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公开(公告)号：CN102142366A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010105400.0
申请日：2010-01-28
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L21/768
摘要： 一种自对准金属硅化物的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的半导体衬底表面至少有一硅区域；在所述第二区域形成覆盖所述半导体衬底的隔离层；采用射频溅射去除所述硅区域的自然氧化层；采用射频溅射形成覆盖所述硅区域、隔离层的金属层；采用射频溅射在所述金属层表面形成保护层；对所述半导体衬底进行退火，形成金属硅化物层；去除保护层和未反应的金属层。本发明提供的自对准金属硅化物的形成方法效率高，能耗低。
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公开(公告)号：CN102117744A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201010002008.3
申请日：2010-01-05
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/336
摘要： 一种自对准金属硅化物的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面至少有一硅区域；对所述硅区域进行离子注入；去除所述硅区域的自然氧化层；在所述硅区域形成金属层；在所述金属层表面形成保护层；对所述形成有金属层的半导体基底进行退火，形成金属硅化物层。本发明形成的金属硅化物层均匀性好且器件不会出现桥接现象。
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公开(公告)号：CN102142366B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201010105400.0
申请日：2010-01-28
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L21/768
摘要： 一种自对准金属硅化物的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的半导体衬底表面至少有一硅区域；在所述第二区域形成覆盖所述半导体衬底的隔离层；采用射频溅射去除所述硅区域的自然氧化层；采用射频溅射形成覆盖所述硅区域、隔离层的金属层；采用射频溅射在所述金属层表面形成保护层；对所述半导体衬底进行退火，形成金属硅化物层；去除保护层和未反应的金属层。本发明提供的自对准金属硅化物的形成方法效率高，能耗低。
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公开(公告)号：CN102117744B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201010002008.3
申请日：2010-01-05
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/336
摘要： 一种自对准金属硅化物的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面至少有一硅区域；对所述硅区域进行离子注入；去除所述硅区域的自然氧化层；在所述硅区域形成金属层；在所述金属层表面形成保护层；对所述形成有金属层的半导体基底进行退火，形成金属硅化物层。本发明形成的金属硅化物层均匀性好且器件不会出现桥接现象。
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公开(公告)号：CN118156286A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202211546548.7
申请日：2022-12-05
申请人： 无锡华润上华科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件，包括层叠设置的衬底、介质埋层和顶硅层；顶硅层内设置有漂移区、源引出区和漏引出区，源引出区和漏引出区位于漂移区沿第一方向的两侧；介质埋层靠近顶硅层的一侧设置有多个沿第一方向间隔排布的上槽组，上槽组包括上电荷槽；介质埋层靠近衬底的一侧设置有多个沿第一方向间隔排布的下槽组，下槽组包括下电荷槽；其中，各上槽组由介质埋层靠近源引出区的一端至介质埋层靠近漏引出区的一端排列，且各上槽组的深度逐渐增大。本申请能够提高器件耐压。
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公开(公告)号：CN118553766A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202310179804.1
申请日：2023-02-24
申请人： 无锡华润上华科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种场板结构及半导体器件，所述场板结构包括位于衬底上的绝缘介质层，还包括多圈环形结构，所述环形结构的宽度由内环到外环递增，以通过外环比内环更宽带来的电阻值减小，来抵消外环比内环更长的周长带来的电阻值增加，所述环形结构包括连续或非连续的螺旋环，或所述环形结构包括一圈套一圈的多个闭合或非闭合环。本发明的环形结构电阻的宽度由内环到外环递增，通过外环比内环更宽带来的电阻值减小，来抵消外环比内环更长的周长带来的电阻值增加，使电阻结构的每个半圈的电阻值趋于相等，从而使得器件的表面电场分布均匀，电势能够保持固定的斜率下降，使得器件具有较高的击穿电压。
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公开(公告)号：CN116264224A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111539758.9
申请日：2021-12-15
申请人： 无锡华润上华科技有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/87 , H01L21/329
摘要： 本发明提供一种可控硅整流器及其制备方法。其中，可控硅整流器的第一阱区和第二阱区中分别加设了第一低阻区和第二低阻区。因第一低阻区和第二低阻区的阻值较低，故第一阱区和第二阱区的整体电阻均下降，从而使得器件的导通电压降低，提高可控硅整流器的泄放电流的能力。并且，第一低阻区设置于第一掺杂区的下方，第二低阻区设置于第四掺杂区的下方。所以，第一低阻区不影响由第二掺杂区、第一阱区和第二阱区所形成的晶体管的导通；第二低阻区不影响由第一阱区、第二阱区和第三掺杂区所形成的晶体管的导通。因此，本发明提供的可控硅整流器及其制备方法能够实现在降低可控硅整流器的导通电压的同时不影响可控硅整流器的响应速度。
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公开(公告)号：CN118507511A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310119466.2
申请日：2023-02-15
申请人： 无锡华润上华科技有限公司
IPC分类号： H01L29/08 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，该横向扩散金属氧化物半导体器件包括层叠设置的衬底、介质埋层和顶硅层；所述顶硅层内设置有漂移区、源引出区和漏引出区，所述源引出区和所述漏引出区分别位于所述漂移区沿第一方向的两侧；至少部分所述漏引出区位于所述介质埋层在所述顶硅层上的正投影的外部；所述第一方向垂直于所述衬底的厚度方向。这样，相当于在漏端(漏引出区)引入衬底耐压，从而可以在顶硅层厚度较薄的情况下提高漏端的纵向电压，进而提高器件耐压。
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