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公开(公告)号：CN116738222A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310741464.7
申请日：2023-06-21
申请人： 新特硅基新材料有限公司 , 新特能源股份有限公司
IPC分类号： G06F18/2135 , G06F18/214 , G06F18/20
摘要： 本申请提供了一种多晶硅生产设备数据预测方法、装置、服务器及存储介质，其中，方法包括：获取多个第一参数样本，第一参数样本中的第一样本参数包括多晶硅生产设备的设备参数及其上下游工艺的工艺参数；获取根据EMD和主成分分析到滤波后的第二样本参数以及第二参数样本，通过主成分分析，确定至少一个主要参数及其对应的响应参数；根据多元线性回归，得到参数间的关联模型；根据第二参数样本、关联模型以及各第二样本参数对应的EMD分量集合，得到对应的预测参数样本以及预测稳健距离。本申请能够进行有效降噪，并基于各参数之间的关联构建关联模型使得预测结果更加准确，通过预测稳健距离，提高了预测结果的准确性和稳定性。
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公开(公告)号：CN116789139A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310739707.3
申请日：2023-06-20
申请人： 新特硅基新材料有限公司 , 新特能源股份有限公司
IPC分类号： C01B33/021
摘要： 本发明提供一种还原炉雾化的预测方法和装置，涉及多晶硅生产技术领域。该方法包括：根据预测模型，确定第一时间的还原尾气理论排出温度；根据获取第一时间的还原尾气实际排出温度与还原尾气理论排出温度，确定第二时间的预测温度；第二时间为第一时间之后的时间；根据预测温度，预测第二时间的还原炉的雾化反应。本发明的方案，根据预测温度，准确判断还原炉的雾化程度，以便操作人员及时掌握还原炉内雾化程度及进行调整，实现一定程度的雾化边界卡边运行，以达到既降低电耗又保证还原炉产品质量的目的。
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公开(公告)号：CN116704640A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310746934.9
申请日：2023-06-21
申请人： 新特能源股份有限公司 , 新特硅基新材料有限公司
摘要： 本发明提供一种精馏塔系统的模块化巡检方法和装置。该方法包括：对精馏塔系统进行模块化划分，确定类比火焰后的外焰部分、内焰部分和焰芯部分；外焰部分包括精馏塔高处、附属管线高处、钢结构顶层、钢结构外立面，钢结构内部外层回流罐；内焰部分包括钢结构二层至次顶层的管线处；焰芯部分包括钢结构底层机泵处；分别对外焰部分、内焰部分和焰芯部分，采用相对应的巡检方式。本发明的方案，对精馏塔系统进行模块化划分，将划分的内容采用相对应的巡检方式，对精馏塔较为复杂的系统巡检标准化、模块化，使得在进行新的精馏塔建设时，能够快速复制推广。
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公开(公告)号：CN102745691B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210245222.0
申请日：2012-07-16
申请人： 新特能源股份有限公司
IPC分类号： C01B33/02 , C01B33/107
摘要： 一种三氯氢硅合成炉废硅粉回收方法，包括合成炉和硅粉收集罐，具体操作步骤包括，A、在合成炉正常停车后，对合成炉进行置换；B、在置换合格后，将合成炉底部硅粉泄放阀与硅粉收集罐通过金属软管进行相连，通过氮气进口管线向合成炉通入氮气；C、打开硅粉泄放阀，氮气连同硅粉被带入硅粉收集罐，氮气通过硅粉收集罐顶部布袋过滤器被放空，使硅粉被收集到硅粉收集罐内，实现了硅粉的全部回收使用。本发明的有益效果如下：本方法工艺简单，工艺条件易于实现，且操作方便；再生产中可以将合成炉内废旧硅粉全部回收再使用，同时回收时不会对人员身体产生粉尘危害。本发明同时公开了三氯氢硅合成炉废硅粉回收装置。
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公开(公告)号：CN102910633A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210412287.X
申请日：2012-10-25
申请人： 新特能源股份有限公司
IPC分类号： C01B33/107
摘要： 本发明公开了一种间隙式回收利用多晶硅生产中洗涤塔排放废液中氯硅烷的方法，是将将从多晶硅生产中产生的氯硅烷废液间歇式分地进入蒸发装置，通过控制蒸发器温度120℃-180℃，压力0.1-0.6MPa时，将沸点较低的三氯氢硅、四氯化硅蒸发成气态，然后送入精馏塔净化处理后回收再利用，同时提供了上述方法中所用的蒸发装置。本发明的有益效果为：本方法工艺简单，工艺条件易于实现，且操作方便；在生产过程中改善了多晶硅生产中氯硅烷废液的处理难题，最主要的是减少了残液的排放量，减少了氯硅烷的浪费，减少了碱液池的处理负荷和缓解了环境的污染问题，减少了人力劳动量，降低了生产成本，实现了氯硅烷的完全回收，防止了设备堵塞现象。
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公开(公告)号：CN116768215A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310741553.1
申请日：2023-06-21
申请人： 新特硅基新材料有限公司 , 新特能源股份有限公司
IPC分类号： C01B33/021
摘要： 本申请提供了一种多晶硅生产控制方法、装置、服务器及存储介质，应用于设备健康管理，其中，方法包括：对关于多晶硅设备及其上下游工艺的历史参数样本进行动态主成分分析，得到动态主成分分析模型，包括动态主成分分析方程以及各主成分参数的霍特林统计量检验值和SPE检验值；根据参数波动最小时的公共时间段内各主成分参数对应的平均值以及动态主成分分析方程，得到多晶硅设备与其上下游工艺耦合的历史耦合模型；且根据动态主成分分析模型，得到基于多元线性回归的第一耦合模型以及基于主成分分析和多元线性回归的第二耦合模型；根据通过有效性校验后的目标耦合模型，对多晶硅设备的设备参数和/或多晶硅设备的上下游工艺的工艺参数进行控制。
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公开(公告)号：CN107555439A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201610500428.1
申请日：2016-06-30
申请人： 新特能源股份有限公司
IPC分类号： C01B33/035 , G05D23/19
摘要： 本发明提供一种多晶硅生长电流自动控制方法，包括如下步骤：将从多晶硅开始进料至反应结束停止进料的全过程划分为三个时段，分别为第一至第三时段；在第一时段内，预设目标温度曲线，根据实际温度控制给定电流的输出，以使实际温度接近目标温度；在第二时段内，预设给定电流曲线，并按照给定电流曲线控制给定电流的输出；在第三时段内，预设给定电流值，并控制给定电流恒定地输出该预设的给定电流值。相应地，还提供一种多晶硅生长电流自动控制装置。本发明能够自动控制多晶硅生长电流，从而减少甚至避免了人为操作，而且重复性高，能够适应不同的工况和参数，易于调整和改进。
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公开(公告)号：CN105293501B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201410256884.7
申请日：2014-06-10
申请人： 新特能源股份有限公司
IPC分类号： C01B33/03
摘要： 本发明提供一种多晶硅生产系统及方法，根据预设的第一尾气与物料流量比例控制输送至还原炉的反应尾气的流量，并检测反应尾气中二氯二氢硅的组分、输送至还原炉的反应尾气的流量以及进入还原炉的氢气和三氯氢硅的混合气的流量，当尾气控制周期到达时，计算当前反应尾气与物料混合后的气体的二氯二氢硅的含量，并根据所述二氯二氢硅的含量、预设的第一含量和第二含量，控制输送至还原炉的反应尾气的流量，能够有效控制进入还原炉的反应尾气中的二氯二氢硅的含量，减少无定型硅的生成，提高多晶硅产品品质，延长下游工序设备的使用寿命。
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公开(公告)号：CN116912052A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310906649.9
申请日：2023-07-24
申请人： 新特硅基新材料有限公司 , 新特能源股份有限公司
IPC分类号： G06Q50/20 , G06Q10/0639 , G06F17/16 , G06F16/22 , G09B9/00
摘要： 本发明提供一种员工培训方法、系统、电子设备及存储介质，其中方法包括：实操培训步骤：若用户已经设定实操培训任务，且被培训员工完成了实操培训任务，获取第一操作数据；虚拟培训步骤：根据当前的原始培训数据构建虚拟工作场景和虚拟培训任务，并获取第二操作数据；校验步骤：根据第一操作数据及第二操作数据，确定被培训员工是否达到预设的培训指标得到校验结果；执行步骤：若校验结果为未达到，采用预先训练的培训预测模型根据第一操作数据及第二操作数据得到训练效能预测结果；并根据训练效能预测结果对原始培训数据进行修正；以修正培训数据作为新的原始培训数据返回实操培训步骤直至达到培训指标。本发明能够实现高培训效率。
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公开(公告)号：CN116843064A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310751524.3
申请日：2023-06-21
申请人： 新特能源股份有限公司 , 新特硅基新材料有限公司
IPC分类号： G06Q10/04 , G06Q50/04 , G06F18/2135 , G06F17/11 , G06N3/0442
摘要： 本发明提供了一种多晶硅生产设备控制方法、装置、服务器和存储介质，多晶硅生产设备控制方法，包括：获取目标参数；对目标参数进行经验模态分解EMD以及主成分分析处理，得到目标参数的平稳参数；获取目标参数的主成分参数的预测样本和目标参数的稳健距离参数的预测样本；根据目标参数的平稳参数、目标参数的主成分参数的预测样本和目标参数的稳健距离参数的预测样本，确定目标设备的设备参数以及目标设备的上游和下游的工艺参数的预测结果；根据预测结果，对目标设备的设备参数和/或目标设备的上游和下游的工艺参数进行调整。本发明方案，可以提高设备参数的预测精度，并进一步实现对目标设备和/或目标设备的上游和下游的准确控制。
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