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公开(公告)号：CN102447220A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010506998.4
申请日：2010-09-30
申请人： 新科实业有限公司
发明人： 玉贯岳正
CPC分类号： H01S5/18313 , H01S5/0425 , H01S5/18352 , H01S2301/14 , H01S2301/176 , H01S2304/00
摘要： 提供一种可高速变频且可稳定地控制激光偏振方向的面发光型半导体激光器。具有由半导体基板，形成在该半导体基板上方的下部镜面层，形成在该下部镜面层上方的活性层，形成在该活性层上方的含氧化层的上部镜面层顺次层积，且在高度方向上特定的位置往上方有一部分形成台面状的共振器；覆盖所述共振器台面部的侧面及该共振器的非台面部上方的绝缘层；各自配线在所述上部镜面层的上方及所述半导体基板的下方的各电极。形成在所述共振器的所述台面部侧面的所述绝缘层的一部分的厚度，沿着该台面部的高度方向同等地比其他部分更厚。
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公开(公告)号：CN104078843A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201310109611.5
申请日：2013-03-29
申请人： 新科实业有限公司
发明人： 玉贯岳正
CPC分类号： H01S5/125 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/183 , H01S5/18313 , H01S5/18327 , H01S5/18344 , H01S5/18347 , H01S5/18352 , H01S5/18377 , H01S5/18386 , H01S5/18391 , H01S5/187 , H01S2301/203
摘要： 本发明的上DBR镜的上高折射率层具有一中心区及一边缘区。所述中心区具有相对所述边缘区向激光发射的方向突出的一凸起。其中，所述垂直腔面发射半导体激光器满足下列关系式：dp×n=(1/4+N/2)×λ，及dc×n=dp×n+(1/4+M/2)×λ，其中，λ为真空中所述激光的波长；dc为所述上高折射率层的中心区的膜厚度；dp为所述上高折射率层的边缘区的膜厚度；n为所述上高折射率层的折射率；及N、M为零或自然数。
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公开(公告)号：CN104078844A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201310109615.3
申请日：2013-03-29
申请人： 新科实业有限公司
发明人： 玉贯岳正
CPC分类号： H01S5/18391 , H01S5/0282 , H01S5/0653 , H01S5/18313 , H01S5/18377 , H01S2301/16
摘要： 本发明的上分布式布拉格反射镜上的保护膜具有一中心区及一边缘区。所述中心区具有相对所述边缘区向激光发射的方向突出的一凸起。其中，垂直腔面发射半导体激光器满足下列关系式：dp×n=(N/2)×λ,及dc×n=dp×n+(1/4+M/2)×λ其中，λ为真空中所述激光的波长；dc为所述保护膜的中心区的膜厚度；dp为所述保护膜的边缘区的膜厚度；n为所述保护膜的折射率（其中空气折射率
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