公开(公告)号：CN101682989B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN200880015225.7

申请日：2008-03-10

Applicant: 新美亚通讯设备有限公司

Inventor： 乔治·杜德尼科夫

IPC: H05K1/16

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01G4/06 ,  H01G4/30 ,  H01G4/306 ,  H05K1/0216 ,  H05K1/0231 ,  H05K1/113 ,  H05K1/18 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4641 ,  H05K2201/0191 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0257 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/093 ,  H05K2201/09309 ,  H05K2201/09518 ,  H05K2201/09663 ,  H05K2203/162 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49036 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49155

Abstract: 提供嵌入制造电容叠层的新方法和新型电容叠层装置，该装置具有用作结构衬底的电容核心，在该电容核心上可添加交替的导电箔和装载有纳米粉末的介电层并测试可靠性。这种分层和测试允许此电容叠层的介电薄层的早期缺陷检测。电容叠层可经构造后提供多个隔离的电容元件，这些电容元件向一个或多个电气部件提供孤立的、设备特有的解耦电容。电容叠层可用作核心衬底，在其上可耦合多层电路板的多个附加信号层。

公开(公告)号：CN101682989A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880015225.7

申请日：2008-03-10

Applicant: 新美亚通讯设备有限公司

Inventor： 乔治·杜德尼科夫

IPC: H05K1/16

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01G4/06 ,  H01G4/30 ,  H01G4/306 ,  H05K1/0216 ,  H05K1/0231 ,  H05K1/113 ,  H05K1/18 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4641 ,  H05K2201/0191 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0257 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/093 ,  H05K2201/09309 ,  H05K2201/09518 ,  H05K2201/09663 ,  H05K2203/162 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49036 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49155

Abstract: 提供嵌入制造电容叠层的新方法和新型电容叠层装置，该装置具有用作结构衬底的电容核心，在该电容核心上可添加交替的导电薄片和装载有纳米粉末的介电层并测试可靠性。这种分层和测试允许此电容叠层的介电薄层的早期缺陷检测。电容叠层可经构造后提供多个隔离的电容元件，这些电容元件向一个或多个电气部件提供孤立的、设备特有的解耦电容。电容叠层可用作核心衬底，在其上可耦合多层电路板的多个附加信号层。