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公开(公告)号：CN102456356B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201010539422.8
申请日：2010-10-26
CPC分类号： G11B5/3912 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B2005/3996
摘要： 本发明公开了一种磁阻传感器，该磁阻传感器包括第一屏蔽层，第二屏蔽层，形成于所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层之间的磁阻元件及一对硬磁层，所述硬磁层分别置于所述磁阻元件的两边，以及非磁绝缘层，所述非磁绝缘层形成于所述磁阻元件的远离磁头的空气承载面的一侧；其中还包括形成于所述第一屏蔽层与所述磁阻元件之间的第一非磁传导层，所述第一非磁传导层嵌入所述第一屏蔽层之中，并与空气承载面相分离。本发明的磁阻传感器具有较窄的读间隙，从而增强分辨能力并提高读性能；同时，其具有强的纵向偏压磁场，从而保持自身稳定性，增加总的感应面积，进而提高传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN102201243B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201010139380.9
申请日：2010-03-23
CPC分类号： G11B5/398 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3932
摘要： 本发明公开了一种磁阻传感器，该磁阻传感器包括第一屏蔽层、第二屏蔽层、形成于所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间的磁阻元件以及一对分别放置于所述磁阻元件两边的硬磁层。所述磁阻元件包括形成于所述第一屏蔽层上的反铁磁层、形成于所述反铁磁层上的被钉扎层以及形成在所述被钉扎层和所述第二屏蔽层之间的自由层。所述自由层为漏斗形，所述自由层具有面对空气承载面的第一边以及与所述第一边相对的第二边，所述第一边的宽度小于第二边的宽度。采用本发明的磁阻传感器，能够改善MR高度控制的性能；并改善ESD性能、降低PCN及RTN从而获得更稳定的性能。本发明还公开了一种磁头、磁头折片组合及磁盘驱动器。
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公开(公告)号：CN102456356A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010539422.8
申请日：2010-10-26
CPC分类号： G11B5/3912 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B2005/3996
摘要： 本发明公开了一种磁阻传感器，该磁阻传感器包括第一屏蔽层，第二屏蔽层，形成于所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层之间的磁阻元件及一对硬磁层，所述硬磁层分别置于所述磁阻元件的两边，以及非磁绝缘层，所述非磁绝缘层形成于所述磁阻元件的远离磁头的空气承载面的一侧；其中还包括形成于所述第一屏蔽层与所述磁阻元件之间的第一非磁传导层，所述第一非磁传导层嵌入所述第一屏蔽层之中，并与空气承载面相分离。本发明的磁阻传感器具有较窄的读间隙，从而增强分辨能力并提高读性能；同时，其具有强的纵向偏压磁场，从而保持自身稳定性，增加总的感应面积，进而提高传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN102201243A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201010139380.9
申请日：2010-03-23
CPC分类号： G11B5/398 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3932
摘要： 本发明公开了一种磁阻传感器，该磁阻传感器包括第一屏蔽层、第二屏蔽层、形成于所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间的磁阻元件以及一对分别放置于所述磁阻元件两边的硬磁层。所述磁阻元件包括形成于所述第一屏蔽层上的反铁磁层、形成于所述反铁磁层上的被钉扎层以及形成在所述被钉扎层和所述第二屏蔽层之间的自由层。所述自由层为漏斗形，所述自由层具有面对空气承载面的第一边以及与所述第一边相对的第二边，所述第一边的宽度小于第二边的宽度。采用本发明的磁阻传感器，能够改善MR高度控制的性能；并改善ESD性能、降低PCN及RTN从而获得更稳定的性能。本发明还公开了一种磁头、磁头折片组合及磁盘驱动器。
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公开(公告)号：CN102707246A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201110074459.2
申请日：2011-03-28
申请人： 新科实业有限公司
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/098
摘要： 本发明公开了一种测量磁头的隧道磁电阻传感器中的纵向偏磁场的方法，其包括以下步骤：施加一外部纵向时变磁场到隧道磁电阻传感器，该外部纵向时变磁场的方向与纵向偏磁场的方向相反；在外部纵向时变磁场的应用下，确定隧道磁电阻传感器的衬底饱和值；施加一外部横向时变磁场到隧道磁电阻传感器，该外部横向时变磁场的方向与纵向偏磁场的方向相垂直；施加一外部纵向直流磁场到隧道磁电阻传感器，该外部纵向直流磁场的方向与纵向偏磁场的方向相反；在外部纵向直流磁场的不同场强值及外部横向时变磁场的应用下，确定复数个不同输出振幅；根据不同输出振幅和不同场强值描绘出一曲线图；及根据所述曲线图及所述衬底饱和值确定纵向偏磁场的强度。
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公开(公告)号：CN104143343B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201310169758.3
申请日：2013-05-09
申请人： 新科实业有限公司
IPC分类号： G11B5/455
CPC分类号： G11B5/455
摘要： 本发明公开一种磁头的测试方法，包括以下步骤：（1）以与所述纵向偏压场相同的第一方向向所述磁头施加具有恒定强度的第一磁场，同时以穿过所述空气承载面的第二方向施加具有变化强度的第二磁场，并测量第一噪声；（2）以与所述第一方向相反的第三方向向所述磁头施加具有恒定强度的第三磁场，同时施加具有所述第二方向的所述第二磁场，并测量第二噪声；（3）分析所述第一噪声和所述第二噪声之间的噪声变化。本发明能准确检测出具有不良噪声特性及不稳定性能的缺陷磁头。
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公开(公告)号：CN102779531B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201110123075.5
申请日：2011-05-12
申请人： 新科实业有限公司
IPC分类号： G11B5/455
摘要： 本发明公开了一种闭路式测量磁头信噪比的方法，适用于具有记录媒介和磁头的记录装置，所述方法包括以下步骤：(a)将磁头加载到媒介上并保持一定的动态飞行高度；(b)测量初始环境温度值T1，并同时测量磁头信号signalload；(c)将磁头从媒介上移走；(d)调整用于控制动态飞行高度的动力，直到实时环境温度值T2等于初始环境温度T1；(e)测量磁头噪声值noiseunload；(f)通过以下方程式计算磁头信噪比：本发明的方法为信号和噪声的测量提供公平一致的条件，由此获得可靠的、精确的磁头信噪比，本发明同时提供了一种闭路式测量媒介信噪比的方法。
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公开(公告)号：CN104143343A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201310169758.3
申请日：2013-05-09
申请人： 新科实业有限公司
IPC分类号： G11B5/455
CPC分类号： G11B5/455
摘要： 本发明公开一种磁头的测试方法，包括以下步骤：（1）以与所述纵向偏压场相同的第一方向向所述磁头施加具有恒定强度的第一磁场，同时以穿过所述空气承载面的第二方向施加具有变化强度的第二磁场，并测量第一噪声；（2）以与所述第一方向相反的第三方向向所述磁头施加具有恒定强度的第三磁场，同时施加具有所述第二方向的所述第二磁场，并测量第二噪声；（3）分析所述第一噪声和所述第二噪声之间的噪声变化。本发明能准确检测出具有不良噪声特性及不稳定性能的缺陷磁头。
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公开(公告)号：CN102707246B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110074459.2
申请日：2011-03-28
申请人： 新科实业有限公司
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/098
摘要： 本发明公开了一种测量磁头的隧道磁电阻传感器中的纵向偏磁场的方法，其包括以下步骤：施加一外部纵向时变磁场到隧道磁电阻传感器，该外部纵向时变磁场的方向与纵向偏磁场的方向相反；在外部纵向时变磁场的应用下，确定隧道磁电阻传感器的衬底饱和值；施加一外部横向时变磁场到隧道磁电阻传感器，该外部横向时变磁场的方向与纵向偏磁场的方向相垂直；施加一外部纵向直流磁场到隧道磁电阻传感器，该外部纵向直流磁场的方向与纵向偏磁场的方向相反；在外部纵向直流磁场的不同场强值及外部横向时变磁场的应用下，确定复数个不同输出振幅；根据不同输出振幅和不同场强值描绘出一曲线图；及根据所述曲线图及所述衬底饱和值确定纵向偏磁场的强度。
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公开(公告)号：CN102779531A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201110123075.5
申请日：2011-05-12
申请人： 新科实业有限公司
IPC分类号： G11B5/455
摘要： 本发明公开了一种闭路式测量磁头信噪比的方法，适用于具有记录媒介和磁头的记录装置，所述方法包括以下步骤：(a)将磁头加载到媒介上并保持一定的动态飞行高度；(b)测量初始环境温度值T1，并同时测量磁头信号signalload；(c)将磁头从媒介上移走；(d)调整用于控制动态飞行高度的动力，直到实时环境温度值T2等于初始环境温度T1；(e)测量磁头噪声值noiseunload；(f)通过以下方程式计算磁头信噪比：本发明的方法为信号和噪声的测量提供公平一致的条件，由此获得可靠的、精确的磁头信噪比，本发明同时提供了一种闭路式测量媒介信噪比的方法。
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