公开(公告)号：CN118572512A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410613303.4

申请日：2024-05-17

Applicant: 无锡学院

Inventor： 龚雅茹 ,  于庆南 ,  章星瑜 ,  牛春强 ,  王雷 ,  张扬 ,  景希权 ,  王伟 ,  桂桑 ,  郭业才 ,  张永宏

IPC: H01S5/024 ,  H01S5/50

Abstract: 本发明公开了一种具有高散热性能的半导体光放大器及其制备方法，包括键合为一体的半导体光放大器芯片和石墨烯基板，其中，所述半导体光放大器芯片的键合面设有若干个均匀分布的凸起微结构，所述石墨烯基板的键合面设有若干个均匀分布的凹槽微结构，所述凸起微结构与所述凹槽微结构互相匹配，所述半导体光放大器芯片的凸起微结构能够嵌入所述石墨烯基板的凹槽微结构内。本发明通过石墨烯粘附能低、表面能高的特点，直接将经过微结构化处理后的石墨烯与半导体光放大器键合。相比于传统的半导体光放大器利用陶瓷基板进行导热，本发明将陶瓷基板替换为导热性更好的石墨烯，且无需其它胶类辅助粘黏，大大提高了散热性能，简化了工序流程。

公开(公告)号：CN120076460A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510511488.2

申请日：2025-04-23

Applicant: 无锡学院 ,  无锡市德科立光电子技术股份有限公司

Inventor： 章星瑜 ,  于庆南 ,  马川 ,  李文静 ,  包中浩 ,  王茹 ,  顾诗雨 ,  王雷 ,  桂桑 ,  巫君杰 ,  刘罡 ,  王伟 ,  郭业才

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/14 ,  H10F77/60 ,  H10F77/00 ,  C01B32/184

Abstract: 本发明提供了一种以石墨烯为衬底的光芯片的制备方法及光芯片，制备方法包括：选择半导体衬底，并通过水相法制备出石墨烯膜；将制备出的石墨烯薄膜与转移介质结合，以转移到半导体衬底上，并去除转移介质，得到石墨烯衬底层；在得到的石墨烯衬底层上进行微结构处理，并生长半导体层；利用化学腐蚀去除传统半导体衬底，得到制备好的光芯片。本发明能够解决传统的衬底生长光芯片技术的芯片散热能力和性能的不足问题。

公开(公告)号：CN119270441A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411378710.8

申请日：2024-09-30

Applicant: 无锡学院 ,  无锡市德科立光电子技术股份有限公司

Inventor： 章星瑜 ,  于庆南 ,  龚雅茹 ,  胡培显 ,  顾昕 ,  王雷 ,  毕海青 ,  梁嘉乐 ,  王伟 ,  郭业才 ,  张永宏

IPC: G02B6/42 ,  G02F1/39

Abstract: 本发明公开了一种半导体光放大器和石墨烯的散热阵列微结构及其制备方法，包括从上到下依次设置的半导体光放大器芯片、石墨烯散热基板和热沉，所述半导体光放大器芯片的下表面与石墨烯散热基板的上表面通过第一键合层进行键合，所述石墨烯散热基板的下表面通过第二键合层进行键合。本发明采用二维石墨烯材料，其热导率为2000‑5000 W/m•k，可以大大提高SOA散热能力；同时，对键合面采取了独特的微型阵列结构处理，可至少增大20%左右的接触面积，大大提高了热传递速率；本发明改善了SOA的散热能力，进一步提高了SOA的性能和可靠性，为5G时代的光纤通信发展增加技术保障。

公开(公告)号：CN120089647A

公开(公告)日：2025-06-03

申请号：CN202510529772.2

申请日：2025-04-25

Applicant: 无锡学院 ,  无锡市德科立光电子技术股份有限公司

Inventor： 徐颢桉 ,  巫君杰 ,  包中浩 ,  王茹 ,  王伟 ,  仲悦 ,  张吾怡 ,  刘罡 ,  于庆南 ,  顾诗雨 ,  章星瑜 ,  王光辉 ,  桂桑 ,  郭业才

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明提供了一种新型微流道散热结构，涉及散热结构技术领域。包括：基底和设置在基底上的微流道；微流道包括：第一主通道、第二主通道、微流道主体、副流道；微流道主体的进水口与出水口通过第一主通道与第二主通道相连，第一主通道与进水口连接，第二主通道与出水口连接，副流道设置在微流道主体内部以形成十字交叉结构，微流道主体为串行结构并有多个圆形单元构成；进水口设置在微流道主体的上方，出水口设置在微流道主体的下方，进水口和出水口均左右对称设置；第一主通道和第二主通道均用于对冷却液进行流导，微流道主体用于根据副流道形成多分流结构和汇流结构。本发明解决了现有技术中散热结构的散热效果低下的问题。

公开(公告)号：CN120048807A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510511387.5

申请日：2025-04-23

Applicant: 无锡学院 ,  无锡市德科立光电子技术股份有限公司

Inventor： 张扬 ,  王伟 ,  张永宏 ,  章星瑜 ,  王光辉 ,  梁嘉乐 ,  王雷 ,  顾诗雨 ,  巫君杰 ,  于庆南 ,  刘罡 ,  桂桑 ,  郭业才

IPC: H01L23/367 ,  C23C16/27 ,  H01L21/48 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明提供了一种光芯片的CVD金刚石散热结构及其制备方法，涉及热沉片技术领域，结构包括多片热沉片；所述热沉片设置在光模块芯片顶层封装材料砷化镓上；各个所述热沉片之间设置有横向间距和纵向间距；各个所述热沉片构成栅格式结构。本发明借助砷化镓的电子特性和光电特性将其作为光刻基底，借助金刚石的高导热性将其作为热沉片生长在光模块芯片上。本发明在光模块芯片上添加金刚石热沉片可以满足大功率器件的散热需求，显著提高芯片的散热效果，有效地降低光模块芯片的温度，从而降低器件的损耗。

公开(公告)号：CN119943786A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510361070.8

申请日：2025-03-26

Applicant: 无锡学院 ,  无锡市德科立光电子技术股份有限公司

Inventor： 景希权 ,  巫君杰 ,  包中浩 ,  仲悦 ,  王伟 ,  梁嘉乐 ,  王雷 ,  牛春强 ,  章星瑜 ,  刘罡 ,  于庆南 ,  郭业才 ,  桂桑

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明提供了一种芯片界面微流道水冷散热器，涉及芯片散热技术领域，包括芯片、盖板，所述芯片的背部设置所述盖板，所述盖板的下板体设置有散热结构；所述散热结构包括水冷散热结构及散热鳍板，所述盖板的下板体设置所述水冷散热结构，所述水冷散热结构为发散转角式结构，且所述水冷散热结构的进水口设置在与芯片中心相对应的位置，出水口设置在水冷散热结构的四周；所述散热鳍板设置在水冷散热结构的下侧。本发明通过改变流道几何分布控制水流速度，加速中心芯片热源散热速度，可对芯片进行良好散热。