行电流和电压的实时数据,并得到U‑I实时曲线;将U‑I实时曲线和U‑I标准曲线进行对比,并根据U‑I实时曲线中的实际电压和U‑I标准曲线中的标准电压的对比结果对制定的所述基准供料表中的参数进行修正,以使在实际电流达到标准电流时的实际电压达到标准电压,得到最终控制曲线和按所述最终控制曲线生产得到的品质均匀的多晶硅产品。本发明可避免还原炉运行超负荷导致的电气故障,获得品质均匀的多晶硅产品。

    一种多晶硅生长控制方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114545865A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202011336534.3

    申请日:2020-11-25

    IPC分类号: G05B19/418 C01B33/035

    摘要: 本发明公开一种多晶硅生长控制方法,包括:建立快速熔断控制曲线,并写入DCS系统;通过建立数学模型,获取U‑I标准曲线,并写入DCS系统;制定基准供料表并设定在DCS系统上,在生产过程中基于DCS系统采集还原炉运行电流和电压的实时数据,并得到U‑I实时曲线;将U‑I实时曲线和U‑I标准曲线进行对比,并根据U‑I实时曲线中的实际电压和U‑I标准曲线中的标准电压的对比结果对制定的所述基准供料表中的参数进行修正,以使在实际电流达到标准电流时的实际电压达到标准电压,得到最终控制曲线和按所述最终控制曲线生产得到的品质均匀的多晶硅产品。本发明可避免还原炉运行超负荷导致的电气故障,获得品质均匀的多晶硅产品。

    一种精馏尾气回收系统
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106554021B

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201510639584.1

    申请日:2015-09-30

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 本发明提供一种精馏尾气回收系统,所述精馏尾气包括携带有磷、硼杂质的氯硅烷气体,所述回收系统包括反歧化塔和杂质吸附装置,在所述反歧化塔内,从上部进料口进入的四氯化硅物料对从下部进料口进入的精馏尾气进行淋洗并发生反歧化反应,反应生成的三氯氢硅及其携带的磷、硼杂质作为初步净化气从反歧化塔的气相出口输出,所述精馏尾气中的剩余物质和未反应的四氯化硅物料从反歧化塔的排液口排出,所述杂质吸附装置用于对所述初步净化气进行吸附处理,以去除其中的磷、硼杂质。本发明所述回收系统能够将精馏尾气中的氯硅烷较好地回收,从而节约了生产成本。

    一种冷氢化除尘系统及工艺

    公开(公告)号:CN106554018B

    公开(公告)日:2018-12-25

    申请号:CN201510630048.5

    申请日:2015-09-28

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 本发明提供一种冷氢化除尘系统及工艺,通过将旋风分离器、气气换热器和过滤器串联连接,进行干法除尘,将流化床反应气中的硅粉粉尘分离出来并回收至流化床内,在完成干法除尘之后再将反应气输送至洗涤塔以进行湿法除尘,旋风除尘及过滤除尘之后紧接着进行洗涤除尘,干法、湿法除尘配合合理,该冷氢化除尘方案采用两级干法除尘工艺,除尘效果明显。反应气经过两级干法除尘后,反应气中的大部分粉尘已去除,有效降低了后续湿法除尘的负荷,使得洗涤塔釜液中固体含量减少,保证了洗涤塔除尘及渣浆排放的顺畅进行。而且,分离出来的硅粉粉尘可以重新进入流化床内再利用,节能减排,降低生产成本。

    多晶硅生产中的尾气吸收液和冷凝液回收的分隔壁精馏塔、方法、处理系统

    公开(公告)号:CN105749575B

    公开(公告)日:2017-12-19

    申请号:CN201410788582.4

    申请日:2014-12-17

    IPC分类号: B01D3/32 B01D3/14

    摘要: 本发明公开了一种多晶硅生产中的尾气吸收液和尾气冷凝液回收的分隔壁精馏塔、方法、处理系统,该分隔壁精馏塔包括进料口,分隔壁精馏塔包括至少部分的设置在其内的分隔壁,分隔壁将分隔壁精馏塔分隔为Ⅰ区域、Ⅱ区域、Ⅲ区域,Ⅲ区域设置于分隔壁精馏塔的塔釜,Ⅰ区域与Ⅱ区域分别设置于分隔壁的两侧,进料口与Ⅰ区域同侧,Ⅰ区域用于解析氯化氢;Ⅱ区域为侧线采出段,Ⅱ区域用于通过侧线采出来收集二氯二氢硅和三氯氢硅的混合物;Ⅲ区域为Ⅰ区域与Ⅱ区域的公共精馏段,Ⅲ区域用于收集四氯化硅。在一个分隔壁精馏塔内实现了氯化氢、四氯化硅、二氯二氢硅和三氯氢硅混合物的分离,且耗能小、体积小、操作流程简单、回收效果好。

    一种冷氢化除尘系统及工艺

    公开(公告)号:CN106554018A

    公开(公告)日:2017-04-05

    申请号:CN201510630048.5

    申请日:2015-09-28

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 本发明提供一种冷氢化除尘系统及工艺,通过将旋风分离器、气气换热器和过滤器串联连接,进行干法除尘,将流化床反应气中的硅粉粉尘分离出来并回收至流化床内,在完成干法除尘之后再将反应气输送至洗涤塔以进行湿法除尘,旋风除尘及过滤除尘之后紧接着进行洗涤除尘,干法、湿法除尘配合合理,该冷氢化除尘方案采用两级干法除尘工艺,除尘效果明显。反应气经过两级干法除尘后,反应气中的大部分粉尘已去除,有效降低了后续湿法除尘的负荷,使得洗涤塔釜液中固体含量减少,保证了洗涤塔除尘及渣浆排放的顺畅进行。而且,分离出来的硅粉粉尘可以重新进入流化床内再利用,节能减排,降低生产成本。

    多晶硅生产中的尾气吸收液和冷凝液回收的分隔壁精馏塔、方法、处理系统

    公开(公告)号:CN105749575A

    公开(公告)日:2016-07-13

    申请号:CN201410788582.4

    申请日:2014-12-17

    IPC分类号: B01D3/32 B01D3/14

    摘要: 本发明公开了一种多晶硅生产中的尾气吸收液和尾气冷凝液回收的分隔壁精馏塔、方法、处理系统,该分隔壁精馏塔包括进料口,分隔壁精馏塔包括至少部分的设置在其内的分隔壁,分隔壁将分隔壁精馏塔分隔为Ⅰ区域、Ⅱ区域、Ⅲ区域,Ⅲ区域设置于分隔壁精馏塔的塔釜,Ⅰ区域与Ⅱ区域分别设置于分隔壁的两侧,进料口与Ⅰ区域同侧,Ⅰ区域用于解析氯化氢;Ⅱ区域为侧线采出段,Ⅱ区域用于通过侧线采出来收集二氯二氢硅和三氯氢硅的混合物;Ⅲ区域为Ⅰ区域与Ⅱ区域的公共精馏段,Ⅲ区域用于收集四氯化硅。在一个分隔壁精馏塔内实现了氯化氢、四氯化硅、二氯二氢硅和三氯氢硅混合物的分离,且耗能小、体积小、操作流程简单、回收效果好。

    一种柔性夹具
    9.
    实用新型

    公开(公告)号:CN208826401U

    公开(公告)日:2019-05-07

    申请号:CN201821246411.9

    申请日:2018-08-03

    IPC分类号: B25B11/00 C01B33/021

    摘要: 本实用新型提供一种柔性夹具,其包括相对设置的两面夹板,其中每面夹板均包括底板、设置在所述底板上的弹性垫层,以及设置在所述弹性垫层上的接触层,所述接触层与待夹件直接接触。本实用新型所述柔性夹具通过在每面夹板中设置弹性垫层,有效提高了接触层与硅棒的贴合度,尽量避免硅棒与接触层之间发生相对滑动,能够很好地适应不同粗细和表面粗糙度不一的硅棒。

    一种多晶硅还原炉电极结构

    公开(公告)号:CN208948861U

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201821609103.8

    申请日:2018-09-30

    IPC分类号: C01B33/035

    摘要: 本实用新型公开了一种多晶硅还原炉电极结构,包括电极(1)和设于电极上的绝缘组件,绝缘组件包括敷设在电极上的绝缘功能层(4)、以及依次套装在绝缘功能层上的密封瓷环(5)和绝缘套(3),绝缘功能层处于电极的直筒段从电极头锥部以下延伸至托台(8)的位置,其采用陶瓷粉末制成,密封瓷环与绝缘功能层紧密贴合。所述电极结构能够减少多晶硅还原炉运行过程中的缺相现象。