一种多晶硅系统中还原炉的清洗方法及装置

    公开(公告)号:CN115672831A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211346172.5

    申请日:2022-10-31

    IPC分类号: B08B3/00

    摘要: 本发明提供了一种多晶硅系统中还原炉的清洗方法及装置,涉及多晶硅生产技术领域。该方法包括:对还原炉的待清洗部件进行检测,确定所述待清洗部件上杂质的成分;根据所述杂质的成分,确定所述清洗部件的目标清洗方案;根据所述目标清洗方案,对所述待清洗部件进行清洗。本发明实施例的多晶硅系统中还原炉的清洗方法,能够根据所述待清洗部件表面杂质的成分不同,采用不同的清洗方案对所述带清洗部件进行清洗,能够提高清洗的效果,进而提高还原炉的洁净度,降低多晶硅表面杂质的含量,提高多晶硅的质量。解决了现有技术中只针对成品车间的产品流程进行操作及环境洁净度的监控,无法彻底解决多晶硅表金属含量较高的问题。