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公开(公告)号：CN102447220A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010506998.4
申请日：2010-09-30
Applicant: 新科实业有限公司
Inventor： 玉贯岳正
CPC classification number: H01S5/18313 , H01S5/0425 , H01S5/18352 , H01S2301/14 , H01S2301/176 , H01S2304/00
Abstract: 提供一种可高速变频且可稳定地控制激光偏振方向的面发光型半导体激光器。具有由半导体基板，形成在该半导体基板上方的下部镜面层，形成在该下部镜面层上方的活性层，形成在该活性层上方的含氧化层的上部镜面层顺次层积，且在高度方向上特定的位置往上方有一部分形成台面状的共振器；覆盖所述共振器台面部的侧面及该共振器的非台面部上方的绝缘层；各自配线在所述上部镜面层的上方及所述半导体基板的下方的各电极。形成在所述共振器的所述台面部侧面的所述绝缘层的一部分的厚度，沿着该台面部的高度方向同等地比其他部分更厚。
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公开(公告)号：CN102356525B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200980158073.0
申请日：2009-12-22
Applicant: 株式会社理光
Inventor： 花冈克成
CPC classification number: B41J2/442 , B41J2/455 , B41J2/473 , H01S5/18311 , H01S5/18352 , H01S5/2086 , H01S5/423
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器元件，包括衬底；层叠体，该层叠体是通过用上反射镜和下反射镜夹置半导体有源层而形成并且定位于衬底的表面上；连接到衬底中的与所述表面相对的另一表面上的下电极；以及连接到上反射镜的上表面的上电极，其中，所述上反射镜和下反射镜分别通过交替层叠具有不同折射率的半导体膜而形成，并且在电流施加在上电极和下电极之间时，垂直腔表面发射激光器元件沿着垂直于衬底的表面的方向发射激光，所述垂直腔表面发射激光器元件还包括：在上反射镜中的选择性氧化层，其具有由氧化区域和未氧化区域构成的电流阻挡结构，以及可探测部分，该可探测部分形成在由包括选择性氧化层和有源层的上反射镜成形的台地结构的侧表面上，由此能够探测在层叠体的深度方向上选择性氧化层距层叠体的顶部的位置。
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公开(公告)号：CN104734011A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410767410.9
申请日：2014-12-12
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01S5/183 , G04F5/145 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/0623 , H01S5/0687 , H01S5/18311 , H01S5/18338 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18352 , H01S5/18355 , H01S5/18372 , H01S5/3201 , H01S2301/176
Abstract: 本发明涉及面发光激光器以及原子振荡器，提供能够实现偏振光方向的稳定的面发光激光器。本发明所涉及的面发光激光器(100)包括基板(10)、设置在基板(10)上方的层叠体(2)、至少一部分设置在层叠体(2)上方的电极(82)、以及与电极(82)电连接并被进行引线接合的焊盘(84)，层叠体(2)包括设置在基板(10)上方的第1镜层(20)、设置在第1镜层(20)上方的活性层(30)、和设置在活性层(30)上方的第2镜层(40)，在俯视时，具有第1变形赋予部(2a)、第2变形赋予部(2b)、以及设置在第1变形赋予部(2a)与第2变形赋予部(2b)之间并使由活性层(30)产生的光谐振的谐振部(2c)，在俯视时，焊盘(84)被设置在与第1变形赋予部(2a)以及第2变形赋予部(2b)中的至少一方不重叠的位置上。
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公开(公告)号：CN104734009A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410766454.X
申请日：2014-12-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 今井保贵
CPC classification number: G04F5/145 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/18313 , H01S5/18333 , H01S5/1835 , H01S5/18352 , H03L7/26
Abstract: 本发明提供能够减小寄生电容的面发光激光器。本发明的面发光激光器(100)包括基板(10)和设置在基板(10)上方的层叠体(2)，在俯视时，层叠体(2)具有第1形变赋予部(2a)、第2形变赋予部(2b)、和设置在第1形变赋予部(2a)与第2形变赋予部(2b)之间且使由活性层(30)产生的光共振的共振部(2c)，层叠体(2)具有设置在基板(10)上方的第1反射镜层(20)、设置在第1反射镜层(20)上方的活性层(30)、设置在活性层(30)上方的第2反射镜层(40)、和除了第1形变赋予部(2a)的第2反射镜层(40)上方以及第2形变赋予部(2b)的第2反射镜层(40)上方之外，设置在共振部(2c)的第2反射镜层(40)上方的接触层(50)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104078843A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201310109611.5
申请日：2013-03-29
Applicant: 新科实业有限公司
Inventor： 玉贯岳正
CPC classification number: H01S5/125 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/183 , H01S5/18313 , H01S5/18327 , H01S5/18344 , H01S5/18347 , H01S5/18352 , H01S5/18377 , H01S5/18386 , H01S5/18391 , H01S5/187 , H01S2301/203
Abstract: 本发明的上DBR镜的上高折射率层具有一中心区及一边缘区。所述中心区具有相对所述边缘区向激光发射的方向突出的一凸起。其中，所述垂直腔面发射半导体激光器满足下列关系式：dp×n=(1/4+N/2)×λ，及dc×n=dp×n+(1/4+M/2)×λ，其中，λ为真空中所述激光的波长；dc为所述上高折射率层的中心区的膜厚度；dp为所述上高折射率层的边缘区的膜厚度；n为所述上高折射率层的折射率；及N、M为零或自然数。
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公开(公告)号：CN104734010A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410766462.4
申请日：2014-12-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/18327 , H01S5/18338 , H01S5/18341 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18352 , H01S5/18355 , H01S5/3201 , H01S2301/176
Abstract: 本发明涉及面发光激光器以及原子振荡器。面发光激光器包括基板；以及层叠体，其设置在上述基板的上方，上述层叠体包括第1反射镜层、活性层、第2反射镜层、以及电流狭窄层，俯视时，上述层叠体具有：第1形变赋予部；第2形变赋予部；以及共振部，其设置在上述第1形变赋予部与述第2形变赋予部之间，且使由上述活性层产生的光共振，在上述俯视时，上述电流狭窄层的开口部具有设有长边方向的形状，上述电流狭窄层的上述开口部的长边方向与上述第1形变赋予部以及上述第2形变赋予部从上述共振部延伸的方向平行。
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公开(公告)号：CN104734007A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410756929.7
申请日：2014-12-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01S5/423 , G04F5/145 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/0623 , H01S5/0687 , H01S5/18311 , H01S5/18338 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18352 , H01S5/18355 , H01S5/18372 , H01S5/3201 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提供面发光激光器以及原子振荡器。面发光激光器包括：层叠体、设置于上述层叠体的至少一部分的上方的绝缘层、至少一部分设置于上述层叠体上方的电极、焊盘、以及将上述电极与上述焊盘电连接的配线，上述层叠体包括第一反射镜层、活性层以及第二反射镜层，在俯视观察下，上述层叠体具有第一变形施加部、第二变形施加部以及设置于上述第一变形施加部与上述第二变形施加部之间的共振部，在俯视观察下，上述电极设置为覆盖上述共振部的至少一部分，在俯视观察下，上述配线的宽度比上述第一变形施加部的宽度宽，且比上述电极的宽度窄。
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公开(公告)号：CN104734006A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410754275.4
申请日：2014-12-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 今井保贵
CPC classification number: H01S5/42 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/18327 , H01S5/18338 , H01S5/18341 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18352 , H01S5/18355 , H01S5/3201 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提供面发光激光器以及原子振荡器。面发光激光器能够实现偏振方向的稳定化。面发光激光器包括基板以及设置于基板上方的层叠体，层叠体包括：设置于基板上方的第一反射镜层、设置于第一反射镜层上方的活性层、以及设置于活性层上方的第二反射镜层，在俯视观察下，层叠体具有：第一变形施加部(2a)、第二变形施加部(2b)、以及设置于第一变形施加部与第二变形施加部之间并使在活性层产生的光共振的共振部(2c)，第一变形施加部的侧面(106)与基板的上表面(12)所成的角度(α1)以及第二变形施加部的侧面(116)与基板的上表面所成的角度(α2)，比共振部的侧面(64)与基板的上表面所成的角度(β)大。
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公开(公告)号：CN102356525A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200980158073.0
申请日：2009-12-22
Applicant: 株式会社理光
Inventor： 花冈克成
CPC classification number: B41J2/442 , B41J2/455 , B41J2/473 , H01S5/18311 , H01S5/18352 , H01S5/2086 , H01S5/423
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器元件，包括衬底；层叠体，该层叠体是通过用上反射镜和下反射镜夹置半导体有源层而形成并且定位于衬底的表面上；连接到衬底中的与所述表面相对的另一表面上的下电极；以及连接到上反射镜的上表面的上电极，其中，所述上反射镜和下反射镜分别通过交替层叠具有不同折射率的半导体膜而形成，并且在电流施加在上电极和下电极之间时，垂直腔表面发射激光器元件沿着垂直于衬底的表面的方向发射激光，所述垂直腔表面发射激光器元件还包括：在上反射镜中的选择性氧化层，其具有由氧化区域和未氧化区域构成的电流阻挡结构，以及可探测部分，该可探测部分形成在由包括选择性氧化层和有源层的上反射镜成形的台地结构的侧表面上，由此能够探测在层叠体的深度方向上选择性氧化层距层叠体的顶部的位置。
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