一种铝合金取样器及样品

    公开(公告)号:CN221667327U

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202323119762.7

    申请日:2023-11-15

    IPC分类号: G01N1/10 G01N1/28 G01N1/36

    摘要: 本实用新型公开了一种铝合金取样器,包括取样器本体,所述取样器本体内部设有异型型腔,用于容纳能够形成样品的铝合金熔体,所述异型型腔包括饼状部和杆状部,所述饼状部的直径大于厚度,且位于异型型腔下部,所述杆状部的直径小于饼状部的直径,且位于异型型腔上部,一端连通取样器本体外部作为浇筑口,另一端连通饼状部。本实用新型的铝合金取样器结构设计合理,具有良好的散热均匀性,有效避免样品成分偏析。本实用新型还提供一种铝合金样品。

    一种中子探测器中构架用铝片及其制备工艺

    公开(公告)号:CN113444931A

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN202110703339.8

    申请日:2021-06-24

    摘要: 本发明为一种中子探测器中构架用铝片及其制备工艺。一种中子探测器中构架用铝片的制备工艺,包括:(1)将高纯铝锭熔融后,一次精炼,得熔体1;(2)加入高纯镁锭,熔融后,得熔体2;(3)所述的熔体2进行二次精炼,得熔体3;(4)所述的熔体3进行在线精炼,得熔体4;(5)所述的熔体4进行双级板式过滤,得熔体5;(6)铸造,得扁锭;(7)铣面后,经过热轧、冷轧处理,得箔片;(8)将所述的箔片清洗后,得所述的中子探测器中构架用铝片。本发明采用高纯铝添加高纯镁锭配置高纯铝镁合金熔体,通过精炼、过滤除气除渣处理后铸造铝镁扁锭;再将铝镁扁锭经过冷轧、热轧、清洗后,获得纯度及强度满足中子探测器使用需求的箔片。

    旋转铝靶材及其制备方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116904941A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310836114.9

    申请日:2023-07-10

    IPC分类号: C23C14/34 C22F1/04 B23P15/00

    摘要: 本发明提供了一种旋转铝靶材及其制备方法,所述制备方法包括如下步骤:提供高纯铝铸锭;对所述高纯铝铸锭进行冷锻造处理,得到第一锻坯;对所述第一锻坯进行车削处理,得到第二锻坯;将所述第二锻坯在50℃~60℃温度下进行去应力退火处理1h~2h;对所述去应力退火后的第二锻坯进行穿孔挤压处理,得到第一铝管坯;其中,穿孔针的温度为350℃~450℃,挤压筒的温度为350℃~450℃,挤压速度为0.5m/s~1.5m/s;将所述第一铝管坯在280℃~320℃温度下进行再结晶退火处理3h~6h,得到旋转铝靶材。本发明的制备方法对原材料高纯铝铸锭的晶粒度要求较低,可以采用晶粒度较大的高纯铝铸锭制备得到内部无缺陷、组织致密、均匀性好、平均晶粒度<100μm的旋转铝靶材,能够满足客户法使用需求,适于工业化批量生产。

    一种中子探测器中构架用铝片及其制备工艺

    公开(公告)号:CN113444931B

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202110703339.8

    申请日:2021-06-24

    摘要: 本发明为一种中子探测器中构架用铝片及其制备工艺。一种中子探测器中构架用铝片的制备工艺,包括:(1)将高纯铝锭熔融后,一次精炼,得熔体1;(2)加入高纯镁锭,熔融后,得熔体2;(3)所述的熔体2进行二次精炼,得熔体3;(4)所述的熔体3进行在线精炼,得熔体4;(5)所述的熔体4进行双级板式过滤,得熔体5;(6)铸造,得扁锭;(7)铣面后,经过热轧、冷轧处理,得箔片;(8)将所述的箔片清洗后,得所述的中子探测器中构架用铝片。本发明采用高纯铝添加高纯镁锭配置高纯铝镁合金熔体,通过精炼、过滤除气除渣处理后铸造铝镁扁锭;再将铝镁扁锭经过冷轧、热轧、清洗后,获得纯度及强度满足中子探测器使用需求的箔片。

    一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法

    公开(公告)号:CN111719059B

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN202010527438.0

    申请日:2020-06-11

    摘要: 本发明为一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法。一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法,包括:S10配制中间合金:所述的中间合金为铝铜中间合金和铝硅中间合金;S20:将所述的中间合金与99.9995%纯度的高纯铝在真空熔炼炉中熔融,完全熔融后,得合金液;所述的合金液中硅含量为0.9‑1.1wt%,铜含量为0.45‑0.55wt%;S30:将所述的合金液采用高纯氩气进行在线精炼;S40:将经过在线精炼的合金液进行双极过滤;S50:将经过双级过滤的合金液进行φ120‑164mm棒材坯料铸造,得所述的溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料。本发明所述的一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法,制备的溅射用高纯AL‑1wt%Si‑0.5wt%Cu靶材坯料中微量杂质元素含量极低,溅射成膜性能好,且成分均匀。

    一种液晶面板用铝残靶的回收方法

    公开(公告)号:CN113174487A

    公开(公告)日:2021-07-27

    申请号:CN202110392864.2

    申请日:2021-04-13

    IPC分类号: C22B7/00 C22B21/00

    摘要: 本发明为一种液晶面板用铝残靶的回收方法。一种液晶面板用铝残靶的回收方法,包括以下步骤:(1)从铝残靶中取小样,去除小样表面的焊剂粘附层;(2)测定步骤(1)处理后小样的焊剂粘附深度;(3)根据所述的小样测定得到的焊剂粘附深度,对铝残靶进行四面打磨;(4)对步骤(3)处理后的铝残靶进行碱洗;(5)对步骤(4)处理后的铝残靶进行清洗;(6)烘干。本发明采用辉光放电质朴仪激发的方式测定表面铟含量厚度,则可对应制定打磨工艺,确保残留焊剂的完全去除;打磨结合碱洗的处理工艺效率高,清洗效果更佳,可有效保障回配原料的纯净度。