公开(公告)号：CN103173738A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201310093231.7

申请日：2013-03-22

申请人： 新疆大学

发明人： 吴荣 ,  任会会 ,  简基康

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C30B29/40 ,  C30B25/00

摘要： 本发明公开了一种Ga空位可调的GaN纳米结构的制备方法，属于纳米材料及其制备的技术领域。本发明采用化学气相沉积法，以高纯Ga2O3粉和NH3气分别作为Ga源和N源，将Ga2O3粉置于陶瓷舟中，将陶瓷舟置于中央加热区，密封水平管式炉，炉内真空度抽至1×10-2Pa以下，通入流量为100sccm的氩气，对管式炉进行加热。温度达到980℃时，通入流量为100-200sccm的氨气并保持3h。停止加热，自然降温至600℃，再次打开加热装置，升温至980℃保持2h。自然冷却到室温，关掉氩气，取出样品。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，产物均匀且可控性好，对环境危害小，易于推广。

公开(公告)号：CN102352485A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110297648.6

申请日：2011-09-30

申请人： 新疆大学

发明人： 吴荣 ,  任银拴 ,  简基康 ,  潘东 ,  娄阳 ,  蒋小康 ,  李锦 ,  孙言飞 ,  任会会

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  H01L43/12 ,  H01F41/18 ,  H01F10/193

摘要： 本发明公开了一种Si掺杂AlN稀磁半导体薄膜的制备方法。本方法以为高纯的氮气作为工作气体，采用高纯Al靶和硅片原位共溅射，系统的本底真空度为10-5Pa-10-4Pa，基片为n型Si（100），靶材与基片间的距离为60mm，溅射功率为300W，溅射气压为1.5Pa，衬底温度为370℃，溅射时间为60min。基片经清洗除去表面杂质后，通过改变掺杂硅片的数量来得到不同掺杂浓度的AlN稀磁半导体薄膜。本方法制备沉积速率高，工艺简单，而且不需要任何后续处理就可以得到具有室温铁磁性和高居里温度的稀磁半导体薄膜材料，因而具有重要的研究价值和广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN102321915A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110295405.9

申请日：2011-10-08

申请人： 新疆大学

发明人： 吴荣 ,  任会会 ,  姜楠楠 ,  任银拴 ,  简基康 ,  李锦 ,  孙言飞

IPC分类号： C30B25/08 ,  C30B29/10

摘要： 本发明公开了一种Mn掺杂AlN单晶纳米棒的制备方法，属于纳米材料及其制备的技术领域。本发明采用化学气相沉积法，在陶瓷和Si衬底上生长Mn掺杂AIN单晶纳米棒。高纯Al粉、无水AlCl3，高纯Mn粉和NH3气分别作为Al源，Mn源和N源置于陶瓷舟中，经过去离子水和无水乙醇超声清洗的多晶Al2O3基片作为衬底扣置在陶瓷舟上。陶瓷舟置于中央加热区处，密封水平管式炉，炉内真空度抽至9×10-3Pa，通入流量为200sccm的氩气，并对管式炉进行加热。温度达到1400℃时，通入流量为30sccm的氨气并保持1h。然后，停止加热，关掉氨气，并保持氩气流量不变。自然冷却到室温，关掉氩气，取出衬底，得到样品。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，产物均匀性好，可控性好，对环境危害小，易于推广。