一种去除氯硅烷中碳杂质的方法及系统

    公开(公告)号:CN115838175B

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202211362206.X

    申请日:2022-11-02

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 本发明提供一种去除氯硅烷中碳杂质的方法及系统,方法包括:将多晶硅生产过程中的含碳氯硅烷与还原尾气混合,以使二者中的物料进行反应,对反应后的混合物料进行冷凝,以使反应后的混合物料中的氯硅烷冷凝成液体,对冷凝产生的气体进行吸附,以去除其中的甲烷,对冷凝产生的液体进行精馏,以去除其中的甲基三氯硅烷。本发明在不需要催化剂和/或原料浓缩的前提下,利用还原尾气余热促进甲基二氯硅烷反应的进行,使其转化成更高沸点的甲基三氯硅烷和更低沸点的甲烷气体,不仅技术手段简单、而且能够提高三氯氢硅与甲基氯硅烷杂质的分离效率,降低分离能耗,同时也为还原尾气热能利用提供了新思路。

    一种去除氯硅烷中碳杂质的方法及系统

    公开(公告)号:CN115838175A

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202211362206.X

    申请日:2022-11-02

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 本发明提供一种去除氯硅烷中碳杂质的方法及系统,方法包括:将多晶硅生产过程中的含碳氯硅烷与还原尾气混合,以使二者中的物料进行反应,对反应后的混合物料进行冷凝,以使反应后的混合物料中的氯硅烷冷凝成液体,对冷凝产生的气体进行吸附,以去除其中的甲烷,对冷凝产生的液体进行精馏,以去除其中的甲基三氯硅烷。本发明在不需要催化剂和/或原料浓缩的前提下,利用还原尾气余热促进甲基二氯硅烷反应的进行,使其转化成更高沸点的甲基三氯硅烷和更低沸点的甲烷气体,不仅技术手段简单、而且能够提高三氯氢硅与甲基氯硅烷杂质的分离效率,降低分离能耗,同时也为还原尾气热能利用提供了新思路。