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公开(公告)号：CN106575610B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201580007867.2
申请日：2015-08-12
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/268 , H01L21/329 , H01L29/868
Abstract: 一种碳化硅半导体装置的制造方法，依次包含：研磨工序，通过从第二主面114侧对碳化硅半导体基体110进行研磨，从而在所第二主面形成凹凸；金属薄膜形成工序，在碳化硅半导体基体的第二主面上，形成由可形成金属碳化物的金属构成的金属薄膜118；激光照射工序，通过对金属薄膜进行可见区域或红外区域的激光照射将金属薄膜加热，从而在碳化硅半导体基体与金属薄膜的境界面形成金属碳化物120；蚀刻工序，将有可能形成在所述金属碳化物的表面侧的含金属副生成物层122利用非氧化性药液蚀刻去除，从而使所述金属碳化物露出于表面；以及电极形成工序，在金属碳化物上形成阴电极126。本发明的碳化硅半导体装置的制造方法，是一种不存在碳析出问题，并且能够以低成本制造具有良好电阻特性以及粘着特性的欧姆电极的碳化硅半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN107533961A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201580007858.3
申请日：2015-12-11
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L21/28
Abstract: 碳化硅半导体装置(100)的制造方法，包括：在碳化硅晶片(10)的表面侧形成表面电极(30)的工序；从背面侧将碳化硅晶片(10)变薄，从而将碳化硅晶片(10)薄板化的工序；在薄板化后的碳化硅晶片(10)的背面设置金属层(21)的工序；在施加外力使碳化硅晶片(10)以及金属层(21)平坦化的状态下，对金属层(21)进行激光照射从而在金属层(21)的背面侧形成与碳化硅晶片(10)中的碳反应后的碳化物层(20)的工序；以及在碳化物层(20)的背面侧形成背面电极(40)的工序。
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公开(公告)号：CN106575610A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580007867.2
申请日：2015-08-12
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/268 , H01L21/329 , H01L29/868
Abstract: 一种碳化硅半导体装置的制造方法，依次包含：研磨工序，通过从第二主面114侧对碳化硅半导体基体110进行研磨，从而在所第二主面形成凹凸；金属薄膜形成工序，在碳化硅半导体基体的第二主面上，形成由可形成金属碳化物的金属构成的金属薄膜118；激光照射工序，通过对金属薄膜进行可见区域或红外区域的激光照射将金属薄膜加热，从而在碳化硅半导体基体与金属薄膜的境界面形成金属碳化物120；蚀刻工序，将有可能形成在所述金属碳化物的表面侧的含金属副生成物层122利用非氧化性药液蚀刻去除，从而使所述金属碳化物露出于表面；以及电极形成工序，在金属碳化物上形成阴电极126。本发明的碳化硅半导体装置的制造方法，是一种不存在碳析出问题，并且能够以低成本制造具有良好电阻特性以及粘着特性的欧姆电极的碳化硅半导体装置的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102683430B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210067432.5
申请日：2012-03-06
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L29/872
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/0619 , H01L29/0649 , H01L29/1608
Abstract: 在基板的中心区域，形成有横跨邻接护圈层的第二半导体层和邻接该第二半导体层的第二半导体层之间的第三绝缘层。即，在第二半导体层与第二半导体层之间，形成有覆盖了在基板的第一面(一侧的主面)露出的第一半导体层的第三绝缘层。这样，第三绝缘层在第二半导体层和第二半导体层之间，使在基板11的第一面11a露出的第一半导体层和金属层之间电气绝缘。
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公开(公告)号：CN107533961B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201580007858.3
申请日：2015-12-11
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L21/28
Abstract: 碳化硅半导体装置(100)的制造方法，包括：在碳化硅晶片(10)的表面侧形成表面电极(30)的工序；从背面侧将碳化硅晶片(10)变薄，从而将碳化硅晶片(10)薄板化的工序；在薄板化后的碳化硅晶片(10)的背面设置金属层(21)的工序；在施加外力使碳化硅晶片(10)以及金属层(21)平坦化的状态下，对金属层(21)进行激光照射从而在金属层(21)的背面侧形成与碳化硅晶片(10)中的碳反应后的碳化物层(20)的工序；以及在碳化物层(20)的背面侧形成背面电极(40)的工序。
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公开(公告)号：CN104704611B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380021025.3
申请日：2013-10-08
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/6606 , H01L21/02236 , H01L21/02255 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/0455 , H01L21/0485 , H01L21/31111 , H01L23/291 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/167 , H01L29/45 , H01L29/66136 , H01L29/66143 , H01L29/8611 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的碳化硅半导体装置的制造方法按以下顺序包括：在含有包含氮及氧的分子的气体环境下，以1150℃以上的温度将SiC基板的一个表面进行热氧化从而形成热氧化膜的同时，在该过程中向SiC基板的一个表面导入高浓度的氮；第二工序，通过蚀刻将热氧化膜从SiC基板的一个表面上去除后，通过将所述SiC基板的一个表面暴露在自由基中，在被导入到SiC基板的一个表面的高浓度的氮中将被导入到SiC的晶格中的氮保留的同时，将在SiC基板的一个表面上形成的Si‑N结合体及C‑N结合体去除，从而在SiC基板的一个表面上形成高浓度n型SiC层；以及第三工序，在SiC基板的一个表面上形成欧姆电极层。通过本发明，不实施高温退火工序，便能够在SiC层的表面上形成欧姆电极层。
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公开(公告)号：CN104704611A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201380021025.3
申请日：2013-10-08
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/6606 , H01L21/02236 , H01L21/02255 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/0455 , H01L21/0485 , H01L21/31111 , H01L23/291 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/167 , H01L29/45 , H01L29/66136 , H01L29/66143 , H01L29/8611 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的碳化硅半导体装置的制造方法按以下顺序包括：在含有包含氮及氧的分子的气体环境下，以1150℃以上的温度将SiC基板的一个表面进行热氧化从而形成热氧化膜的同时，在该过程中向SiC基板的一个表面导入高浓度的氮；第二工序，通过蚀刻将热氧化膜从SiC基板的一个表面上去除后，通过将所述SiC基板的一个表面暴露在自由基中，在被导入到SiC基板的一个表面的高浓度的氮中将被导入到SiC的晶格中的氮保留的同时，将在SiC基板的一个表面上形成的Si-N结合体及C-N结合体去除，从而在SiC基板的一个表面上形成高浓度n型SiC层；以及第三工序，在SiC基板的一个表面上形成欧姆电极层。通过本发明，不实施高温退火工序，便能够在SiC层的表面上形成欧姆电极层。
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公开(公告)号：CN102683430A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210067432.5
申请日：2012-03-06
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L29/872
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/0619 , H01L29/0649 , H01L29/1608
Abstract: 在基板的中心区域，形成有横跨邻接护圈层的第二半导体层和邻接该第二半导体层的第二半导体层之间的第三绝缘层。即，在第二半导体层与第二半导体层之间，形成有覆盖了在基板的第一面(一侧的主面)露出的第一半导体层的第三绝缘层。这样，第三绝缘层在第二半导体层和第二半导体层之间，使在基板11的第一面11a露出的第一半导体层和金属层之间电气绝缘。
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