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公开(公告)号：CN101887730B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN200910145687.7
申请日：2009-05-15
Applicant: 新科实业有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁头滑块的制造方法：在磁头滑块的空气承载面上形成第一保护膜，其包括在空气承载面上依次层积第一硅膜和第一类金刚石碳膜，磁头滑块形成有写入元件和读取元件中的至少任意一个（步骤S3）；在形成了第一保护膜的空气承载面上形成用于控制磁头滑块的飞行特性的凹凸部，第一保护膜在形成凹凸部的部位被破坏（步骤S4）；从形成了凹凸部的空气承载面开始将第一保护膜的一部分厚度除去使该第一保护膜变薄，其包括将第一类金刚石碳膜全部除去，再将第一硅膜的一部分厚度除去，从而使第一硅膜的厚度小于1nm（步骤S5）；在变薄后的第一保护膜上形成第二保护膜（步骤S6）。该磁头滑块的制造方法可形成抑制膜厚度并且耐腐蚀性优异的保护膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101452706B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200710196399.5
申请日：2007-11-28
Abstract: 本发明提供一种耐腐蚀性良好的薄膜保护膜的形成方法，根据该方法可以提供高品质的被保护体。本发明所涉及的在被保护体的至少一部分表面形成保护膜的方法，包括在所述被保护体的表面形成底膜的底膜形成工序及在该底膜上形成类金刚石碳膜的DLC膜形成工序；其中，在所述底膜形成工序中，反复进行在沉积规定膜厚的底膜之后再沿着膜厚度方向部分除去该底膜的环节，从而在被保护体的表面多次形成底膜。而且，还包括在进行所述DLC膜形成工序之前进行的在所述形成类金刚石碳膜的底膜表面上形成绝缘层的绝缘层形成工序。
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公开(公告)号：CN101452706A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710196399.5
申请日：2007-11-28
Abstract: 本发明提供一种耐腐蚀性良好的薄膜保护膜的形成方法，根据该方法可以提供高品质的被保护体。本发明所涉及的在被保护体的至少一部分表面形成保护膜的方法，包括在所述被保护体的表面形成底膜的底膜形成工序及在该底膜上形成类金刚石碳膜的DLC膜形成工序；其中，在所述底膜形成工序中，反复进行在沉积规定膜厚的底膜之后再部分或全部除去该底膜的环节，从而在被保护体的表面多次形成底膜。而且，还包括在进行所述DLC膜形成工序之前进行的在所述形成类金刚石碳膜的底膜表面上形成绝缘层的绝缘层形成工序。
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公开(公告)号：CN101887730A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200910145687.7
申请日：2009-05-15
Applicant: 新科实业有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁头滑块的制造方法，该方法包括：在磁头滑块的空气承载面上形成第一保护膜，磁头滑块形成有写入元件和读取元件中的至少任意一个(步骤S3)；在形成了第一保护膜的磁头滑块的空气承载面上形成用于控制磁头滑块的飞行特性的凹凸部(步骤S4)；从形成了凹凸部的磁头滑块的空气承载面开始将第一保护膜的一部分除去使该第一保护膜变薄(步骤S5)；在变薄后的第一保护膜上形成第二保护膜(步骤S6)。本发明的磁头滑块的制造方法可在磁头滑块上形成抑制膜厚度并且耐腐蚀性优异的保护膜。
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