公开(公告)号：CN117438459A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202210817094.6

申请日：2022-07-12

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 刘腾 ,  何乃龙 ,  章文通 ,  文天龙 ,  宋华 ,  张志丽

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/762 ,  H01L21/336

摘要： 本申请涉及半导体器件及其制备方法，半导体器件包括半导体衬底、绝缘埋层、漂移区以及多个介质隔离结构。绝缘埋层位于半导体衬底上，漂移区位于绝缘埋层上，漂移区的部分上表层设有漏区，多个介质隔离结构，位于漂移区且沿朝向漏区的方向间隔设置，至少一个介质隔离结构凸起于所述绝缘埋层且朝向所述漏区弯折。可大大提高半导体器件的横向耐压能力和纵向耐压能力，也可提高该半导体器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN117410310A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202210793463.2

申请日：2022-07-07

申请人： 电子科技大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

发明人： 刘腾 ,  何乃龙 ,  文天龙 ,  章文通 ,  章安娜 ,  宋华 ,  张志丽

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明涉及一种阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：漂移区，具有第一导电类型；集电区，设于所述漂移区中，具有第二导电类型；阳极区，具有第一导电类型；隔离结构，包括设于所述集电区和所述阳极区之间的第一结构，以及与所述第一结构呈一夹角并从所述第一结构向所述阳极区的下方延伸的第二结构。本发明通过设置具有第一结构和与第一结构呈一夹角并向阳极区下方延伸的第二结构的隔离结构，从而极大地拉长了阳极区的电流路径，等效于增大了集电区阱到阳极区的电阻值，使得电压折回消失，抑制了Snapback效应。

公开(公告)号：CN117374105A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202210764114.8

申请日：2022-06-30

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 刘腾 ,  张森 ,  何乃龙 ,  宋华 ,  张志丽 ,  章文通 ,  文天龙

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明涉及一种阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：漂移区；集电区，设于漂移区中；阳极区；第一导电类型掺杂区，位于集电区和阳极区之间的漂移区中，第一导电类型掺杂区的掺杂浓度大于漂移区的掺杂浓度；耗尽结构，设于第一导电类型掺杂区中，包括竖向导电结构，和包围竖向导电结构从而将竖向导电结构与第一导电类型掺杂区隔离的介电层。本发明通过引入第一导电类型掺杂区，相当于设置一段高浓度的漂移区，可以在器件关断时加速少子的反向抽取；在器件开启时可以通过对竖向导电结构加电压的方式，使第一导电类型掺杂区变为耗尽区，从而成为一段高阻区，避免电压折回效应。

公开(公告)号：CN117438451A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202210816463.X

申请日：2022-07-12

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 刘腾 ,  张森 ,  何乃龙 ,  章文通 ,  文天龙 ,  赵景川

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

摘要： 本申请涉及一种横向绝缘栅双极晶体管，包括漂移区、第一阱区、第一电极引出区、第二电极引出区以及电导调制结构。漂移区具有第一导电类型，电导调制结构设于第一电极引出区和第二电极引出区之间的漂移区内，电导调制结构包括设于漂移区的上表层且具有第一导电类型的第一掺杂区，以及设于第一掺杂区内且具有第二导电类型的第二掺杂区。其中，第一导电类型和第二导电类型相反，第一掺杂区的掺杂浓度大于漂移区的掺杂浓度。可极大地降低横向绝缘栅双极晶体管的通态压降，且降低横向绝缘栅双极晶体管的功耗。

公开(公告)号：CN117293178A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202210698235.7

申请日：2022-06-20

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 刘腾 ,  何乃龙 ,  张森 ,  章文通 ,  文天龙 ,  宋华 ,  张志丽

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：第二导电类型阱区；漏极区，位于第二导电类型阱区中；源极区，位于第二导电类型阱区中；栅极，设于漏极区和源极区之间；第一绝缘隔离结构，设于漏极区和源极区之间的第二导电类型阱区中，且靠近漏极区设置，从第二导电类型阱区的表面向下延伸且大于漏极区的深度；第二导电类型埋层，位于漏极区下方，至少部分位于第二导电类型阱区中，掺杂浓度大于第二导电类型阱区的掺杂浓度。本发明通过设置第一绝缘隔离结构来电流路径以避免电流集中，能够提升ESD防护能力。通过在漏端下方引入第二导电类型埋层来增大漂移区的浓度，可以降低ESD开启电压。

公开(公告)号：CN117438460A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202210820911.3

申请日：2022-07-13

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 刘腾 ,  何乃龙 ,  张森 ,  宋华 ,  张志丽 ,  章文通 ,  文天龙

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：第二导电类型阱区；源极区和漏极区，位于所述第二导电类型阱区中；栅极，设于漏极区和源极区之间的第二导电类型阱区上；第一绝缘隔离结构，设于漏极区和源极区之间的第二导电类型阱区中，且靠近漏极区设置；顶部第二导电类型区，设于源极区和第一绝缘隔离结构之间，且靠近第二导电类型阱区的顶部设置，顶部第二导电类型区的掺杂浓度大于第二导电类型阱区的掺杂浓度；至少一个第二导电类型埋置区，掺杂浓度大于所述第二导电类型阱区的掺杂浓度。本发明能够使维持电压提高，原本因电流集中而未开启的区域随着维持电压的提高可以有机会开启。

公开(公告)号：CN117293177A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202210695511.4

申请日：2022-06-20

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 刘腾 ,  何乃龙 ,  张森 ,  章文通 ,  文天龙 ,  宋华 ,  赵景川

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：第一导电类型阱区；第二导电类型漂移区，设于第一导电类型阱区中；绝缘隔离结构，设于第二导电类型漂移区中；漏极区，具有第一导电类型，靠近第二导电类型漂移区和绝缘隔离结构设置；源极区，具有第一导电类型，第二导电类型漂移区位于源极区和所述漏极区之间。本发明利用绝缘隔离结构将器件开启时靠近漏端的不均匀的大电流挡住，迫使其向电流更小的地方分流，从而改善Kirk效应带来的漏端损伤。而第二导电类型漂移区能够起到对于电子的复合阻挡层的作用，防止在漏极区边缘形成强电离场，避免出现触发电压在多次ESD应力冲击下的Walk‑in现象。