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公开(公告)号：CN103493315B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201280019906.7
申请日：2012-05-16
申请人： 古河电气工业株式会社
CPC分类号： H01S5/005 , G02B6/4202 , G02B6/4248 , H01S5/022 , H01S5/02252 , H01S5/02284 , H01S5/02415 , H01S5/02484 , H01S5/02492 , H01S5/146 , H01S5/147 , H01S2301/16
摘要： 本发明涉及一种由阈值附近的驱动电流进行驱动也能输出稳定的多模输出的激光装置。本发明提供一种激光装置，其具备半导体激光元件、在与半导体激光元件的反射面之间形成谐振器，使激光振荡并输出振荡后的激光的波长选择元件、与半导体激光元件的射出面以耦合效率η进行光学耦合，并使从射出面输出的光输入波长选择元件的光学系统；光学系统，将相对于向半导体激光元件注入的注入电流，光输出变为线性的光输出线性区域中的最小光输出相关的下式Ａ值设定为小于耦合效率η最大情况下的A值。
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公开(公告)号：CN104247176B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380021768.0
申请日：2013-03-12
申请人： 松下知识产权经营株式会社
发明人： 高山彻
CPC分类号： H01S5/2205 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0287 , H01S5/1014 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2301/16
摘要： 在本发明的半导体发光元件中，在半导体基板(300)上，第1导电型的第1包覆层(312)、量子阱活性层(314)、第2导电型的第2包覆层(316)依次被层叠。在第2包覆层(316)，通过脊形条纹来形成波导。在将射出激光的前端面处的脊形条的宽度设为Wf，将与前端面相反的一侧的后端面处的脊形条的宽度设为Wr，将前端面的反射率设为Rf，将后端面的反射率设为Rr时，具有Rf＜Rr以及Wf＞Wr的关系。在波导中，基本横模、1次高次横模、2次高次横模以及3次高次横模被导波。
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公开(公告)号：CN104247176A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380021768.0
申请日：2013-03-12
申请人： 松下知识产权经营株式会社
发明人： 高山彻
CPC分类号： H01S5/2205 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0287 , H01S5/1014 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2301/16
摘要： 在本发明的半导体发光元件中，在半导体基板(300)上，第1导电型的第1包覆层(312)、量子阱活性层(314)、第2导电型的第2包覆层(316)依次被层叠。在第2包覆层(316)，通过脊形条纹来形成波导。在将射出激光的前端面处的脊形条的宽度设为Wf，将与前端面相反的一侧的后端面处的脊形条的宽度设为Wr，将前端面的反射率设为Rf，将后端面的反射率设为Rr时，具有Rf＜Rr以及Wf＞Wr的关系。在波导中，基本横模、1次高次横模、2次高次横模以及3次高次横模被导波。
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公开(公告)号：CN103918142A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280053838.6
申请日：2012-09-19
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： H01S5/34333 , G02B1/11 , H01L33/58 , H01S5/0206 , H01S5/0264 , H01S5/0281 , H01S5/0286 , H01S5/2018 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S2301/16 , H01S2301/18
摘要： 一种用于制造光电子半导体构件(1)的方法，其具有下述步骤：在生长衬底(3)上外延地生长具有有源层的半导体层序列(2)；在半导体层序列(2)和生长衬底(3)上成形正面小平面(4)；借助用于在制成的半导体构件(1)中产生的辐射(R)的阻光层(5)对正面小平面(4)的一部分进行覆层，其中阻光层(5)借助定向的覆层方法来生成并且在覆层时借助于通过生长衬底(3)和/或通过至少一个遮光条(6)的遮蔽来进行对阻光层(5)的结构化，所述遮光条设置在生长衬底(3)上和/或附近。
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公开(公告)号：CN102498625A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080041692.4
申请日：2010-09-01
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 , 京特·格伦宁格 , 克里斯蒂安·劳尔 , 哈拉尔德·柯尼希
CPC分类号： H01S5/20 , B82Y20/00 , H01S5/2031 , H01S5/34313 , H01S2301/16 , H01S2301/166
摘要： 公开了一种具有产生辐射的有源区(1)和全波导(8)的边发射半导体激光器，所述半导体激光器适用于对在有源区(1)中所产生的辐射在半导体激光器之内进行引导。全波导(8)包括第一n掺杂层(4)和设置在第一n掺杂层(4)和有源区(1)之间的第二n掺杂层(5)，其中第二n掺杂层(5)的折射率n2以数值dn大于第一n掺杂层(4)的折射率n1。
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公开(公告)号：CN104767121B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201510153386.4
申请日：2011-10-05
申请人： 佳能株式会社
发明人： 井久田光弘
CPC分类号： H01S5/18 , B41J2/455 , B41J2/473 , H01S3/02 , H01S5/183 , H01S5/18313 , H01S5/1833 , H01S5/18361 , H01S5/18391 , H01S5/3202 , H01S5/423 , H01S2301/16 , H01S2301/166 , H01S2301/18
摘要： 本发明提供表面发射激光器和分别包括表面发射激光器的表面发射激光器阵列和图像形成装置，所述表面发射激光器提供足够的光学输出并适于用作电子照相装置的光源。表面发射激光器在前反射镜的前表面上包含第一阶梯结构。在第一阶梯结构中，第一区域中的光路长度与第二区域中的光路长度之间的差值L满足下式：(1/4+N)λ
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公开(公告)号：CN107078463A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580047713.6
申请日：2015-09-14
申请人： 株式会社藤仓
发明人： 阪本真一
CPC分类号： H01S5/02252 , G02B6/42 , H01S5/005 , H01S5/022 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/20 , H01S5/2036 , H01S5/4012 , H01S2301/16
摘要： 本发明提供一种LD模块。使LD(11)的发射极宽度(WLD)比光纤(12)的入射端面(12S)的纤芯(121)的直径(DC)大。另外，利用夹装在LD(11)与光纤(12)之间的光学系统(13)，使光纤(12)的入射端面(12S)处的激光的光束直径(DB)比光纤(12)的入射端面(12S)处的芯径(DC)小。由此，提高LD(11)的可靠性而不降低LD(11)与光纤(12)的结合效率。
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公开(公告)号：CN106816809A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201610852546.9
申请日：2016-09-26
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01S5/24 , H01S5/0206 , H01S5/0425 , H01S5/0653 , H01S5/1017 , H01S5/1032 , H01S5/1042 , H01S5/1075 , H01S5/1082 , H01S5/2027 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/3211 , H01S5/343 , H01S2301/16 , H01S2301/176 , H01S5/3407 , H01S5/347
摘要： 一种半导体激光谐振器以及包括其的半导体激光装置，该半导体激光谐振器配置为产生激光束，其包括增益介质层，增益介质层包括半导体材料且包括由至少一个沟槽形成的至少一个突起以在增益介质层的上部中突出。在半导体激光谐振器中，至少一个突起配置为将激光束限制为在至少一个突起中的驻波。
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公开(公告)号：CN104078844A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201310109615.3
申请日：2013-03-29
申请人： 新科实业有限公司
发明人： 玉贯岳正
CPC分类号： H01S5/18391 , H01S5/0282 , H01S5/0653 , H01S5/18313 , H01S5/18377 , H01S2301/16
摘要： 本发明的上分布式布拉格反射镜上的保护膜具有一中心区及一边缘区。所述中心区具有相对所述边缘区向激光发射的方向突出的一凸起。其中，垂直腔面发射半导体激光器满足下列关系式：dp×n=(N/2)×λ,及dc×n=dp×n+(1/4+M/2)×λ其中，λ为真空中所述激光的波长；dc为所述保护膜的中心区的膜厚度；dp为所述保护膜的边缘区的膜厚度；n为所述保护膜的折射率（其中空气折射率
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公开(公告)号：CN105264727A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201380077216.1
申请日：2013-09-16
申请人： 恩耐激光技术有限公司
发明人： M·坎斯卡
CPC分类号： H01S5/2036 , H01S5/0287 , H01S5/0651 , H01S5/1003 , H01S5/1014 , H01S5/1203 , H01S5/2018 , H01S5/22 , H01S2301/16 , H01S2301/18
摘要： 一种宽面半导体二极管激光器器件，包括：多模高反射体端面；与所述多模高反射体端面间隔开的局部反射体端面；以及在所述多模高反射体端面与所述局部反射体端面之间延伸和变宽的扩张式电流注入区域，其中，局部反射体端面宽度与高反射体端面宽度之间的比率为n:1，其中n＞1。所述宽面半导体激光器件是一个扩张式激光振荡器波导，相对于常规的直波导配置递送改进的光束亮度和光束参数乘积。
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