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公开(公告)号：CN102456356B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201010539422.8
申请日：2010-10-26
CPC分类号： G11B5/3912 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B2005/3996
摘要： 本发明公开了一种磁阻传感器，该磁阻传感器包括第一屏蔽层，第二屏蔽层，形成于所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层之间的磁阻元件及一对硬磁层，所述硬磁层分别置于所述磁阻元件的两边，以及非磁绝缘层，所述非磁绝缘层形成于所述磁阻元件的远离磁头的空气承载面的一侧；其中还包括形成于所述第一屏蔽层与所述磁阻元件之间的第一非磁传导层，所述第一非磁传导层嵌入所述第一屏蔽层之中，并与空气承载面相分离。本发明的磁阻传感器具有较窄的读间隙，从而增强分辨能力并提高读性能；同时，其具有强的纵向偏压磁场，从而保持自身稳定性，增加总的感应面积，进而提高传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN100373454C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510130488.0
申请日：2005-12-13
摘要： 提供了一种薄膜磁头，该薄膜磁头使由发热装置产生的热引起的头端面的伸出变得大到足以有效地将磁间距dMS设为较小值。该头包括：具有元件形成面和ABS的衬底，在元件形成面上形成至少一个凹部；在元件形成面上方或在元件形成面上形成的至少一个磁头元件；嵌入至少一个凹部中的至少一个热膨胀层；以及位于至少一个热膨胀层正上方的至少一个发热装置。
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公开(公告)号：CN1815560A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510130488.0
申请日：2005-12-13
摘要： 提供了一种薄膜磁头，该薄膜磁头使由发热装置产生的热引起的头端面的伸出变得大到足以有效地将磁间距dMS设为较小值。该头包括：具有元件形成面和ABS的衬底，在元件形成面上形成至少一个凹部；在元件形成面上方或在元件形成面上形成的至少一个磁头元件；嵌入至少一个凹部中的至少一个热膨胀层；以及位于至少一个热膨胀层正上方的至少一个发热装置。
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公开(公告)号：CN102201243B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201010139380.9
申请日：2010-03-23
CPC分类号： G11B5/398 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3932
摘要： 本发明公开了一种磁阻传感器，该磁阻传感器包括第一屏蔽层、第二屏蔽层、形成于所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间的磁阻元件以及一对分别放置于所述磁阻元件两边的硬磁层。所述磁阻元件包括形成于所述第一屏蔽层上的反铁磁层、形成于所述反铁磁层上的被钉扎层以及形成在所述被钉扎层和所述第二屏蔽层之间的自由层。所述自由层为漏斗形，所述自由层具有面对空气承载面的第一边以及与所述第一边相对的第二边，所述第一边的宽度小于第二边的宽度。采用本发明的磁阻传感器，能够改善MR高度控制的性能；并改善ESD性能、降低PCN及RTN从而获得更稳定的性能。本发明还公开了一种磁头、磁头折片组合及磁盘驱动器。
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公开(公告)号：CN102456356A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010539422.8
申请日：2010-10-26
CPC分类号： G11B5/3912 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B2005/3996
摘要： 本发明公开了一种磁阻传感器，该磁阻传感器包括第一屏蔽层，第二屏蔽层，形成于所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层之间的磁阻元件及一对硬磁层，所述硬磁层分别置于所述磁阻元件的两边，以及非磁绝缘层，所述非磁绝缘层形成于所述磁阻元件的远离磁头的空气承载面的一侧；其中还包括形成于所述第一屏蔽层与所述磁阻元件之间的第一非磁传导层，所述第一非磁传导层嵌入所述第一屏蔽层之中，并与空气承载面相分离。本发明的磁阻传感器具有较窄的读间隙，从而增强分辨能力并提高读性能；同时，其具有强的纵向偏压磁场，从而保持自身稳定性，增加总的感应面积，进而提高传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN102201243A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201010139380.9
申请日：2010-03-23
CPC分类号： G11B5/398 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3932
摘要： 本发明公开了一种磁阻传感器，该磁阻传感器包括第一屏蔽层、第二屏蔽层、形成于所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间的磁阻元件以及一对分别放置于所述磁阻元件两边的硬磁层。所述磁阻元件包括形成于所述第一屏蔽层上的反铁磁层、形成于所述反铁磁层上的被钉扎层以及形成在所述被钉扎层和所述第二屏蔽层之间的自由层。所述自由层为漏斗形，所述自由层具有面对空气承载面的第一边以及与所述第一边相对的第二边，所述第一边的宽度小于第二边的宽度。采用本发明的磁阻传感器，能够改善MR高度控制的性能；并改善ESD性能、降低PCN及RTN从而获得更稳定的性能。本发明还公开了一种磁头、磁头折片组合及磁盘驱动器。
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公开(公告)号：CN103093763A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110344950.2
申请日：2011-11-04
申请人： 新科实业有限公司
IPC分类号： G11B5/455
摘要： 本发明公开一种磁头的测量方法，包括：(a)将所述磁头放置于正常位置，定义第一方向和第二方向，第一方向平行于磁头的空气承载面和两屏蔽层，第二方向垂直于空气承载面；(b)倾斜磁头以使其与第二方向成一角度，以第一方向向磁头施加多个不同强度的第一磁场，并测量出第一输出参数曲线；(c)以不同角度重复步骤(b)，并测量出多个第一输出参数曲线；(d)根据多个第一输出参数曲线计算磁头的被钉扎层的被钉扎方向从第二方向倾斜的多个被钉扎方向倾斜率；以及(e)根据多个被钉扎方向倾斜率计算被钉扎层从第二方向倾斜的被钉扎方向倾斜角。本发明有利于磁头制造商掌握磁头的性能。
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公开(公告)号：CN107808675A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201610814757.3
申请日：2016-09-09
申请人： 新科实业有限公司
摘要： 本发明申请公开了一种磁头滑块的加工测试方法、加工测试监控装置及加工设备，所述磁头滑块的加工测试方法包括：提供至少一个应力传感器于晶圆中，以及提供控制装置与所述应力传感器连接；利用加工装置将所述晶圆加工成磁头滑块，所述控制装置在磁头滑块加工过程中监控所述应力传感器的性能参数以确定当前加工参数是否合适，并在当前加工参数不合规格时，向所述加工装置发出调整信号，所述加工装置根据所述调整信号调整加工参数。本发明申请可以实时监控磁头滑块的加工测试，从而更有效方便地对磁头滑块进行加工测试。
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公开(公告)号：CN102707246A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201110074459.2
申请日：2011-03-28
申请人： 新科实业有限公司
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/098
摘要： 本发明公开了一种测量磁头的隧道磁电阻传感器中的纵向偏磁场的方法，其包括以下步骤：施加一外部纵向时变磁场到隧道磁电阻传感器，该外部纵向时变磁场的方向与纵向偏磁场的方向相反；在外部纵向时变磁场的应用下，确定隧道磁电阻传感器的衬底饱和值；施加一外部横向时变磁场到隧道磁电阻传感器，该外部横向时变磁场的方向与纵向偏磁场的方向相垂直；施加一外部纵向直流磁场到隧道磁电阻传感器，该外部纵向直流磁场的方向与纵向偏磁场的方向相反；在外部纵向直流磁场的不同场强值及外部横向时变磁场的应用下，确定复数个不同输出振幅；根据不同输出振幅和不同场强值描绘出一曲线图；及根据所述曲线图及所述衬底饱和值确定纵向偏磁场的强度。
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