巡检路径规划方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN118258398A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202410285896.6

    申请日:2024-03-12

    IPC分类号: G01C21/20

    摘要: 本发明公开了一种巡检路径规划方法、装置、电子设备及存储介质,该方法包括:可以获取目标车间的栅格地图和巡检路径,巡检路径包括多个子路径,子路径为相邻两个巡检点之间的巡检路径,巡检点关联有巡检任务;在接收到用户输入的障碍信息的情况下,在所述栅格地图中标记所述障碍物的障碍区域和影响区域;根据障碍区域和影响区域,确定受障碍物影响的待规划子路径和待规划巡检点,然后对待规划子路径以及受影响的待规划巡检点的巡检任务进行重新规划,最终更新整个巡检路径和巡检点关联的巡检任务,确保巡检机器人能够有效绕过障碍物,完成巡检任务,从而保证巡检的连续性和效率。

    一种还原炉生产过程的控制方法和控制装置

    公开(公告)号:CN116880377A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202310742606.1

    申请日:2023-06-20

    IPC分类号: G05B19/418

    摘要: 本发明公开一种还原炉生产过程的控制方法和控制装置,该控制方法,包括:获取还原炉的雾化累计值和六相电流值。获取所述还原炉的TCS实时流量、氢气实时流量和实时电流。根据所述雾化累计值和所述六相电流值,判断所述还原炉是否存在异常状态。根据所述异常状态的判定结果和所述TCS实时流量、所述氢气实时流量和所述实时电流,对所述还原炉进行控制。本方法通过判断还原炉是否存在异常状态,并根据异常状态对TCS实时流量、氢气实时流量和实时电流的进行及时修正,能够实现对还原炉生产过程中TCS流量、氢气流量和电流的精确控制,进而能够统一产品标准,提高产品品质。

    多晶硅生产设备数据预测方法、装置、服务器及存储介质

    公开(公告)号:CN116738222A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202310741464.7

    申请日:2023-06-21

    摘要: 本申请提供了一种多晶硅生产设备数据预测方法、装置、服务器及存储介质,其中,方法包括:获取多个第一参数样本,第一参数样本中的第一样本参数包括多晶硅生产设备的设备参数及其上下游工艺的工艺参数;获取根据EMD和主成分分析到滤波后的第二样本参数以及第二参数样本,通过主成分分析,确定至少一个主要参数及其对应的响应参数;根据多元线性回归,得到参数间的关联模型;根据第二参数样本、关联模型以及各第二样本参数对应的EMD分量集合,得到对应的预测参数样本以及预测稳健距离。本申请能够进行有效降噪,并基于各参数之间的关联构建关联模型使得预测结果更加准确,通过预测稳健距离,提高了预测结果的准确性和稳定性。

    多晶硅冷氢化催化剂回收分离设备以及多晶硅生产系统

    公开(公告)号:CN116282036A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310102794.1

    申请日:2023-02-03

    IPC分类号: C01B33/035

    摘要: 本发明公开了一种多晶硅冷氢化催化剂回收分离设备,包括回收分离器,回收分离器包括主管道、第一回收支管以及回收磁体,主管道包括水平管段和与水平管段连通的竖直管段,水平管段的端口连接流化床反应器的出气口,竖直管段的底部端口作为四氯化硅气体的出口,第一回收支管的一端连通于竖直管段的管身上,另一端作为催化剂颗粒的出口,第一回收支管与竖直管段的相接处的顶部为第一平滑曲面,回收磁体的布置位置沿水平管段的顶部、该第一平滑曲面衔接至第一回收支管的顶部。本发明的多晶硅冷氢化催化剂回收分离设备可以利用磁性高效分离催化剂,降低生产成本,降低产物杂质含量,从而保障产品的纯度品质,本发明还提供一种多晶硅生产系统。

    一种用于多晶硅生产还原炉的进料装置

    公开(公告)号:CN116253324A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202310184198.2

    申请日:2023-02-28

    IPC分类号: C01B33/035

    摘要: 本发明公开一种用于多晶硅生产还原炉的进料装置,包括鼓泡汽化器、气液分离器,还包括膜层单元、控制系统,所述鼓泡汽化器上连接有三氯氢硅进料管线和氢气进料管线,分别用于通入三氯氢硅液体和氢气,所述膜层单元设于所述鼓泡汽化器内,用于使氢气在鼓泡汽化器中的三氯氢硅液体内产生纳微气泡;所述控制系统,用于跟踪鼓泡汽化器的液位变化及三氯氢硅液体的进料流量变化对三氯氢硅液体的进料流量进行调节,以及,按照预设的三氯氢硅液体进料流量与氢气进料流量的比例,对氢气的进料流量进行调节,从而准确控制三氯氢硅气体与氢气的进料流量及其进料比例。本发明能够降低能耗,准确控制三氯氢硅气体与氢气的进料量及其进料比例。

    一种还原炉调控方法、装置及相关设备

    公开(公告)号:CN115477304A

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202211185106.4

    申请日:2022-09-27

    IPC分类号: C01B33/021

    摘要: 本申请提供一种还原炉调控方法、装置及相关设备,其中,所述调控方法包括:获取第一目标参数,其中,所述第一目标参数用于表征还原炉当前的硅粉含量;根据基准硅粉含量和所述第一目标参数之间的差异,确定第一偏差信息;根据所述第一偏差信息,对所述还原炉的影响因子进行调控,所述影响因子包括所述还原炉的输入原料的输入量和所述还原炉的电流值中的至少一项。通过获取还原炉当前的硅粉含量,将该硅粉含量与基准硅粉含量进行差异比较,确定第一偏差信息,并基于该第一偏差信息对还原炉的影响因子进行调控的自动调控方式,以替换人工调控的方式,避免人为因素的干扰,使还原炉当前的硅粉沉积速率趋近预期,提高还原炉当前的硅粉沉积速率。

    一种多晶硅生产控制方法、装置、服务器及存储介质

    公开(公告)号:CN116768215A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310741553.1

    申请日:2023-06-21

    IPC分类号: C01B33/021

    摘要: 本申请提供了一种多晶硅生产控制方法、装置、服务器及存储介质,应用于设备健康管理,其中,方法包括:对关于多晶硅设备及其上下游工艺的历史参数样本进行动态主成分分析,得到动态主成分分析模型,包括动态主成分分析方程以及各主成分参数的霍特林统计量检验值和SPE检验值;根据参数波动最小时的公共时间段内各主成分参数对应的平均值以及动态主成分分析方程,得到多晶硅设备与其上下游工艺耦合的历史耦合模型;且根据动态主成分分析模型,得到基于多元线性回归的第一耦合模型以及基于主成分分析和多元线性回归的第二耦合模型;根据通过有效性校验后的目标耦合模型,对多晶硅设备的设备参数和/或多晶硅设备的上下游工艺的工艺参数进行控制。

    多晶硅反应炉的温度控制方法、装置及相关设备

    公开(公告)号:CN116514126A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310543003.9

    申请日:2023-05-12

    IPC分类号: C01B33/035

    摘要: 本公开提供一种多晶硅反应炉的温度控制方法、装置及相关设备,涉及多晶硅生产的技术领域,其中,方法包括:在第一时段获取第一硅棒组的第一电压数据和第二硅棒组的第二电压数据,第二硅棒组环绕第一硅棒组设置;当第一电压数据和第二电压数据之间的电压差值大于第一预设阈值时,降低第一硅棒组在第一时段的第一电流增量,升高第二硅棒组在第一时段的第二电流增量;根据降低后的第一电流增量增加第一硅棒组的电流,根据升高后的第二电流增量增加第二硅棒组的电流。本公开以电压差值测定不同硅棒组之间的温差,并基于电流增量的调整实现对不同硅棒组的温度控制,使多晶硅反应炉不同位置的硅棒温度趋近预期温度,提升多晶硅反应炉获得的温控效果。

    一种多晶硅监控方法、装置及相关设备

    公开(公告)号:CN115775229A

    公开(公告)日:2023-03-10

    申请号:CN202211425068.5

    申请日:2022-11-14

    摘要: 本申请提供一种多晶硅监控方法、装置及相关设备,其中,所述方法包括:获取反应炉的监控图像;对所述监控图像进行图像分析,获得分析结果;在所述分析结果满足报警条件的情况下,输出报警信息;所述报警条件包括黑斑区域的数目参数大于或等于第一阈值;黑斑区域的面积参数大于或等于第二阈值;所述监控图像对应的第一相似参数小于或等于第三阈值;所述监控图像包括的高亮像素点位于预设区间内中的至少一项。通过图像区域监测、图像相似度比较以及图像像素值监测等方式,对硅棒生产过程中的硅棒黑斑、反应炉雾化以及硅棒亮点等问题进行量化监控,以在硅棒生长异常时发出警报,降低不合格硅棒的产出率,提升硅棒所获得的监控效果。